提前查看相邻以进行数据恢复制造技术

本发明专利技术题为“提前查看相邻以进行数据恢复”。公开了一种存储设备。该存储设备被配置为：确定第一相邻字线的第一组存储器单元和第二相邻字线的第二组存储器单元的数据状态，该第一相邻字线和该第二相邻字线与选定字线相邻；针对该数据状态的每个数据状态组合识别多个区中的一个区，每个数据状态组合包括该第一组存储器单元的存储器单元的数据状态和该第二组存储器单元的存储器单元的数据状态，多个区中的每个区对应于数据保留补偿方案；以及对选定字线执行读取操作，包括应用对应于所识别的任何区的每个数据保留补偿方案。的任何区的每个数据保留补偿方案。的任何区的每个数据保留补偿方案。

【技术实现步骤摘要】
提前查看相邻以进行数据恢复


[0001]本申请涉及非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作。

技术介绍

[0002]本节段提供与本公开相关联的技术相关的背景信息，并且由此不一定为现有技术。
[0003]半导体存储器装置已经变得越来越普遍用于各种电子设备。例如，非易失性半导体存储器用于蜂窝电话、数字相机、个人数字助理、移动计算设备、非移动计算设备以及其他设备。
[0004]电荷存储材料(诸如浮栅)或电荷俘获材料可用于此类存储器装置中以存储表示数据状态的电荷。电荷俘获材料可以被垂直布置在三维(3D)堆叠的存储器结构中，或者被水平布置在二维(2D)存储器结构中。3D存储器结构的一个示例是位成本可扩展(BiCS)体系结构，该体系结构包括交替的导电层和介电层的堆叠。

