一种晶圆寻边设备及寻边方法技术

技术编号:33998202 阅读:79 留言:0更新日期:2022-07-02 11:26
本发明专利技术提供一种晶圆寻边设备及寻边方法,包括:承载托盘放置在承载台上,承载托盘上设置有多个喷吹孔;承载台的内部设置有吹扫管道,吹扫管道用于喷发吹扫气体;吹扫管道包括边缘吹扫管道及中部吹扫管道,边缘吹扫管道与承载台的承载面之间具有预设的夹角;吹扫气体从夹角对应的管道中吹出作用于晶圆底面,使晶圆在承载托盘上方悬浮并旋转;如此,当需要对晶圆进行寻边时,吹扫气体使晶圆悬浮在承载托盘上方并旋转,在寻边过程中,晶圆是悬浮在承载托盘上方的,晶圆背面并没有和承载托盘直接接触,即使有某个晶圆背面被污染,也不会将污染物传递至托盘进而污染其他晶圆,避免处理腔室被污染,从而避免诱发晶圆出现颗粒,确保晶圆良率。圆良率。圆良率。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆寻边设备及寻边方法


[0001]本专利技术属于半导体晶圆制造
,尤其涉及一种晶圆寻边设备及寻边方法。

技术介绍

[0002]半导体行业往往通过缺口(notch)来确定硅片的位置,实现硅片对边。缺口是指特意在晶圆上形成的一个缺角。
[0003]现有技术中在寻找晶圆的缺口时,将晶圆传送至晶圆寻边机构的托盘上,启动中心旋转托盘电机并带动晶圆快速旋转,在旋转过程中利用CCD相机寻找晶圆缺口。
[0004]为了避免在旋转过程中,出现晶圆脱离的现象,一般是利用真空将晶圆吸附在旋转托盘上,但是若某个晶圆背面被污染时,会将污染物传递至旋转托盘上,当其他晶圆放置在旋转托盘上寻边时,其他晶圆也会被污染。被污染的晶圆进而会污染处理腔内部的加热器,从而诱发晶圆颗粒,导致晶圆不良。

技术实现思路

[0005]针对现有技术存在的问题,本专利技术实施例提供了一种晶圆寻边设备及寻边方法,用于解决现有技术中对晶圆进行寻边时,被污染的晶圆会污染处理腔室,导致晶圆不良的技术问题。
[0006]本专利技术提供一种晶圆寻边设备,所述设备包括:
[0007]承载托盘,放置在承载台上,所述承载托盘用于承载晶圆,所述承载托盘上设置有多个喷吹孔;
[0008]承载台,所述承载台的内部设置有吹扫管道,所述吹扫管道用于喷发吹扫气体,所述吹扫气体能透过所述喷吹孔;所述吹扫管道包括边缘吹扫管道及中部吹扫管道,所述边缘吹扫管道与所述承载台的承载面之间具有预设的夹角;所述吹扫气体从所述夹角对应的管道中吹出,作用于所述晶圆底面,以使所述晶圆悬浮在所述承载托盘上方并在所述承载托盘上方旋转。
[0009]可选的,所述预设的夹角为45
°

