一种防止太阳能单晶硅片清洗漂片的系统技术方案

本实用新型专利技术提供一种防止太阳能单晶硅片清洗漂片的系统，包括：清洗回路，所述清洗回路包括依次设置的上料槽、清洗剂槽、第一漂洗槽、化学品槽、第二漂洗槽和慢提拉槽，所述第一漂洗槽至少设置有两个，用于防止漂片的产生。本实用新型专利技术的有益效果是可以完全杜绝漂片的产生，减少硅片自损；不产生漂片，不需要人员停机处理泡沫及漂片，有效增加了产出，提高了生产效率；降低生产成本，不用为防止漂片增加清洗溢流量，减少水资源浪费；能够有效清洗硅片表面的残留清洗剂，降低硅片表面的清洗剂或杂质的残留量，防止漂片，提高清洗效果和清洗效率，减少清洗硅片时水的消耗量。清洗质量和经济效益获得明显提高。通过对清洗系统的调整，可减少药液污染，保证产品的清洗质量。保证产品的清洗质量。保证产品的清洗质量。

A system for preventing solar monocrystalline silicon wafer from cleaning drift

【技术实现步骤摘要】
一种防止太阳能单晶硅片清洗漂片的系统


[0001]本技术属于太阳能单晶硅片清洗领域，尤其是涉及一种防止太阳能单晶硅片清洗漂片的系统。

技术介绍

[0002]金刚线切割硅片后需对硅片进行清洗，随着光伏行业提速增效的大势所向，清洗工艺提速势在必行，而清洗时间缩短后，必然需要提升药剂用量以保证品质。药剂量的增加会对漂洗能力造成压力，容易产生漂洗不干净的情况。
[0003]目前太阳能单晶硅片清洗中，普遍存在双氧水化学品槽产生泡沫导致硅片漂片的情况，随着补液时间明显漂片越来越严重。漂片后会产生不同程度的自损，同时人员处理漂片会造成极大的时间浪费，影响生产效率使产出受到较大影响，为改善漂片需要加大硅片清洗溢流量，造成极大资源浪费。

