对准标记的制作方法及晶圆键合方法技术

本发明专利技术提供一种对准标记的制作方法及晶圆键合方法，包括提供标准掩模版，在所述标准掩模版上形成有对准标记图案；计算待标记的所述晶圆的曝光区域与所述标准掩模版的曝光区域的差值，并根据所述差值调整曝光机台的曝光参数；根据所述曝光参数将所述标准掩模版上的对准标记图案分别转移至具有不同曝光区域的所述晶圆。本发明专利技术通过一个标准掩模版即可在不同尺寸的晶圆上制作对准标记，节省掩模版成本。进一步的，在晶圆键合过程中，可以使用同一掩模版对不同的承载晶圆制作对准标记以匹配器件晶圆，满足不同产品的键合需求，针对每个需要承载晶圆键合的产品都能节省一块掩模版，具有实际效益。具有实际效益。具有实际效益。

Fabrication method of alignment mark and wafer bonding method

【技术实现步骤摘要】
对准标记的制作方法及晶圆键合方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种对准标记的制作方法及晶圆键合方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的快速发展，互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，简称CMOS)以及微机电系统(Microelectro Mechanical Systems，简称MEMS)器件在各种传感器类产品的市场上成为最主流的技术，并且随着技术的不断进步，这类产品将会向更小尺寸，更高电学性能和更低损耗的方向发展。
[0003]CMOS图像传感器是摄像设备的核心部件，通过将光信号转换成电信号实现图像拍摄功能。由于其具有低功耗和高信噪比的优点，因此在各种领域内得到了广泛应用。以背照式互补金属氧化物半导体图像传感器(Backside Illumination CMOS Image Sensors，简称CIS BSI)为例，在现有的制造工艺中，首先形成器件晶圆，在所述器件晶圆内形成像素器件、逻辑器件以及金属互连结构，其次对承载晶圆与所述器件晶圆进行本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对准标记的制作方法，其特征在于，包括：提供标准掩模版，在所述标准掩模版上形成有对准标记图案；提供具有不同曝光区域的待标记的晶圆；计算不同尺寸的所述晶圆的曝光区域尺寸与所述标准掩模版的曝光区域尺寸的差值，并根据所述差值调整曝光机台的曝光参数；以及，根据所述曝光参数将所述标准掩模版上的对准标记图案分别转移至具有不同曝光区域的所述晶圆。2.根据权利要求1所述的对准标记的制作方法，其特征在于，所述对准标记图案位于外围切割道的中心位置。3.根据权利要求2所述的对准标记的制作方法，其特征在于，所述曝光机台的最小漏光范围小于或等于1mm。4.根据权利要求3所述的对准标记的制作方法，其特征在于，所述对准标记图案的周围设置有遮光带。5.根据权利要求4所述的对准标记的制作方法，其特征在于，所述遮光带为Cr遮光带，所述遮光带的尺寸大于或等于所述最小漏光范围。6.根据权利要求2所述的对准标记的制作方法，其特征在于，根据所述差值调整曝...

【专利技术属性】
技术研发人员：张祥平，李海峰，古哲安，林士程，
申请(专利权)人：合肥晶合集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：