存储节点接触结构的形成方法及半导体结构技术

本发明专利技术提出一种存储节点接触结构的形成方法及半导体结构；存储节点接触结构的形成方法包含以下步骤：提供衬底，衬底表面形成有位线结构，位线结构之间形成有接触孔；在接触孔内生长硅晶体，生长过程中加入掺杂源，且掺杂源在生长结束时的掺杂浓度大于生长起始时的掺杂浓度，以在接触孔内形成单晶硅至重掺杂多晶硅过渡的硅晶体渐变结构。通过上述设计，本发明专利技术能够在降低存储节点接触结构的电阻的同时，提高接触的制程效率，降低生产成本。降低生产成本。降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
存储节点接触结构的形成方法及半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体存储节点处理工艺
，尤其涉及一种存储节点接触结构的形成方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]在目前主流的DRAM的阵列区结构中，通常采用重掺杂的多晶硅作为存储节点连接有源区的材料。随着特征尺寸的不断微缩，更小的孔径对存储节点接触结构的材料的电阻提出了更高的要求。使用外延生长获得单晶硅相比于多晶硅，在材料体相电阻及界面接触电阻上都有着很大的优势。然而，由于低生长速率及均匀性难以调控等问题，外延生长获得单晶硅的方法目前仍难以应用在阵列区存储节点的接触结构中。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种能够在降低存储节点接触结构的电阻的同时，提高接触结构的制程效率的存储节点接触结构的形成方法。
[0004]本专利技术的另一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种存储节点接触结构的电阻较小，且接触的制程效率较高的半导体结构。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采用如下技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储节点接触结构的形成方法，其特征在于，包含以下步骤：提供衬底，所述衬底表面形成有位线结构，所述位线结构之间形成有接触孔；采用外延生长工艺在所述接触孔内生长硅晶体，生长过程中加入掺杂源，且所述掺杂源在生长结束时的掺杂浓度大于生长起始时的掺杂浓度，以在所述接触孔内形成单晶硅至重掺杂多晶硅过渡的硅晶体渐变结构。2.根据权利要求1所述的存储节点接触结构的形成方法，其特征在于，所述硅晶体的生长过程包含多个生长阶段，所述掺杂源在所述多个生长阶段中的掺杂浓度渐增。3.根据权利要求2所述的存储节点接触结构的形成方法，其特征在于，所述掺杂源在任一所述生长阶段中的掺杂浓度恒定。4.根据权利要求3所述的存储节点接触结构的形成方法，其特征在于，所述硅晶体的生长过程依次包含第一生长阶段、第二生长阶段和第三生长阶段，所述掺杂源在所述第一生长阶段中的掺杂浓度恒定为第一浓度，所述掺杂源在所述第二生长阶段中的掺杂浓度恒定为第二浓度，所述掺杂源在所述第三生长阶段中的掺杂浓度恒定为第三浓度；其中，所述第一浓度小于所述第二浓度，所述第二浓度小于所述第三浓度。5.根据权利要求4所述的存储节点接触结构的形成方法，其特征在于，所述掺杂源包含磷，所述第一浓度为7E+20/cm3～8E+20/cm3，所述第二浓度为8.5E+20/cm3～9.5E+20/cm3，所述第三浓度为1E+21/cm3～1.1E+21/cm3。6.根据权利要求5所述的存储节点接触结构的形成方法，其特征在于，所述第一浓度为7.5E+20/cm3；和/或，所述第二浓度为9E+20/cm3；和/或，所述第三浓度为1.05E+21/cm3。7.根据权利要求1所述的存储节点接触结构的形成方法，其特征在于，所述掺杂源在生长过程中的掺杂浓度渐增。8.根据权利要求1～7任一项所述的存储节点接触结构的形成方法，其特征在于，在生长所述硅晶体之前，在所述接触孔孔底的对应于有源区的部分形成凹槽，所述凹槽槽口的轴向与竖直方向具有大于0
°
且小于90
°
的夹角；其中，生长所述硅晶体时，是由所述凹槽起始，生长过程中控制所述硅晶体沿第一方向和第二方向上的生长速率，使生长起始时所述硅晶体沿第一方向的生长速率大于沿第二方向的生长速率，并使生长结束时所述硅晶体沿第一方向的生长速率等于沿第二方向的生长速率，从而使所述硅晶体沿所述第二方向分别与两侧的所述位线结构的侧壁形成空隙；其中，所述第一方向为所述凹槽槽口的轴向，所述第二方向在竖直平面上垂直于所述第一方向。9.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：平尔萱，周震，张令国，白卫平，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：