一种可实现过大电流的改良型MOS管结构制造技术

本申请涉及一种可实现过大电流的改良型MOS管结构，属于MOS管的技术领域，包括封装外壳、设置于封装外壳内的芯片以及插接到封装外壳内且与芯片连接的引脚，还包括散热装置，散热装置包括散热板以及用于将散热板安装在封装外壳的外部的连接组件，散热板上设置有散热管，散热管的一端与芯片连接，本申请为了能够在无需额外铺设厚铜工艺或者加铜条工艺的条件下保证大电流安全通过，提高MOS管的使用寿命，提供了一种可实现过大电流的改良型MOS管结构。结构。结构。

【技术实现步骤摘要】
一种可实现过大电流的改良型MOS管结构


[0001]本申请涉及MOS管的领域，尤其是涉及一种可实现过大电流的改良型MOS管结构。

技术介绍

[0002]MOS管是MOSFET的缩写。MOSFET金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor,MOSFET）。一般是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。
[0003]它是通过把输入电压的变化转化为输出电流的变化，FET的增益等于它的跨导，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比，市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压MOS管。
[0004]MOS管主要是为配件提供稳定的电压，MOS管在使用过程中，需要承受得通过的电流很大，如此巨大的电流通过时产生的热量自然会使MOS管产生巨大的热量，传统的MOS管为了可以实现大电流的通过需要在引脚输出端铺设厚铜工艺或者加铜条工艺，以增加MOS管的散热性能，使其适应大电流的通过，但这类工艺生产复杂且容易形成锡珠、锡渣。

