用于非易失存储器的参考电流产生模块及其操作方法技术

本发明专利技术公开了一种用于非易失存储器的参考电流产生模块及其操作方法，包括：参考单元，用于根据读取条件产生相应的基准参考电流；补偿模块，用于在补偿电流设置阶段存储预设的读取条件及其相应的补偿电流的补偿值，以及在数据读取阶段根据所述读取条件输出相应的补偿电流；以及参考位线，与所述参考单元和所述补偿模块相连，用于在所述数据读取阶段根据所述补偿电流对所述基准参考电流进行补偿，以获得补偿后的参考电流。本发明专利技术提供的用于非易失存储器的参考电流产生模块及其操作方法可以在保证读取操作可靠性的同时灵活配置参考电流。保证读取操作可靠性的同时灵活配置参考电流。保证读取操作可靠性的同时灵活配置参考电流。

【技术实现步骤摘要】
用于非易失存储器的参考电流产生模块及其操作方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种用于非易失存储器的参考电流产生模块及其操作方法。

技术介绍

[0002]非易失存储器(NVM,Nonvolatile Memory)在上电状态下和断电状态下均可存储数据，例如包括传统上称为只读存储器(ROM)的多种存储器。只读存储器例如包括闪存。计算机系统采用不同类型的存储器组成的层次存储结构存储数据，例如，内存采用易失性存储器实现，固态硬盘采用NAND闪存实现。此外，NOR闪存由于允许访问单个存储单元和读写速度快的特点，适合于直接在闪存内运行程序，在嵌入式应用中获得越来越多的应用。
[0003]在NAND闪存或NOR闪存之类的非易失存储器中，存储单元的基本结构为浮栅型晶体管，利用浮栅中的电荷状态表示数据。在读取操作中，将存储单元的检测电流与参考电流进行比较以获得电荷状态，从而读取数据。例如，当存储单元的检测电流大于参考电流时表示数据1，反之表示数据0。参考单元例如是与存储单元类似的浮栅型晶体管。
[0004]通常参考电流的生成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于非易失存储器的参考电流产生模块，包括：参考单元，用于根据读取条件产生相应的基准参考电流；补偿模块，用于在补偿电流设置阶段存储预设的读取条件及其相应的补偿电流的补偿值，以及在数据读取阶段根据所述读取条件输出相应的补偿电流；以及参考位线，与所述参考单元和所述补偿模块相连，用于在所述数据读取阶段根据所述补偿电流对所述基准参考电流进行补偿，以获得补偿后的参考电流。2.根据权利要求1所述的参考电流产生模块，其中，所述补偿模块包括：第一晶体管，所述第一晶体管的第一导通端与所述参考位线相连；测量控制模块，与所述第一晶体管的控制端相连，用于根据所述预设的读取条件输出调节电流；以及电流测量模块，与所述第一晶体管的第二导通端相连，用于在所述补偿电流设置阶段通过所述第一晶体管获取当前的基准参考电流，并根据所述预设的读取条件得到相对应的所述补偿电流的补偿值，其中，所述第一晶体管在所述补偿电流设置阶段导通，在所述数据读取阶段关断。3.根据权利要求2所述的参考电流产生模块，其中，所述补偿模块还包括：补偿值储存模块，与所述电流测量模块相连，用于暂存所述补偿电流的补偿值；补偿值储存阵列，与补偿值储存模块相连，用于储存所有的所述预设的读取条件及其相应的补偿值，其中，所述补偿值储存模块还用于在所述数据读取阶段根据所述读取条件输出相应的补偿值。4.根据权利要求3所述的参考电流产生模块，其中，所述补偿模块还包括：第二晶体管，所述第二晶体管的第一导通端与所述参考位线相连；补偿电流模拟电路，与所述第二晶体管的第二导通端和所述补偿值储存模块相连；以及补偿控制模块，与所述第二晶体管的控制端连接，用于...

【专利技术属性】
技术研发人员：安友伟，
申请(专利权)人：珠海博雅科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：