光刻版及集成电路的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种光刻版及集成电路的制造方法。该光刻版包括多个用于光刻对位的光栅图形单元，光栅图形单元包括多个膜层保留区域图形和多个间隙区域图形，至少有一个膜层保留区域图形的宽度与其余膜层保留区域图形的宽度不同，间隙区域图形与膜层保留区域图形间隔排列，间隙区域图形的数量与膜层保留区域图形的数量相同，且大于等于2；其中，间隙区域图形的最大宽度小于光栅图形单元的宽度的一半。与传统的光刻版上的光栅图形单元相比，制作工艺的波动对晶圆上本申请中的光栅图形单元的形貌的影响较小，光栅图形单元的形貌更易控制且均匀性更好，不易生成填充不足的光栅图形单元，可以较大程度的减小光刻工艺的返工率，降低生产成本。产成本。产成本。

【技术实现步骤摘要】
光刻版及集成电路的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种光刻版一种集成电路的制造方法。

技术介绍

[0002]光刻曝光前需首先进行晶圆(wafer)的对位，光刻晶圆对位的精度直接影响到后续电路与前层电路之间的导通。LSA(Laser Step Alignment，激光步进对准方式)因其对位精度高，成为NIKON光刻机对位的首选方式。然而，专利技术人发现实际生产中使用LSA进行对位会出现对位错误的情况。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对上述问题，提供一种光刻版及一种集成电路的制造方法。
[0004]一种光刻版，包括多个用于光刻对位的光栅图形单元，所述光栅图形单元包括：
[0005]多个膜层保留区域图形，所述膜层保留区域图形为所述光栅图形单元中的薄膜保留区域，至少有一个所述膜层保留区域图形的宽度与其余所述膜层保留区域图形的宽度不同；多个间隙区域图形，所述间隙区域图形为所述光栅图形单元中的薄膜去除区域，所述间隙区域图形与所述膜层保留区域图形间隔排列，所述间隙区域图形的数量与所述膜层保留区域图形的数量相同，且大于等于2；其中，所述间隙区域图形的最大宽度小于所述光栅图形单元的宽度的一半，所述光栅图形单元的宽度为所述多个膜层保留区域图形和所述多个间隙区域图形的宽度之和。
[0006]在其中一个实施例中，所述光栅图形单元包括3个所述膜层保留区域图形，且有两个所述膜层保留区域图形的宽度相同。
[0007]在其中一个实施例中，所述光刻版上的光栅图形单元中存在大于等于一个所述膜层保留区域图形的宽度与相邻一侧的所述间隙区域图形的宽度相同。
[0008]在其中一个实施例中，所述光刻版上的光栅图形单元中所述膜层保留区域图形的宽度均与相邻的所述间隙区域图形的宽度不相同。
[0009]在其中一个实施例中，所述光刻版上的光栅图形单元包括4个所述膜层保留区域图形，且至少有两个所述膜层保留区域图形的宽度不相同。
[0010]在其中一个实施例中，所述光刻版上的光栅图形单元中所述膜层保留区域图形和/或所述间隙区域图形的宽度大于等于0.5微米且小于等于2微米。
[0011]在其中一个实施例中，所述光栅图形单元的宽度等于8微米。
[0012]在其中一个实施例中，所述光刻版上的光栅图形单元中所述膜层保留区域图形的宽度之和与所述间隙区域图形的宽度之和之间的差值大于等于0微米且小于等于1微米。
[0013]上述光刻版，包括多个用于光刻对位的光栅图形单元，所述光栅图形单元包括多个膜层保留区域图形，所述膜层保留区域图形为所述光栅图形单元中的薄膜保留区域，至少有一个所述膜层保留区域图形的宽度与其余所述膜层保留区域图形的宽度不同；多个间隙区域图形，所述间隙区域图形为所述光栅图形单元中的薄膜去除区域，所述间隙区域图
形与所述膜层保留区域图形间隔排列，所述间隙区域图形的数量与所述膜层保留区域图形的数量相同，且大于等于2；其中，所述间隙区域图形的最大宽度小于所述光栅图形单元的宽度的一半，所述光栅图形单元的宽度为所述多个膜层保留区域图形和所述多个间隙区域图形的宽度之和。与传统的光刻版上的光栅图形单元相比，本申请中光刻版上的光栅图形单元中的间隙区域图形与所述膜层保留区域图形间隔排列，间隙区域图形与所述膜层保留区域图形的数量相同，且大于等于2，至少有一个膜层保留区域图形的宽度与其余膜层保留区域图形的宽度不同，所述间隙区域图形的最大宽度小于所述光栅图形单元的宽度的一半，制作工艺的波动对晶圆上光栅图形单元形貌的影响较小，光栅图形单元的形貌更易控制且均匀性更好，在后续工艺完成后不易生成填充不足的光栅图形单元，可以较大程度的减小光刻工艺的返工率，降低生产成本。
[0014]一种光刻版，包括用于光刻对位的标记图形单元,所述标记图形单元包括X行、Y列光栅图形单元，所述光栅图形单元为上述任一项所述的光栅图形单元，X为大于等于2的奇数，Y为大于等于2的整数。
[0015]在其中一个实施例中，所述光刻版上的标记图形单元包括5行、7列光栅图形单元或7行、7列光栅图形单元，相邻两列光栅图形单元的同一侧边之间的间距为20微米。
