一种检测装置、检测方法及晶圆刻蚀设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种检测装置、检测方法及晶圆刻蚀设备，涉及等离子刻蚀技术领域，以保证检测装置和晶圆刻蚀设备的反应腔连接，防止由于不完全连接导致晶圆损伤的情况发生。所述检测装置应用于晶圆刻蚀设备，所述晶圆刻蚀设备的侧壁上开设有检测窗口，所述检测窗口内设置有透光检测窗。所述检测装置包括：光接收传送组件、位置检测组件、以及控制组件。所述检测方法包括上述技术方案所提的检测装置。本发明专利技术提供的检测装置用于提高晶圆的良率。的检测装置用于提高晶圆的良率。的检测装置用于提高晶圆的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种检测装置、检测方法及晶圆刻蚀设备


[0001]本专利技术涉及等离子刻蚀
，尤其涉及一种检测装置、检测方法及晶圆刻蚀设备。

技术介绍

[0002]随着等离子体刻蚀技术的广泛应用与半导体器件精密性的不断提升，对刻蚀过程的控制要求越来越高，而对刻蚀过程的控制取决于对刻蚀终点的判断。目前，常用的刻蚀终点的判断方法是使用单色仪测量反应室中的等离子体产生的发射光谱的波峰或者波长，进而判断相应的刻蚀终点。这种方法被广泛用于刻蚀、蒸镀、氧化或氮化工艺中。
[0003]然而，在进行等离子体刻蚀设备维护与保养时，需要将光缆和等离子体刻蚀反应腔分离，在设备维护与保养结束时，如果光缆没有与等离子体刻蚀反应腔完全接触，会造成晶圆过刻蚀，导致晶圆的损伤。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种检测装置、检测方法及晶圆刻蚀设备，以保证检测装置和晶圆刻蚀设备的反应腔连接，防止由于不完全连接导致晶圆损伤的情况发生。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术提供了一种检测装置，该检测装置应用于晶圆刻蚀设备，所述晶圆刻蚀设备本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种检测装置，其特征在于，应用于晶圆刻蚀设备，所述晶圆刻蚀设备的侧壁上开设有检测窗口，所述检测窗口内设置有透光检测窗；所述检测装置包括：光接收传送组件、位置检测组件以及控制组件；所述光接收传送组件的第一端伸入所述检测窗口中，用于接收所述晶圆刻蚀设备内等离子体产生的光信号，并对所述光信号进行处理后，发送给控制组件；所述位置检测组件设置在所述检测窗口内，用于固定所述光接收传送组件，还用于检测所述光接收传送组件的第一端与所述透光检测窗的相对位置关系，并将检测信号发送给控制组件；所述控制组件用于根据所述检测信号和所述处理后的光信号确定所述晶圆刻蚀设备的刻蚀状态。2.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述光接收传送组件包括光缆和单色仪；所述光缆的第一端伸入所述检测窗口中，用于接收透光检测窗透射的光；所述光缆的第二端与所述单色仪的第一端连接，所述单色仪用于检测光缆传送的光的波长。3.根据权利要求2所述的检测装置，其特征在于，所述光接收传送组件还包括光电转换器，所述光电转换器与所述单色仪的第二端相连接，用于将光信号转换为电信号，并将所述电信号发送给控制组件。4.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述位置检测组件包括位置传感器，所述位置传感器位于所述检测窗口内，且靠近所述透光检测窗设置，用于检测所述光接收传送组件的第一端与所述透光检测窗的相对位置关系。5.根据权利要求4所述的检测装置，其特征在于，所述位置检测组件还包括支撑部，所述支撑部固定设置在所述检测窗口的内...

【专利技术属性】
技术研发人员：金根浩，李俊杰，李琳，王佳，周娜，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：