【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种新型无短路损耗的CMOS缓冲器驱动电路，尤其是一种应用于小功率和 高开关频率的开关变换器中功率半导体开关器件的高效驱动方法。
技术介绍
因为功率半导体器件驱动方法越来越对整个电力电子电路系统转换效率和工作可靠性有 重要影响，功率开关变换器设计越来越关注功率半导体器件驱动方法.在高开关频率和小的功 率应用场合，功率半导体器件驱动方法就更加表现出它的重要性，尤其是效率.因此研究新的 功率半导体器件驱动方法是很必要和重要的.由于芯片集成电路开关变换器的开关频率非常高，驱动电路的短路损耗占据整体损耗越 来越大的比例，消除或优化缓冲器电路短路损耗的研究已经在国内外研究人员中开展，图l就 是目前现有电路和方法中一个典型具有代表意义的驱动方法.但是该电路只消除最后一级缓 冲器电路的短路损耗，驱动效率不高，同时结构由多级组成，较为复杂.
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有电路和方法的不足之处而提出一种级数较少和所有各级缓冲 电路消除短路损耗新型功率半导体器件驱动方法，在小功率和高频开关变换器电路,尤其是芯 片集成电路开关变换器实现具有可靠、高效率功率半导...
【技术保护点】
一种无短路损耗的ＣＭＯＳ缓冲器驱动电路，包括开关变换器功率半导体开关器件和控制逻辑电路，其特征在于：所述的ＣＭＯＳ缓冲器由两个或以上Ｎ型ＭＯＳ管和Ｐ型ＭＯＳ管互补控制构成本级缓冲器，驱动电路由三级、５个ＣＭＯＳ缓冲器组成，第一ＣＭＯＳ缓冲器ＩＮＶ１由两个Ｎ型ＭＯＳ管和一个Ｐ型ＭＯＳ管组成，其串联顺序为Ｐ型ＭＯＳ管的漏极与驱动供电电源ＶＤＤ连接，Ｐ型ＭＯＳ管的源极与第一Ｎ型ＭＯＳ管漏极连接，第一Ｎ型ＭＯＳ管源极与第二Ｎ型ＭＯＳ管漏极连接，第二Ｎ型ＭＯＳ管源极与信号地连接；第二ＣＭＯＳ缓冲器ＩＮＶ２由两个Ｐ型ＭＯＳ管和一个Ｎ型ＭＯＳ管组成，其串联顺序为Ｐ型ＭＯＳ管的漏极与驱动供...
【技术特征摘要】
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