技术实现思路

[0005]为了能够在无需额外铺设厚铜工艺或者加铜条工艺的条件下保证大电流安全通过，提高MOS管的使用寿命，本申请提供一种可实现过大电流的改良型MOS管结构。
[0006]本申请提供的一种可实现过大电流的改良型MOS管结构，采用如下的技术方案：
[0007]一种可实现过大电流的改良型MOS管结构，包括封装外壳、设置于所述封装外壳内的芯片以及插接到所述封装外壳内且与所述芯片连接的引脚，其特征在于，还包括散热装置，所述散热装置包括散热板以及用于将所述散热板安装在所述封装外壳的外部的连接组件，所述散热板上设置有散热管，所述散热管的一端与所述芯片连接。
[0008]通过采用上述技术方案，设置与芯片相连接的散热管，利用散热管将芯片工作时产生的热量传导到位于封装外壳外部安装的散热板上进行散热，增加MOS管的散热性能，提高了芯片的散热效率，降低芯片工作时的温度，从而能够在无需额外铺设厚铜工艺或者加铜条工艺的条件下保证大电流安全通过，提高MOS管的使用寿命。
[0009]优选的，所述连接组件包括连接杆，所述连接杆的一端与所述散热板的一侧连接，所述封装外壳上开设有安装孔，所述连接杆的另一端插接到所述安装孔内，所述封装外壳上还设置有用于将所述连接杆固定在所述安装孔内的固定件。
[0010]通过采用上述技术方案，在封装外壳上设置安装孔与连接杆进行相互配合，再利用固定件实现散热板与封装外壳的可拆卸式安装，从而使散热板出现损坏时能够直接更换，同时方便拆卸进行维护保养，进一步降低成本。
[0011]优选的，所述固定件包括卡接脚，所述卡接脚以所述连接杆轴线对称设置有两个，所述卡接脚铰接于所述封装外壳，所述卡接脚的一端设置有卡接块，所述连接杆上开设有
适配于所述卡接块的卡接槽，所述固定件还包括滑动套设于所述连接杆上的转动螺母，当所述卡接块卡接于所述卡接槽时，所述卡接脚紧贴于所述连接杆的表面，所述转动螺母可螺纹连接在所述卡接脚的表面上。
[0012]通过采用上述技术方案，当连接柱卡接到安装孔时，可转动铰接在封装外壳表面上的卡接脚，将卡接脚上的卡接块嵌入卡接槽内，随后将套设在连接杆上的转动螺母螺纹转动连接在卡接脚上，从而实现连接杆与安装孔的的快速安装，提高安装效率。
[0013]优选的，所述安装孔的内侧壁开设有连通所述封装外壳表面的限位槽，所述限位槽错开所述卡接脚设置，所述连接杆上设置有卡接于所述限位槽的限位条，所述限位条沿所述连接杆轴向方向设置。
[0014]通过采用上述技术方案，利用限位槽与限位条的相互配合，为连接杆提供一个安装方向的作用，确保安装时卡接块能够对准卡接槽，提高安装的准确性，同时能够进一步限定连接杆在安装孔内的位置，减少连接杆发生转动的情况，使散热板能够保持稳定，使散热管能够与散热板保持接触，从而保持散热装置的工作状态的稳定性，提高散热效果，增加MOS管的使用寿命。
[0015]优选的，所述封装外壳表面开设有连通所述芯片的散热孔，所述散热孔错开所述散热装置设置。
[0016]通过采用上述技术方案，设置散热孔的作用在于进一步提高芯片向外传导热量的效率，从而进一步提高了MOS管的散热效率。
[0017]优选的，所述散热板远离所述封装外壳的一侧排列设置有散热鳍片。
[0018]通过采用上述技术方案，设置散热鳍片吸收散热板的热量，增加散热板与空气的接触面积，加快散热，同时排列设置的散热鳍片是利用对流的形式将热量散发掉，进一步加快散热效率，从而进一步降低芯片工作时的温度，提高MOS管的散热效率。
[0019]优选的，所述芯片与所述散热管连接的一侧设置有导热块，当所述散热装置安装在所述封装外壳的外部表面时，所述导热块连接于所述散热管的一端。
[0020]通过采用上述技术方案，在芯片和散热管的连接处设置导热块的作用在于提高芯片与散热管之间的热传导的效率，从而进一步提高了MOS管的散热效率。
[0021]优选的，所述封装外壳远离所述引脚的一侧设置有用于连接电路板的漏极铁头，所述漏极铁头与所述芯片连接。
[0022]通过采用上述技术方案，利用具有横切面积较大的漏极铁头作为MOS管中的漏极直接连接电路板，将MOS管的漏极铁头作为过大电流的导体使用，使漏极铁头能够满足过大电流的要求，同时又能够减短大电流的通路长度，减小发热，从而能够在无需额外铺设厚铜工艺或者加铜条工艺的条件下保证大电流安全通过，提高MOS管的使用寿命。
[0023]综上所述，本申请包括以下至少一种有益技术效果：
[0024]通过设置与芯片相连接的散热管，利用散热管将芯片工作时产生的热量传导到位于封装外壳外部安装的散热板上进行散热，增加MOS管的散热性能，提高了芯片的散热效率，降低芯片工作时的温度，从而能够在无需额外铺设厚铜工艺或者加铜条工艺的条件下保证大电流安全通过，提高MOS管的使用寿命；
[0025]通过设置散热鳍片吸收散热板的热量，增加散热板与空气的接触面积，加快散热，同时排列设置的散热鳍片是利用对流的形式将热量散发掉，进一步加快散热效率，从而进
一步降低芯片工作时的温度，提高MOS管的散热效率；
[0026]通过利用具有横切面积较大的漏极铁头作为MOS管中的漏极直接连接电路板，将MOS管的漏极铁头作为过大电流的导体使用，使漏极铁头能够满足过大电流的要求，同时又能够减短大电流的通路长度，减小发热，从而能够在无需额外铺设厚铜工艺或者加铜条工艺的条件下保证大电流安全通过，提高MOS管的使用寿命。
附图说明
[0027]图1是本申请实施例中的整体结构示意图。
[0028]图2是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可实现过大电流的改良型MOS管结构，包括封装外壳（1）、设置于所述封装外壳（1）内的芯片（2）以及插接到所述封装外壳（1）内且与所述芯片（2）连接的引脚（3），其特征在于，还包括散热装置（4），所述散热装置（4）包括散热板（41）以及用于将所述散热板（41）安装在所述封装外壳（1）的外部的连接组件（42），所述散热板（41）上设置有散热管（411），所述散热管（411）的一端与所述芯片（2）连接。2.根据权利要求1所述的一种可实现过大电流的改良型MOS管结构，其特征在于，所述连接组件（42）包括连接杆（421），所述连接杆（421）的一端与所述散热板（41）的一侧连接，所述封装外壳（1）上开设有安装孔（11），所述连接杆（421）的另一端插接到所述安装孔（11）内，所述封装外壳（1）上还设置有用于将所述连接杆（421）固定在所述安装孔（11）内的固定件（422）。3.根据权利要求2所述的一种可实现过大电流的改良型MOS管结构，其特征在于，所述固定件（422）包括卡接脚（4221），所述卡接脚（4221）以所述连接杆（421）轴线对称设置有两个，所述卡接脚（4221）铰接于所述封装外壳（1），所述卡接脚（4221）的一端设置有卡接块（4222），所述连接杆（421）上开设有适配于所述卡接块（4222）的卡接槽（4211），所述固定件（422）还包括滑动套设于所述连接杆（421）上的转动螺母（4223），当所述卡接块（4222）卡接于所述卡接槽（42...

【专利技术属性】
技术研发人员：江子标，刘贺，
申请(专利权)人：江苏铨力半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：