[0010]可选的,所述设备还包括:
[0011]流量控制器,与所述吹扫管道相连,所述流量控制器用于控制所述吹扫气体的吹扫流量及吹扫速度。
[0012]可选的,所述边缘吹扫管道包括:
[0013]第一边缘吹扫管道,安装在所述承载台的一侧;
[0014]第二边缘吹扫管道,安装在所述承载台的另一侧;所述第一边缘吹扫管道的吹扫方向与所述第二边缘吹扫管道的吹扫方向使得所述晶圆在所述承载托盘上方悬浮并旋转。
[0015]可选的,所述吹扫气体包括AR、N2及空气中的至少一种。
[0016]可选的,所述喷吹孔的数量为1~100个。
[0017]可选的,所述晶圆的悬浮高度为1~100mm。
[0018]可选的,所述吹扫气体的流量为1sccm~100LPM。
[0019]可选的,所述吹扫气体的速度为1~1000RPM。
[0020]本专利技术实施例还提供一种晶圆寻边方法,应用在晶圆寻边设备中,所述设备包括:承载托盘,放置在承载台上,所述承载托盘用于承载晶圆,所述承载托盘上设置有多个喷吹孔;承载台,所述承载台的内部设置有吹扫管道,所述吹扫管道用于喷发吹扫气体,所述吹扫气体能透过所述喷吹孔;所述吹扫管道包括边缘吹扫管道及中部吹扫管道,所述边缘吹扫管道与所述承载台的承载面之间具有预设的夹角;所述吹扫气体从所述夹角对应的管道中吹出,作用于所述晶圆底面,以使所述晶圆悬浮在所述承载托盘上方并在所述承载托盘上方旋转;其中,所述方法包括:
[0021]利用所述吹扫气体吹扫所述晶圆的背面,以使所述晶圆悬浮在所述承载托盘上方并在所述承载托盘上方旋转;
[0022]在所述晶圆的旋转过程中,对所述晶圆的缺口进行检测;
[0023]基于检测到的所述缺口调整所述晶圆的位置,对所述晶圆进行对边。
[0024]本专利技术提供了一种晶圆寻边设备及寻边方法,设备包括:承载托盘,放置在承载台上,所述承载托盘用于承载晶圆,所述承载托盘上设置有多个喷吹孔;承载台,所述承载台的内部设置有吹扫管道,所述吹扫管道用于喷发吹扫气体,所述吹扫气体能透过所述喷吹孔;吹扫管道,所述吹扫管道包括边缘吹扫管道及中部吹扫管道,所述边缘吹扫管道与所述承载台的承载面之间具有预设的夹角;所述吹扫气体从所述夹角对应的管道中吹出,作用于所述晶圆底面,以使所述晶圆悬浮在所述承载托盘上方并在所述承载托盘上方旋转;如此,当需要对晶圆进行寻边时,可控制吹扫管道喷发吹扫气体,将晶圆放置在承载托盘上后,因边缘吹扫管道的吹扫角度为预设的夹角,当吹扫气体从夹角对应的管道吹出作用于晶圆底面时,可以使得晶圆能悬浮在承载托盘上方并在所述承载托盘上方旋转,因此晶圆可以在吹扫气体的吹动下旋转,那么在旋转过程中即可对晶圆进行寻边;本申请提供的寻边方式,因在寻边过程中,晶圆是悬浮在承载托盘上方的,晶圆背面并没有和承载托盘直接接触,因此即使有某个晶圆背面被污染,也不会将污染物传递至托盘进而污染其他晶圆,避免处理腔室被污染,从而避免诱发晶圆出现颗粒,确保晶圆的良率。
附图说明
[0025]图1为本专利技术实施例提供的晶圆寻边设备的整体结构示意图;
[0026]图2为本专利技术实施例提供的第一边缘吹扫管道的吹扫方向示意图;
[0027]图3为本专利技术实施例提供的承载托盘的结构示意图。
具体实施方式
[0028]下面将参照附图更详细地描述本申请公开的示例性实施例。虽然附图中显示了本申请公开的示例性实施例,然而应当理解,可以以各种形式实现本申请公开而不应被这里阐述的实施例所限制。相反,提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本公开,并且能够将本申请公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
[0029]本专利技术提供了一种晶圆寻边设备及寻边方法,为了解决现有技术中对晶圆进行寻边时,被污染的晶圆会污染处理腔室,导致晶圆不良的技术问题。下面通过具体实施例对本
专利技术的技术方案做进一步的详细说明。
[0030]实施例一
[0031]本实施例提供一种晶圆寻边设备,如图1所示,设备包括:承载托盘1、承载台2及吹扫管道;
[0032]承载托盘1放置在承载台2上,承载托盘1用于承载晶圆,承载托盘1上设置有多个喷吹孔;
[0033]承载台2的内部设置有吹扫管道,吹扫管道用于喷发吹扫气体,吹扫气体能透过喷吹孔;
[0034]吹扫管道包括边缘吹扫管道及中部吹扫管道31,边缘吹扫管道与承载台2的承载面之间具有预设的夹角;这样,当吹扫气体从边缘吹扫管道中吹出,作用于晶圆底面时,晶圆能悬浮在承载托盘1上方并在承载托盘1上方旋转。
[0035]这里,继续参考图1,边缘吹扫管道包括:第一边缘吹扫管道32及第二边缘吹扫管道33;第一边缘吹扫管道32安装在承载台2的一侧;第二边缘吹扫管道33安装在承载台2的另一侧。
[0036]为了确保边缘吹扫管道的吹扫气体可以使得晶圆旋转,第一边缘吹扫管道32及第二边缘吹扫管道33与承载台2的承载面之间具有预设的夹角;参考图2,以第一边缘吹扫管理32为例,预设的夹角可如标记A所示,预设的夹角A可以为45
°
。其中,第一边缘吹扫管道32内吹扫气体的吹扫方向与第二边缘吹扫管道33的吹扫方向可以使得晶圆在本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆寻边设备,其特征在于,所述设备包括:承载托盘,放置在承载台上,所述承载托盘用于承载晶圆,所述承载托盘上设置有多个喷吹孔;承载台,所述承载台的内部设置有吹扫管道,所述吹扫管道用于喷发吹扫气体,所述吹扫气体能透过所述喷吹孔;所述吹扫管道包括边缘吹扫管道及中部吹扫管道,所述边缘吹扫管道与所述承载台的承载面之间具有预设的夹角;所述吹扫气体从所述夹角对应的管道中吹出,作用于所述晶圆底面,以使所述晶圆悬浮在所述承载托盘上方并在所述承载托盘上方旋转。2.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述预设的夹角为45
°
。3.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述设备还包括:流量控制器,与所述吹扫管道相连,所述流量控制器用于控制所述吹扫气体的吹扫流量及吹扫速度。4.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述边缘吹扫管道包括:第一边缘吹扫管道,安装在所述承载台的一侧;第二边缘吹扫管道,安装在所述承载台的另一侧;所述第一边缘吹扫管道的吹扫方向与所述第二边缘吹扫管道的吹扫方向使得所述晶圆在所述承载托盘上方旋转。5.如权利要求1所述的设备,其特征在于,所述吹扫气体包括AR、N2及空气中的至少一种。6....

【专利技术属性】
技术研发人员:郭挑远高建峰刘卫兵丁云凌
申请(专利权)人:真芯北京半导体有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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