一种双面研磨装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例公开了一种双面研磨装置，所述双面研磨装置包括：对置的一对流体静压垫；对置的一对研磨轮，所述一对研磨轮分别固定在所述一对流体静压垫上；夹持装置，所述夹持装置用于将待研磨件夹持在所述一对研磨轮之间；监测单元，所述监测单元用于实时监测所述待研磨件相对于所述一对研磨轮的位置并且在所述待研磨件相对于所述一对研磨轮的位置超出预定范围时发送监测信号；调整单元，所述调整单元用于基于所述监测信号将所述待研磨件相对于所述一对研磨轮的位置调整到所述预定范围内。预定范围内。预定范围内。

【技术实现步骤摘要】
一种双面研磨装置


[0001]本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种双面研磨装置。

技术介绍

[0002]研磨工艺是指通过使用研磨轮对硅片的表面进行研磨并产生具有高度平整表面的硅片。在研磨期间，研磨轮由保持装置保持，并且还需要对研磨轮和硅片提供研磨水，以减少对硅片的不必要损伤。
[0003]双面研磨作为一种常规研磨技术由于具有高效的研磨效率而被广泛应用于硅片制造领域。双面研磨是指同时对硅片的两个侧面进行研磨并产生具有高度平整表面的硅片的技术。夹持装置通常包括一对流体静压垫和一对研磨轮。一对流体静压垫和一对研磨轮对向设置，以确保两者之间的硅片保持为竖直方向。流体静压垫能够在各个垫和硅片表面之间形成流体屏障，以便在研磨期间保持住硅片，并使得硅片以较小的摩擦相对于静压垫表面在切向上移动(转动)。因此，在双面研磨过程中，令硅片始终位竖直于中央位置，对提高研磨精度非常重要。
[0004]然而，由于研磨过程中飞溅的研磨碎屑会使流体孔道逐渐堵塞，从左右两侧施加在硅片表面的力不平衡，这会引起硅片位置发生偏转。而且，流体供应稳定性直接影响硅片在研磨时的位置状态，无法进行二次修正。另外，由于流体孔道的流量是固定的，无法在整个研磨过程中对硅片的研磨位置进行实时监控和调整，这可能会导致研磨精度恶化，甚至可能使硅片在加工过程中破碎。
[0005]综上所述，如何在双面研磨过程中执行对硅片位置的监控和校准是本领域亟需解决的技术问题。

