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本公开提供一种掩膜版，包括多组掩膜图形，以及位于所述掩膜版边缘和相邻两组所述掩膜图形之间的对准标记单元；其中，每组所述掩膜图形用于不同膜层的光刻工艺。所述对准标记可同时实现掩膜版形状的校正和掩膜版的对准，优化各膜层图案之间的套刻误差。优化各...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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