[0016]上述光刻版，包括用于光刻对位的标记图形单元,所述标记图形单元包括X行、Y列光栅图形单元，所述光栅图形单元为上述任一项所述的光栅图形单元，X为大于等于2的奇数，Y为大于等于2的整数。与传统的光刻版上的标记图形单元相比，本申请中光刻版上构成标记图形单元的光栅图形单元中的间隙区域图形与所述膜层保留区域图形间隔排列，间隙区域图形与所述膜层保留区域图形的数量相同，且大于等于2，至少有一个膜层保留区域图形的宽度与其余膜层保留区域图形的宽度不同，所述间隙区域图形的最大宽度小于所述光栅图形单元的宽度的一半，制作工艺的波动对晶圆上标记图形单元中的光栅图形单元形貌的影响较小，标记图形单元的形貌更易控制且均匀性更好，在后续工艺完成后不易生成填充不足的光刻对位的标记图形单元，可以较大程度的减小光刻工艺的返工率，降低生产成本。
[0017]一种集成电路的制造方法，包括：
[0018]获取衬底，所述衬底上形成有第一薄膜。
[0019]使用上述任一项所述的包括光刻对位的标记图形单元的光刻版对第一薄膜上形成的光刻胶进行光刻，光刻完成后的光刻胶覆盖在膜层保留区域图形的第一薄膜上，露出间隙区域图形的第一薄膜。
[0020]刻蚀光刻胶露出的间隙区域图形的第一薄膜，得到由膜层保留区域图形和间隙区域图形构成的形成标记图形单元的光栅图形单元，且刻蚀后得到的膜层保留区域图形高于间隙区域图形，膜层保留区域图形与间隙区域图形之间形成高度差。
[0021]在所述第一薄膜上形成第二薄膜，所述第一薄膜的膜层保留区域图形和间隙区域图形上的第二薄膜受所述高度差影响使得第二薄膜上表面形成衍射光栅。
[0022]通过所述衍射光栅进行光刻对位，对所述第二薄膜上形成的光刻胶进行光刻并对所述第二薄膜进行刻蚀。
[0023]在其中一个实施例中，通过所述衍射光栅进行光刻对位的步骤之前，还包括对所述第二薄膜上表面进行化学机械抛光平坦化处理的步骤。
[0024]在其中一个实施例中，通过所述衍射光栅进行光刻对位的步骤是通过LSA系统进行的；所述得到由膜层保留区域图形和间隙区域图形构成的形成标记图形单元的光栅图形单元的步骤是在划片道形成所述光栅图形单元。
[0025]在其中一个实施例中，光刻完成后的光刻胶覆盖在膜层保留区域图形的第一薄膜上的步骤还包括：
[0026]光刻完成后的光刻胶覆盖在相邻两列光栅图形单元之间的第一薄膜上。
[0027]在其中一个实施例中，光刻完成后的光刻胶覆盖在膜层保留区域图形的第一薄膜上，露出间隙区域图形的第一薄膜的步骤还包括：
[0028]光刻完成后的光刻胶露出相邻两列光栅图形单元之间的第一薄膜；
[0029]刻蚀光刻胶露出的间隙区域图形的第一薄膜的步骤还包括：
[0030]刻蚀光刻胶露出的相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻版，包括多个用于光刻对位的光栅图形单元,其特征在于，所述光栅图形单元包括：多个膜层保留区域图形，所述膜层保留区域图形为所述光栅图形单元中的薄膜保留区域，至少有一个所述膜层保留区域图形的宽度与其余所述膜层保留区域图形的宽度不同；多个间隙区域图形，所述间隙区域图形为所述光栅图形单元中的薄膜去除区域，所述间隙区域图形与所述膜层保留区域图形间隔排列，所述间隙区域图形的数量与所述膜层保留区域图形的数量相同，且大于等于2；其中，所述间隙区域图形的最大宽度小于所述光栅图形单元的宽度的一半，所述光栅图形单元的宽度为所述多个膜层保留区域图形和所述多个间隙区域图形的宽度之和。2.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述光栅图形单元包括3个所述膜层保留区域图形，且有两个所述膜层保留区域图形的宽度相同。3.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述光栅图形单元中存在大于等于一个所述膜层保留区域图形的宽度与相邻一侧的所述间隙区域图形的宽度相同。4.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述光栅图形单元中所述膜层保留区域图形的宽度均与相邻的所述间隙区域图形的宽度不相同。5.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述光栅图形单元包括4个所述膜层保留区域图形，且至少有两个所述膜层保留区域图形的宽度不相同。6.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述光栅图形单元中所述膜层保留区域图形和/或所述间隙区域图形的宽度大于等于0.5微米且小于等于2微米。7.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述光栅图形单元的宽度等于8微米。8.根据权利要求1所述的光刻版，其特征在于，所述光栅图形单元中所述膜层保留区域图形的宽度之和与所述间隙区域图形的宽度之和之间的差值大于等于0微米且小于等于1微米。9.一种光刻版，包括用于光刻对位的标记图形单元,所述标记图形单元包括X行、Y列光栅图形单元，其特征在于，所述光栅图...

【专利技术属性】
技术研发人员：樊航，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：