【技术实现步骤摘要】
存储器及其制作方法
[0001]本专利技术实施例涉及存储设备
，尤其涉及一种存储器及其制作方法。
技术介绍
[0002]随着半导体技术和存储技术不断发展，电子设备不断向小型化、集成化方向发展，动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)因其具有较高的存储密度以及较快的读写速度被广泛地应用在各种电子设备中。
[0003]动态随机存储器通常包括存储阵列区和沿存储阵列区周围设置的外围电路区。存储阵列区中设置有阵列排布的多个电容器，外围电路区中设置有用于控制电容器的晶体管以及用于与晶体管电连接的接触线。动态随机存储器的存储密度主要取决于电容器的密度，现有技术中，外围电路区占据一定空间，限制设置存储阵列区的范围，动态随机存储器的存储密度低。
技术实现思路
[0004]有鉴于此，本专利技术实施例提供一种存储器及其制作方法，以解决动态随机存储器的存储密度低的技术问题。
[0005]为了实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术方案：
[0006]第一...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括中心区，以及与所述中心区连接的边缘区，所述边缘区中形成有第一接触结构，所述第一接触结构与所述基底中的字线结构电连接；于所述边缘区上形成第二接触结构，所述第二接触结构与所述第一接触结构电连接；于所述中心区上形成电容结构，所述电容结构与所述字线结构电连接；于所述第二接触结构上形成第三接触结构，所述第三接触结构与所述第二接触结构电连接；于所述电容结构和所述第三接触结构上形成晶体管结构，所述晶体管结构与所述第三接触结构电连接，且所述晶体管结构在所述基底上的正投影与所述电容结构和所述第三接触结构在所述基底上的正投影至少部分重合。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，于所述边缘区上形成第二接触结构之前，所述制作方法还包括：于所述基底上形成具有孔洞结构的掩膜层；于所述孔洞结构的内表面和底部形成下电极层。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述孔洞结构包括第一孔洞结构和第二孔洞结构，所述第一孔洞结构位于所述中心区上，所述第二孔洞结构位于所述边缘区上；其中，所述第二孔洞结构暴露所述第一接触结构。4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述下电极层包括第一下电极层和第二下电极层，所述第一下电极层设置于所述第一孔洞结构内，所述第二下电极层设置于所述第二孔洞结构内。5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，所述基底中还包括间隔设置的位线结构和电容接触结构，所述第一孔洞结构暴露所述电容接触结构，且所述电容接触结构的一端与所述字线结构电连接，另一端与所述电容结构连接。6.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，于所述边缘区上形成第二接触结构的步骤包括：于所述中心区上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层覆盖所述第一孔洞结构和部分所述掩膜层；于所述第二孔洞结构内形成第一导电层，所述第一导电层和所述第二下电极层构成所述第二接触结构；去除所述第一光刻胶层。7.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，于所述基底上形成具有孔洞结构的掩膜层的步骤包括：于所述基底上层叠设置初始第一绝缘层、初始第一支撑层、初始第二绝缘层和初始第二支撑层；刻蚀去除部分所述初始第一绝缘层、部分初始第一支撑层、部分初始第二绝缘层和部分初始第二支撑层，形成具有孔洞结构的第一绝缘层、具有孔洞结构的第一支撑层、具有孔洞结构的第二绝缘层和具有孔洞结构的第二支撑层；所述第一绝缘层、所述第一支撑层、所述第二绝缘层和所述第二支撑层构成所述掩膜层。8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，于所述中心区上形成电容结构的步骤
包括：去除所述第一绝缘层和所述第二绝缘层，形成空洞结构；于所述下电极层表面形成介电层；于所述介电层表面形成上电极层；于所述上电极层表面形成第二导电层，所述第二导电层填充满所述空洞结构并覆盖于所述上电极层；位于所述中心区上的所述下电极层、所述介电层、所述上电极层和所述第二导电层构成所述电容结构。9.根据权利要求8所述的制作方法，其特征在于，于所...
【专利技术属性】
技术研发人员：占康澍，夏军，宛强，刘涛，李森，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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