【技术实现步骤摘要】
一种硅片双面研磨装置的静压板及硅片双面研磨装置
[0001]本专利技术涉及半导体硅片生产领域，尤其涉及一种硅片双面研磨装置的静压板及硅片双面研磨装置。
技术介绍
[0002]半导体硅片的生产工艺通常包括拉晶、线切割、研磨、抛光等处理过程。其中对于双面研磨工艺而言，硅片被夹置在两个静压板之间，以便使硅片能够在不与两个静压板接触的情况下通过每个静压板与硅片之间的流体的静压而得到支承，在硅片被支承后便可以利用对置的磨轮对硅片的两个主表面进行研磨。
[0003]对于上述的研磨工艺而言，通常需要将硅片压靠在静压板上，比如硅片研磨完成后需要将硅片从研磨装置取出时，带有吸盘的取出装置需要将一定的作用力作用于硅片吸盘才能够完成对硅片的吸附，此时硅片的反作用力便需要由静压板提供，而对于利用真空吸附作用的取出装置而言，首先需要静压板的真空吸附通孔产生的吸附作用使硅片被吸附在静压板上，在取出装置也完成对硅片的吸附后，静压板的吸附作用可以解除，之后取出装置可以将硅片取出。
[0004]但是在硅片的研磨过程中，例如硅渣之类的污染物会附...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅片双面研磨装置的静压板，其特征在于，所述静压板包括：板体，所述板体形成有通孔，所述通孔用于使流体在压力的作用下穿过所述板体流动至硅片与所述板体之间，使得所述硅片能够通过流体静压被支承以便进行研磨；嵌入在所述板体中的嵌入件，所述嵌入件贯穿所述板体并且由多孔材料制成，使得所述流体在压力的作用下还穿过所述嵌入件渗流，并且所述嵌入件从所述板体沿着渗流方向凸起，使得当所述硅片压靠所述静压板时仅与所述嵌入件接触。2.根据权利要求1所述的静压板，其特征在于，所述嵌入件凸起的高度为1mm至2mm。3.根据权利要求1所述的静压板，其特征在于，所述嵌入件由软质材料制成。4.根据权利要求1至3中任一项所述的静压板，其特征在于，所述嵌入件由发泡聚氨脂制成。5.根据权利要求1至3中任一项所述的静压板，其特征在于，所述嵌入件呈环状，所述通孔位于所述嵌入件内侧并且还用于通过真空抽吸在所述嵌入件围绕的空间中产生负压，使得所述硅片在所述负压的作用下压靠所述静压板。6.根据权利要求1至3中任一项所述的静压板，其特...
【专利技术属性】
技术研发人员：贺云鹏，王贺，王明，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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