技术实现思路

[0005]本节段提供了本公开的一般概述，并且不是其全部范围或其所有特征和优点的全面公开。
[0006]本公开的目的是提供解决和克服本文所述的缺点的存储器装置和操作该存储器装置的方法。
[0007]因此，本公开的一个方面是提供一种存储设备。所述存储设备包括：非易失性存储器，所述非易失性存储器包括控制电路和使用一组字线和一组位线形成的存储器单元阵列；以及控制器，所述控制器耦接到所述非易失性存储器。所述控制器被配置为：确定所述一组字线中的第一相邻字线的第一组存储器单元和所述一组字线中的第二相邻字线的第二组存储器单元的数据状态，所述数据状态中的每个数据状态是所述第一组存储器单元和所述第二组存储器单元被配置为存储的多个数据状态中的任一个数据状态，所述第一相邻字线和所述第二相邻字线与所述一组字线中的选定字线相邻；针对所述数据状态的每个数据状态组合识别多个区中的一个区，每个数据状态组合包括所述第一组存储器单元中的存储器单元的数据状态和所述第二组存储器单元中的存储器单元的数据状态，所述第一组存储器单元中的所述存储器单元和所述第二组存储器单元中的所述存储器单元与所述选定字线的第三组存储器单元中的存储器单元相邻，并且其中所述多个区中的每个区对应于数据保留补偿方案；并且对所述选定字线执行读取操作，包括应用对应于针对所述选定字线的所述第三组存储器单元识别的所述多个区中的任何区的每个数据保留补偿方案。
[0008]根据本文提供的描述，另外的适用领域将变得显而易见。本
技术实现思路
中的描述和具体示例仅旨在用于例证的目的，并非旨在限制本专利技术的范围。
附图说明
[0009]对于示例性实施方案的详细描述，现在将参考附图，其中：
[0010]图1A是示例性存储器设备的框图；
[0011]图1B是包括编程电路、计数电路和确定电路的示例性控制电路的框图；
[0012]图2描绘了图1的存储器阵列的示例性二维配置中的存储器单元的块；
[0013]图3A描绘了NAND串中的示例性浮栅存储器单元的剖视图；
[0014]图3B描绘了沿线329截取的图3A的结构的剖视图；
[0015]图4A描绘了NAND串中的示例性电荷俘获存储器单元的剖视图；
[0016]图4B描绘了沿线429截取的图4A的结构的剖视图；
[0017]图5A描绘了图1的感测块SB1的示例性框图；
[0018]图5B描绘了图1的感测块SB1的另一个示例性框图；
[0019]图6A是图1的存储器阵列的示例性三维配置中的一组块的透视图；
[0020]图6B描绘了图6A的块中的一个块的一部分的示例性剖视图；
[0021]图6C描绘了图6B的堆叠中的存储器孔直径的图；
[0022]图6D描绘了图6B的堆叠的区域622的近距离视图；
[0023]图7A描绘了图6B的堆叠的示例性字线层WLL0的顶视图；
[0024]图7B描绘了图6B的堆叠的示例性顶部介电层DL19的顶视图；
[0025]图8A描绘了图7A的子块SBa至SBd中的示例性NAND串；
[0026]图8B描绘了子块中的NAND串的另一个示例性视图；
[0027]图8C描绘了堆叠的示例性字线层的顶视图；
[0028]图9描绘了在具有四种数据状态的示例性一遍编程操作中存储器单元的Vth分布；
[0029]图10描绘了在具有八种数据状态的示例性一遍编程操作中存储器单元的Vth分布；
[0030]图11描绘了在具有八种数据状态的示例性一遍编程操作中存储器单元的Vth分布；
[0031]图12A和图12B提供了针对一位和两位读取识别的区的示例性表示；
[0032]图13A和图13B示出了总体Vth分布和在总体Vth分布内识别的四个区的示例性图形表示；
[0033]图14是用于执行提前查看相邻预读取的方法的流程图；
[0034]图15至图18提供了区映射到数据状态组合的示例性表；以及
[0035]图19至图21提供了提前查看相邻的另一个示例性具体实施波形。
具体实施方式
[0036]在以下描述中，阐述了细节以提供对本公开的理解。在一些情况下，尚未详细描述或示出某些电路、结构和技术，以免模糊本公开。
[0037]一般来讲，本公开涉及非常适用于许多应用的类型的非易失性存储器装置。将结合一个或多个示例实施方案来描述本公开的非易失性存储器装置和相关联的形成方法。然而，所公开的具体示例实施方案仅仅是为了清楚地描述本专利技术的概念、特征、优点和目的，以允许本领域的技术人员理解和实践本公开。具体地，提供了示例实施方案，使得本公开将
为全面的，并且将向本领域的技术人员完全传达该范围。阐述了许多具体细节，诸如具体部件、设备和方法的示例，以提供对本公开的实施方案的透彻理解。对于本领域的技术人员将显而易见的是，不需要采用具体细节，示例实施方案可以多种不同形式体现，并且均不应理解为限制本公开的范围。在一些示例实施方案中，没有详细描述众所周知的过程、众所周知的设备结构和众所周知的技术。
