存储器的错误校正制造技术

本申请公开了存储器的错误校正。该存储器包括：数据接收电路，其适于在写入操作期间接收数据；数据轮转电路，其适于：所述写入操作期间，响应于地址而改变从所述数据接收电路传送的数据的顺序，以及输出其顺序改变的数据；错误校正码发生电路，其适于在写入操作期间基于从所述数据轮转电路输出的数据来产生错误校正码；以及存储器核，其适于在写入操作期间储存由所述数据接收电路接收的数据和错误校正码。码。码。

Error correction of memory

【技术实现步骤摘要】
存储器的错误校正
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年1月14日提交的申请号为10
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2021
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0005143的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。


[0003]本专利技术的各个实施例涉及存储器，并且更具体地涉及存储器的错误校正。

技术介绍

[0004]在半导体存储器件行业的早期阶段，晶圆上有许多最初良好的裸片，这意味着通过半导体制造工艺生产的存储器没有带缺陷的存储单元。然而，随着存储器容量的增加，制造没有任何缺陷存储单元的存储器变得困难，并且现在可以说基本上不可能制造出没有任何缺陷存储单元的存储器。为了解决这个问题，一种利用存储器中的冗余存储单元替代缺陷存储单元的修复方法在被使用。
[0005]相关技术的另一种方法是使用用于校正存储器中的错误的错误校正电路(ECC电路)以便校正存储单元中出现的错误。

技术实现思路

[0006]本专利技术的实施例针对一种减少存储器中的错误校正的错误的方法。
[0007]根据本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器，包括：数据接收电路，其适于在写入操作期间接收数据；数据轮转电路，其适于：在所述写入操作期间，响应于地址而改变从所述数据接收电路传送的数据的顺序，以及输出具有改变的顺序的数据；错误校正码发生电路，其适于在写入操作期间基于从所述数据轮转电路输出的数据来产生错误校正码；以及存储器核，其适于在写入操作期间储存：a)由所述数据接收电路接收的数据和b)基于从所述数据轮转电路输出的数据的错误校正码。2.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述数据轮转电路在读取操作期间响应于所述地址而改变从所述存储器核读取的数据的顺序，并且输出具有改变的顺序的数据，其中，所述存储器还包括：错误校正电路，其适于在所述读取操作期间基于从所述数据轮转电路输出的数据和从所述存储器核读取的错误校正码来校正从所述存储器核读取的数据的错误。3.根据权利要求2所述的存储器，还包括：数据传送电路，其适于输出被所述错误校正电路校正的错误已校正数据。4.根据权利要求2所述的存储器，其中所述地址是行地址的部分比特位。5.根据权利要求4所述的存储器，其中，所述数据轮转电路：根据所述行地址的部分比特位的电平来对输入到所述数据轮转电路的数据的顺序进行移位并输出经移位的数据，或将输入到所述数据轮转电路的数据没有任何移位地输出。6.根据权利要求4所述的存储器，其中，所述错误校正电路能够：a)校正从所述存储器核读取的数据中出现的1比特位错误，以及b)在从所述存储器核读取的数据中出现2个连续的比特位的错误的情况之中，校正一些情况中的错误，以及误校正其他情况中的错误。7.根据权利要求4所述的存储器，其中，所述错误校正电路能够：a)校正从所述存储器核读取的数据中出现的1比特位错误，以及b)在从所述存储器核读取的数据中出现2个连续的比特位的错误的情况之中，不误校正一些情况中的错误，以及误校正其他情况中的错误。8.一种存储器，包括：存储器核；以及ECC块，其适于：在写入操作期间，基于要写入到所述存储器核的数据来产生要写入到所述存储器核的错误校正码；以及在读取操作期间，基于...

【专利技术属性】
技术研发人员：都殷协，姜峦根，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：