大功率多赫蒂放大器制造技术

具有至少一个输入端子和至少一个输出端子的大功率多赫蒂放大器电路包括：组成主放大级的至少一个载波晶体管（３０）；组成峰值放大级的至少一个峰值晶体管（３２）；将输入端子（２８）连接到载波晶体管（３０）的输入（２９）的第一输入线路（２７）；将输入端子（２８）连接到峰值晶体管（３２）的输入（６３）的第二输入线路（３１）；将输出端子（５６）连接到载波晶体管（３０）的输出（４９）的第一输出线路（３３）；以及将输出端子（５６）连接到峰值晶体管（３２）的输出（７５）的第二输出线路（３５）。大功率多赫蒂放大器电路组件包括：支持多赫蒂放大器电路的电路元件的支持结构（１０４）；至少一个输入端子（１０２）和至少一个输出端子（９６），在支持结构（１０４）上支持上述端子；组成主放大级的至少一个载波晶体管（９２）和组成峰值放大级的至少一个峰值晶体管（９８），在支持结构（１０４）上支持上述晶体管；将输入端子（１０２）连接到载波晶体管（９２）的输入的第一输入网络（１０６）；将输入端子（１０２）连接到峰值晶体管（９８）的输入的第二输入网络（１００、１１４、１１６）；将输出端子（９６）连接到载波晶体管（９２）的输出的第一输出网络（９４、１０８、１１０）；以及将输出端子（９６）连接到峰值晶体管（９８）的输出的第二输出网络（１１２），其中输入网络和输出网络是仿真传输线路，该模拟输出线路包括至少一个电容和／或至少一个电感的串联电路和／或并联电路。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及大功率多赫蒂放大器(Doherty amplifier)，特别涉及大功率多赫蒂放大器电路和大功率多赫蒂放大器电路组件(package)。很早就已经知道所谓的多赫蒂型放大器并首先在电子管放大器中实现。这样的多赫蒂放大器具有主放大级、峰值放大级以及位于多赫蒂放大器的不同部分之间的(1/4波长)传输线路。人们所熟知的多赫蒂放大技术需要工作在两种不同的模式中的至少两个有源(active)放大设备(一般对于载波放大器而言是A或AB类，对于峰值放大器而言是B或C类)，及提供阻抗变换和所需相移的变换结构。众所周知，对于多赫蒂放大器而言，与设备输出阻抗相比，变换和相移结构提供了特性阻抗。在半导体功率设备以及功率电平＞5…10W的情况下，该所需阻抗在0.5…3欧姆(Ohm)的范围内。在2001年12月的《微波杂志》的“使用新的负载匹配技术的微波多赫蒂放大器线性度和效率最优化设计”一文(作者是YoungooYang等)中描述了微带线路技术的设计示例和结果，该文章公开了具有低功率电平和高功率电平下载波和峰值放大器的满载匹配电路的多赫蒂放大器，并且这是第一次阐明该文章。在该电路设计中，将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有至少一个输入端子和至少一个输出端子的大功率多赫蒂放大器电路，其包括：至少一个载波晶体管，其组成主放大级；至少一个峰值晶体管，其组成峰值放大级；第一输入线路，其将所述输入端子连接到所述载波晶体管的输入； 第二输入线路，其将所述输入端子连接到所述峰值晶体管的输入；第一输出线路，其将所述输出端子连接到所述载波晶体管的输出；第二输出线路，其将所述输出端子连接到所述峰值晶体管的输出。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：II布勒德诺，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]