【技术实现步骤摘要】
一种三维芯片散热结构
[0001]本专利技术属于三维芯片结构领域,尤其涉及一种三维芯片散热结构。
技术介绍
[0002]芯片的散热问题一直是芯片制造的重点之一,一般采用液冷解决芯片的散热问题,液冷方法中会有提供给液体流动的冷却通道,但冷却通道的设计较为复杂,其需要考虑所冷却芯片的内部热量分布,同时考虑通道自身的材料、设计工艺等限制要求,还要结合液体自身的密度和流动性等属性,诸多因素结合在一起才能进行正确的通道布置。
[0003]三维芯片是将不同电路单元制作在多个平面晶片上,并通过硅通孔层间垂直互连技术将多个平面晶片在垂直方向进行堆叠互连而形成的一种全新的芯片结构,具有集成度高、功耗低、带宽高、面积小、互连线短、支持异构集成等特点。三维芯片的出现为半导体行业的发展带来了新的生机与活力但是也带来了很多的问题,其中比较重要的就是芯片散热的问题,现有技术也是在三维芯片中设计冷却通道进行散热,但是冷却通道结构的设计依赖二维通道研究经验,缺少三维芯片冷却通道结构的优化设计,由于三维芯片是功能元件层层堆叠而成,所以可以在层与层之间 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种三维芯片散热结构,包括三维芯片,三维芯片的每两个平面晶片中都设有一个硅化层,其特征在于,每个硅化层的左端都设置为入口区域连接外部水泵,右端设置为出口区域连接散热装置,硅化层的中间部分为散热区域,散热区域中设有若干小椭圆翅片和若干大椭圆翅片。2.根据权利要求1所述的一种三维芯片散热结构,其特征在于,硅化层中的入口区域、散热区域和出口区域是连通的供液体流通的冷却通道。3.根据权利要求1所述的一种三维芯片散热结构,其特征在于,硅化层靠近入口区域的下方位置设有一个入水口,入水口连接外部水泵,入水口的上方和下方分别布置第一椭圆翅片和第二椭圆翅片。4.根据权利要求1所述的一种三...
【专利技术属性】
技术研发人员:禄盛,焦正楷,赵曦,朴昌浩,周天宇,赵洋,
申请(专利权)人:重庆邮电大学,
类型:发明
国别省市:
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