[0038]各种术语用于指代特定的系统部件。不同的公司可能以不同的名称引用组件—本文档不打算区分名称不同但功能相同的部件。在以下讨论和权利要求书中，术语“包括(including)”和“包括(comprising)”以开放式的方式使用，因此应理解为是指“包括但不限于...”。此外，术语“耦接(couple)”或“耦接(couples)”旨在表示间接连接或直接连接。因此，如果第一设备耦接至第二设备，则该连接可通过直接连接或通过经由其他设备和连接的间接连接来进行。
[0039]另外，当层或元件被称为“在”另一个层或基板上时，可直接在基板的另一个层上，或者还可以存在居间层。另外，应当理解，当层被称为在另一个层“下方”时，可位于另一个层的正下方，并且还可以存在一个或多个居间层。此外，当层被称为“介于”两个层之间时，可为两个层之间的唯一层，或者还可以存在一个或多个居间层。
[0040]存储器设备的一组存储器单元的编程操作通常涉及在以擦除状态提供存储器单元本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储设备，所述存储设备包括：非易失性存储器，所述非易失性存储器包括控制电路和使用一组字线和一组位线形成的存储器单元阵列；以及控制器，所述控制器耦接到所述非易失性存储器，所述控制器被配置为：确定所述一组字线中的第一字线的第一组存储器单元和所述一组字线中的第二字线的第二组存储器单元的数据状态，所述数据状态中的每个数据状态是所述第一组存储器单元和所述第二组存储器单元被配置为存储的多个数据状态中的任一个数据状态，所述第一字线和所述第二字线与所述一组字线中的选定字线相邻；针对所述数据状态的每个数据状态组合识别多个区中的一个区，每个数据状态组合包括所述第一组存储器单元中的存储器单元的数据状态和所述第二组存储器单元中的存储器单元的数据状态，所述第一组存储器单元中的所述存储器单元和所述第二组存储器单元中的所述存储器单元与所述选定字线的第三组存储器单元中的存储器单元相邻，并且其中所述多个区中的每个区对应于数据保留补偿方案；以及对所述选定字线执行读取操作，包括应用对应于针对所述选定字线的所述第三组存储器单元识别的所述多个区中的任何区的每个数据保留补偿方案。2.根据权利要求1所述的存储设备，其中确定所述第一字线的所述第一组存储器单元和所述第二字线的所述第二组存储器单元的数据状态包括在基本上相似的时间对所述第一字线和所述第二字线执行读取操作。3.根据权利要求1所述的存储设备，其中确定所述第一字线的所述第一组存储器单元和所述第二字线的所述第二组存储器单元的数据状态包括对所述第一字线和所述第二字线顺序地执行读取操作。4.根据权利要求1所述的存储设备，其中应用每个数据保留补偿方案包括：针对所述多个区中的第一区在所述第一字线处施加第一读取通过电压值；以及针对所述多个区中的第二区在所述第一字线处施加第二读取通过电压值，其中所述第一读取通过电压值不同于所述第二读取通过电压值。5.根据权利要求1所述的存储设备，其中应用每个数据保留补偿方案包括针对所述多个区中的每个区在所述选定字线处应用不同的读取电压值，所述每个区是针对所述选定字线的所述第三组存储器单元所识别的。6.根据权利要求1所述的存储设备，其中所述多个区中的第一区的每个数据状态组合包括来自第一组数据状态的所述第一组存储器单元中的存储器单元的数据状态和来自第二组数据状态的所述第二组存储器单元中的存储器单元的数据状态，其中所述第一组数据状态包括与所述第二组数据状态相同的数据状态。7.根据权利要求6所述的存储设备，其中所述多个区中的第二区的每个数据状态组合包括来自第三组数据状态的所述第一组存储器单元中的存储器单元的数据状态和来自第四组数据状态的所述第二组存储器单元中的存储器单元的数据状态，其中所述第三组数据状态包括所述第四组数据状态中未包括的至少一个数据状态。8.一种操作包括多个存储器单元的存储器装置的方法，所述方法包括以下步骤：确定所述一组字线中的第一字线的第一组存储器单元和所述一组字线中的第二字线的第二组存储器单元的数据状态，所述数据状态中的每个数据状态是所述第一组存储器单
元和所述第二组存储器单元被配置为存储的多个数据状态中的任一个数据状态，所述第一字线和所述第二字线与所述一组字线中的选定字线相邻；针对所述数据状态的每个数据状态组合识别多个区中的一个区，每个数据状态组合包括所述第一组存储器单元中的存储器单元的数据状态和所述第二组存储器单元中的存储器单元的数据状态，所述第一组存储器单元中的所述存储器单元和所述第二组存储器单元中的所述存储器单元与所述选定字线的第三组存储器单元中的存储器单元相邻，并且其中所述多个区中的每个区对应于数据保留补偿方案；以及对所述选定字线执行读取操作，包括应用对应于针对所述选定字线的所述第三组存储器单元识别的所述多个区中的任何区的每个数据保留补偿方案。9.根据权利要求8所述的方法，其中确定所述第一字线的所述第一组存储器单...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋毅，D，
申请(专利权)人：桑迪士克科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：