温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明提出一种存储节点接触结构的形成方法及半导体结构；存储节点接触结构的形成方法包含以下步骤：提供衬底，衬底表面形成有位线结构，位线结构之间形成有接触孔；在接触孔内生长硅晶体，生长过程中加入掺杂源，且掺杂源在生长结束时的掺杂浓度大于生长起始...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。