技术实现思路

[0004]本技术要解决的问题是提供一种防止太阳能单晶硅片清洗漂片的系统，防止清洗过程中硅片漂片情况的产生。
[0005]为解决上述技术问题，本技术采用的技术方案是：一种防止太阳能单晶硅片清洗漂片的系统，包括：清洗回路，所述清洗回路包括依次设置的上料槽、清洗剂槽、第一漂洗槽、化学品槽、第二漂洗槽和慢提拉槽，所述第一漂洗槽至少设置有两个，用于防止漂片的产生。
[0006]进一步的，还包括：溢流回路，所述溢流回路包括依次设置的快热槽、慢提拉槽、所述第二漂洗槽、所述第一漂洗槽和所述上料槽。
[0007]进一步的，所述第二漂洗槽与所述第一漂洗槽之间通过三储水箱连通；
[0008]所述第一漂洗槽与所述上料槽之间通过一储水箱连通。
[0009]进一步的，所述溢流回路中纯水的溢流速度为15L/min。
[0010]进一步的，所述清洗剂槽包括一槽和二槽，所述一槽和所述二槽内可盛放有相同的清洗剂，用于清洗硅片表面的金属离子和硅泥。
[0011]进一步的，所述第一漂洗槽包括三槽和四槽，所述三槽和所述四槽内均可盛放用于漂洗硅片表面残留的化学试剂或有机溶剂的纯水。
[0012]进一步的，所述三槽与所述四槽之间通过二储水箱连通。
[0013]进一步的，所述化学品槽包括五槽，所述五槽用于清洗去除硅片表面的残存有机物。
[0014]进一步的，所述第二漂洗槽包括：六槽、七槽和八槽，所述六槽、所述七槽和所述八槽内均可盛放用于漂洗残留的化学试剂、金属离子或有机溶剂的纯水。进一步的，所述慢提拉槽包括：九槽，所述九槽内可盛放纯水，所述九槽在所述快热槽的加热下漂洗并在加热的纯水中缓慢提升所述硅片。
[0015]由于采用上述技术方案，具有以下优点：
[0016]可以完全杜绝漂片的产生，减少硅片自损；不产生漂片，不需要人员停机处理泡沫，有效增加了产出，提高了生产效率；降低生产成本，不用为防止漂片增加清洗溢流量，减少水资源浪费；
[0017]能够有效清洗硅片表面的残留清洗剂，降低硅片表面的清洗剂或杂质的残留量，防止漂片，提高清洗效果和清洗效率，减少清洗硅片时水的消耗量。清洗质量和经济效益获得明显提高。通过对清洗系统的调整，可减少药液污染，保证产品的清洗质量，且易于实现，适于广泛推广。
附图说明
[0018]图1是本技术改善前硅片清洗槽分布以及溢流结构示意图；
[0019]图2是本技术一种实施例的防止硅片清洗漂片系统的示意图。
[0020]图中：
[0021]1、一槽
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2、二槽
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3、三槽
[0022]4、四槽
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5、五槽
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6、六槽
[0023]7、七槽
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8、八槽
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9、九槽
[0024]10、上料槽
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11、快热槽
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12、纯水进水管
[0025]13、一储水箱
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14、二储水箱
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15、三储水箱
具体实施方式
[0026]下面结合实施例和附图对本技术作进一步说明：
[0027]在目前太阳能单晶硅片清洗中，原硅片清洗工艺三槽为清洗剂槽，硅片经过清洗剂槽清洗后由四槽漂洗后进入五槽化学品槽清洗，因只经过四槽一次漂洗清洗剂残留较多，如此累积清洗剂带入五槽越来越多，清洗剂和五槽中的双氧水发生皂化反应越来越剧烈产生大量泡沫，并在双氧水化学品槽产生泡沫，硅片表面附着有大量泡沫，增大了水对硅片的浮力，导致硅片漂片的情况，随着补液时间明显漂片越来越严重。漂片后会产生不同程度的自损，同时人员处理漂片会造成极大的时间浪费，影响生产效率使产出受到较大影响，为改善漂片需要加大硅片清洗溢流量，造成极大资源浪费。
[0028]为改善此种情况，在本技术的一种实施例中，如图2所示，一种防止太阳能单晶硅片清洗漂片的系统，包括：清洗回路和溢流回路，其中清洗回路与溢流回路存在部分重叠且路径相反。
[0029]在本实施例中，清洗回路包括依次设置的上料槽10、清洗剂槽、第一漂洗槽、化学品槽、第二漂洗槽和慢提拉槽，在对硅片的清洗过程中，硅片由上料槽10依次通过清洗剂槽、第一漂洗槽、化学品槽、第二漂洗槽和慢提拉槽后清洗完成。溢流回路包括依次设置的快热槽11、第二漂洗槽、第一漂洗槽和上料槽，其中第二漂洗槽与第一漂洗槽之间通过三储水箱连通；第一漂洗槽与上料槽10之间通过一储水箱连通，经纯水进水管12中的纯水依次通过快热槽11、慢提拉槽、第二漂洗槽、第一漂洗槽和上料槽，满足清洗时纯水的溢流和补充。
[0030]改善前的溢流结构为纯水分别连通快热槽11和第二漂洗槽，其中纯水进水管12连
通第二漂洗槽的回路中溢流速度为10L/min，纯水进水管12连通快热槽11的回路中溢流速度为15L/min，通过加快溢流速度，来提高4 的漂洗能力，防止漂片的产生，但是还是容易造成漂片产生；本实施例在改进后，纯水进水管12仅连通快热槽11，通过快热槽11给慢提拉槽进行预加热，且溢流回路中纯水的溢流速度为15L/min，仅增加了第一漂洗槽的数量，就可以防止漂片的产生，同时可以满足清洗硅片的溢流需求，同时改进后不用增加清洗溢流量，减少水资源浪费，更加符合节能环保的绿色生产理念。
[0031]为杜绝漂片的产生，第一漂洗槽至少设置有两个，硅片经过清洗剂槽清洗后由至少两个第一漂洗槽漂洗后清洗剂残留基本漂洗干净，进入化学品槽基本无反应，不会产生泡沫造成漂片；同时本实施例中，以30天为周期进行整体系统的换液和清洗。
[0032]如图2所示中，清洗剂槽包括一槽1和二槽2，一槽1和二槽2内设置有相同的清洗剂，本实施例中，一槽1和二槽2为清洗剂槽，清洗剂可采用：氢氧化钾、氢氧化钠、无机碱、表面活性剂和有机溶剂等，通过一槽1和二槽2的设置，达到本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种防止太阳能单晶硅片清洗漂片的系统，其特征在于，包括：清洗回路，所述清洗回路包括依次设置的上料槽、清洗剂槽、第一漂洗槽、化学品槽、第二漂洗槽和慢提拉槽，所述第一漂洗槽至少设置有两个，用于防止漂片的产生。2.根据权利要求1所述的一种防止太阳能单晶硅片清洗漂片的系统，其特征在于：还包括：溢流回路，所述溢流回路包括依次设置的快热槽、慢提拉槽、所述第二漂洗槽、所述第一漂洗槽和所述上料槽。3.根据权利要求2所述的一种防止太阳能单晶硅片清洗漂片的系统，其特征在于：所述第二漂洗槽与所述第一漂洗槽之间通过三储水箱连通；所述第一漂洗槽与所述上料槽之间通过一储水箱连通。4.根据权利要求2或3所述的一种防止太阳能单晶硅片清洗漂片的系统，其特征在于：所述溢流回路中纯水的溢流速度为15L/min。5.根据权利要求1所述的一种防止太阳能单晶硅片清洗漂片的系统，其特征在于：所述清洗剂槽包括一槽和二槽，所述一槽和所述二槽内可盛放有相同的清洗剂，用于清洗硅片表面的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李飞洋，郭俊文，胡玉峰，王冬雪，王大伟，张小慧，
申请(专利权)人：内蒙古中环光伏材料有限公司，
类型：新型
国别省市：