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本发明公开一种检测装置、检测方法及晶圆刻蚀设备，涉及等离子刻蚀技术领域，以保证检测装置和晶圆刻蚀设备的反应腔连接，防止由于不完全连接导致晶圆损伤的情况发生。所述检测装置应用于晶圆刻蚀设备，所述晶圆刻蚀设备的侧壁上开设有检测窗口，所述检测窗口...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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