技术实现思路

[0006]为解决上述技术问题，本技术实施例期望提供一种用于控制硅片研磨装置的变形的系统。
[0007]本技术的技术方案是这样实现的：
[0008]本技术实施例提供了一种双面研磨装置，所述双面研磨装置包括：
[0009]对置的一对流体静压垫；
[0010]对置的一对研磨轮，所述一对研磨轮分别固定在所述一对流体静压垫上；
[0011]夹持装置，所述夹持装置用于将待研磨件夹持在所述一对研磨轮之间；
[0012]监测单元，所述监测单元用于实时监测所述待研磨件相对于所述一对研磨轮的位置并且在所述待研磨件相对于所述一对研磨轮的位置超出预定范围时发送监测信号；
[0013]调整单元，所述调整单元用于基于所述监测信号将所述待研磨件相对于所述一对研磨轮的位置调整到所述预定范围内。
[0014]本技术实施例提供了一种双面研磨装置；所述研磨装置包括用于监测待研磨件相对于一对研磨轮的位置的监测单元和基于监测单元的监测信号调整待研磨件相对于
所述一对研磨轮的位置的调整单元，通过为双面研磨装置设置监测单元和调整单元可以对待研磨件在研磨过程中的实时位置进行监测，并且可以对待研磨件的位置及时调整，由此确保待研磨件始终处于适当的研磨位置，避免了因待研磨件的位置发生偏转导致其研磨精度恶化问题的发生，从而确保了待研磨件的平坦度。
附图说明
[0015]图1为常规的双面研磨装置的示意图；
[0016]图2为本技术实施例提供的双面研磨装置的示意图；
[0017]图3a和图3b为本技术实施例提供的双面研磨装置的局部放大图，其中，图3a示出了双面研磨装置在研磨操作开始之前的状态，图3b示出了双面研磨装置在研磨操作开始之后的状态；
[0018]图4为本技术的另一实施例提供的双面研磨装置的示意图。
具体实施方式
[0019]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]参见图1，其示出了常规的双面研磨装置10的示意图，该双面研磨装置10包括：一对流体静压垫11、分别固定在所述一对流体静压垫11上的一对研磨轮12，待研磨件TD通过夹持装置13被夹持在所述一对研磨轮12之间。然而，在研磨过程中，由于所述一对流体静压垫11的流体供给不均匀等问题可能会引起待研磨件TD的两侧受到的压力不一致，从而导致待研磨件TD发生偏转，如图1所示，虚线部分示出了发生了偏转之后的待研磨件TD。待研磨件TD的偏转造成研磨位置的偏差，研磨后的产品将不具有平坦的表面，甚至有可能在研磨过程被损坏。
[0021]鉴于上述情况，参见图2，本技术实施例提供了一种双面研磨装置20，所述双面研磨装置20包括：
[0022]对置的一对流体静压垫21；
[0023]对置的一对研磨轮22，所述一对研磨轮22分别固定在所述一对流体静压垫21上；
[0024]夹持装置23，所述夹持装置23用于将待研磨件TD夹持在所述一对研磨轮22之间；
[0025]监测单元24，所述监测单元24用于实时监测所述待研磨件TD相对于所述一对研磨轮22的位置并且在所述待研磨件TD相对于所述一对研磨轮22的位置超出预定范围时发送监测信号；
[0026]调整单元25，所述调整单元25用于基于所述监测信号将所述待研磨件TD相对于所述一对研磨轮22的位置调整到所述预定范围内。
[0027]本技术实施例提供了一种双面研磨装置20；所述研磨装置20包括用于监测待研磨件TD相对于一对研磨轮22的位置的监测单元24和基于监测单元24的监测信号调整待研磨件TD相对于所述一对研磨轮22的位置的调整单元25，通过为双面研磨装置20设置监测
单元24和调整单元25可以对待研磨件TD在研磨过程中的实时位置进行监测，并且可以对待研磨件TD的位置及时调整，由此确保待研磨件TD始终处于适当的研磨位置，避免了因待研磨件TD的位置发生偏转导致其研磨精度恶化问题的发生，从而确保了待研磨件的平坦度。
[0028]对于监测单元的具体实施而言，优选地，参见图3a和图3b，所述监测单元24包括用于感测所述待研磨件TD的表面上的压力的压力传感器241，当所述压力超过预定阈值时，所述监测单元24确定所述待研磨件TD相对于所述一对研磨轮22的位置超出所述预定范围。
[0029]在开始执行研磨操作之前，如图3a所示，压力传感器241与待研磨件TD相距一定距离；当开始执行研磨操作时，如图3b所示，压力传感器241移动成与待研磨件TD的表面相接触，如果待研磨件TD的位置发生偏转，压力传感器241感测到的压力将发生变化，一旦压力超过了预定阈值，那么监测单元24则确定待研磨件TD已经发生了偏转，其中，该预定阈值可以由生产商根据产品规格、质量标准等因素设定。
[0030]根据本技术的优选实施例，参见图4，所述监测单元24包括两个所述压力传感器241，两个所述压力传感器241设置成分别感测所述待研磨件TD的两个表面上的压力，当两个所述压力传感器241感测到的压力的差超出预定范围时，所述监测单元24确定所述待研磨本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面研磨装置，其特征在于，所述双面研磨装置包括：对置的一对流体静压垫；对置的一对研磨轮，所述一对研磨轮分别固定在所述一对流体静压垫上；夹持装置，所述夹持装置用于将待研磨件夹持在所述一对研磨轮之间；监测单元，所述监测单元用于实时监测所述待研磨件相对于所述一对研磨轮的位置并且在所述待研磨件相对于所述一对研磨轮的位置超出预定范围时发送监测信号；调整单元，所述调整单元用于基于所述监测信号将所述待研磨件相对于所述一对研磨轮的位置调整到所述预定范围内。2.根据权利要求1所述的双面研磨装置，其特征在于，所述监测单元包括用于感测所述待研磨件的表面上的压力的压力传感器，当所述压力超过预定阈值时，所述监测单元确定所述待研磨件相对于所述一对研磨轮的位置超出所述预定范围。3.根据权利要求2所述的双面研磨装置，其特征在于，所述监测单元包括两个所述压力传感器，两个所述压力传感器设置成分别感测所述待研磨件的两个表面上的压力，当两个所述压力传感器感测到的压力的差超出预定...

【专利技术属性】
技术研发人员：贺云鹏，王贺，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：