连接散热片和芯片的方法和芯片结构技术

本申请实施例公开了一种连接散热片和芯片的方法和芯片结构，属于芯片散热技术领域。所述方法包括：在散热片的第一表面形成第一金属层；在芯片的第二表面形成第二金属层；在所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一层上涂覆纳米金属颗粒粘接材料，形成纳米金属颗粒粘接材料层；将所述散热片和所述芯片相对重叠，使得所述纳米金属颗粒粘接材料层夹设于所述第一金属层和所述第二金属层之间；对重叠在一起的所述散热片和所述芯片加温加压，使得所述纳米金属颗粒粘接材料烧结，以将所述散热片和所述芯片连接在一起，增加连接的可靠性，提高产品良率。高产品良率。高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
连接散热片和芯片的方法和芯片结构


[0001]本申请涉及芯片散热
，特别涉及一种连接散热片和芯片的方法和芯片结构。

技术介绍

[0002]对于有较高散热需求的芯片，通常会在芯片上连接散热片，通过散热片对芯片进行快速散热并且减小芯片的片上温差，提高芯片的可靠性。
[0003]相关技术中，芯片与散热片之间采用键合工艺连接。芯片与散热片的连接过程如下：首先，在散热片的第一表面形成第一金属层，并且在芯片的第二表面形成第二金属层；然后利用金属原子扩散的原理，将第一金属层和第二金属层键合连接，从而将散热片和芯片连接在一起。采用该连接方式连接芯片和散热片所得到的产品良率较低。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种连接散热片和芯片的方法和芯片结构，能够对散热片和芯片进行可靠连接，提高产品的良率，所述技术方案如下：
[0005]一方面，提供了一种连接散热片和芯片的方法，该方法包括：在散热片的第一表面形成第一金属层；在芯片的第二表面形成第二金属层；在所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一层上涂覆纳米金属颗粒粘接材料，形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种连接散热片和芯片的方法，其特征在于，所述方法包括：在散热片的第一表面形成第一金属层；在芯片的第二表面形成第二金属层；在所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一层上涂覆纳米金属颗粒粘接材料，形成纳米金属颗粒粘接材料层；将所述散热片和所述芯片相对重叠，使得所述纳米金属颗粒粘接材料层夹设于所述第一金属层和所述第二金属层之间；对重叠在一起的所述散热片和所述芯片加温加压，使得所述纳米金属颗粒粘接材料烧结，以将所述散热片和所述芯片连接在一起。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对重叠在一起的所述散热片和所述芯片加温加压，包括：在第一温度下采用第一压力对重叠在一起的所述散热片和所述芯片加压，保持第一时长；在第二温度下采用第二压力对重叠在一起的所述散热片和所述芯片加压，保持第二时长；其中，所述第一温度不低于20℃，所述第一温度低于所述第二温度，所述第二温度不高于260℃，所述第一压力大于或者等于1个标准大气压，所述第一压力小于所述第二压力，所述第二压力不超过20MPa，所述第一时长小于或等于所述第二时长。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一温度的取值范围为40℃～100℃，所述第一压力的取值范围为0.3MPa～1MPa，所述第一时长为15分钟～60分钟；所述第二温度的取值范围为180℃～260℃，所述第二压力的取值范围为1MPa～20MPa，所述第二时长为60分钟～120分钟。4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，在所述将所述散热片和所述芯片相对重叠之前，所述方法还包括：对所述纳米金属颗粒粘接材料层进行预烘干。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预烘干的温度为120℃～180℃，所述预烘干的时长为15分钟～30分钟。6.根据权利要求1至5任一项所述的方法，其特征在于，所述散热片为金刚石散热片，所述第一表面的粗糙度为10nm～200nm。7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏潇赟，代兵，赵柯臣，邓抄军，杨勇，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学，
类型：发明
国别省市：