温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及一种可实现过大电流的改良型MOS管结构，属于MOS管的技术领域，包括封装外壳、设置于封装外壳内的芯片以及插接到封装外壳内且与芯片连接的引脚，还包括散热装置，散热装置包括散热板以及用于将散热板安装在封装外壳的外部的连接组件，散热板上...
该专利属于江苏铨力半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏铨力半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。