掩膜版制造技术

本公开提供一种掩膜版，包括多组掩膜图形，以及位于所述掩膜版边缘和相邻两组所述掩膜图形之间的对准标记单元；其中，每组所述掩膜图形用于不同膜层的光刻工艺。所述对准标记可同时实现掩膜版形状的校正和掩膜版的对准，优化各膜层图案之间的套刻误差。优化各膜层图案之间的套刻误差。优化各膜层图案之间的套刻误差。

【技术实现步骤摘要】
掩膜版


[0001]本公开涉及半导体器件
，具体涉及一种掩膜版。

技术介绍

[0002]目前，集成电路产品开发和制造成本中，掩膜版制作的费用占了很大比例。以制作的0.35μm类产品为例，掩膜版费用接近或超过总开发费用的50％。如果采用更先进的0.25μm，0.18μm工艺，掩膜版费用将会变得更高。为了减少掩膜版制作费用，降低开发成本，目前各集成电路厂商普遍采用的方法是多层掩膜版(Multiple Layer Reticle，MLR)，即在同一张掩膜版上制作多个不同层的掩膜图形，以降低掩膜版成本。
[0003]另外，掩膜版的边缘通常设置有对准标记，光刻机上的传感器通过该对准标记实现掩膜版形状的校正，以及光刻设备、掩膜版和晶圆的对准。由于每个光刻工艺中，MLR只有对应的部分区域进入黄光区进行光刻工艺，而黄光区内的掩膜版部分由于高温的影响导致该部分产生变形，从而使得掩膜版局部变形。如果仍然采用掩膜版边缘的对准标记，将难以同时实现掩膜版形状的校正和掩膜版的对准，导致光刻工艺误差较大，最终产生较大的套刻误差(Overlay，OVL)。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种掩膜版，其特征在于，包括多组掩膜图形，以及位于所述掩膜版边缘和相邻两组所述掩膜图形之间的对准标记单元；其中，每组所述掩膜图形用于不同膜层的光刻工艺，所述对准标记单元包括分别与其相邻的所述掩膜图形对应的子标记单元。2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，每组所述掩膜图形的周围设置有遮光带。3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述对准标记单元设置于所述遮光带上。4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述子标记单元包括分别对应光刻机不...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄建维，夏忠平，王嘉鸿，陶丹丹，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：