半导体结构的形成方法及半导体结构技术

本发明专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，其中，半导体结构的形成方法，包括：在衬底上形成多个分立的晶体管结构；形成覆盖晶体管结构的介质层；在介质层的顶部表面形成分立的金属层；在金属层之间的间隙形成开口；用绝缘层填充开口，绝缘层的介电常数小于介质层的介电常数，绝缘层用于减小金属层之间的寄生电容，以及减小金属层与晶体管结构之间的寄生电容；本发明专利技术实施例旨在提供一种阵列区的金属层的形成方法，且形成的金属层与其他导电结构之间的寄生电容较小。他导电结构之间的寄生电容较小。他导电结构之间的寄生电容较小。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法及半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体结构制造领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]传统的动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)阵列区的布局受到字线间距和位线间距的限制。
[0003]随着技术的进步，半导体结构尺寸逐渐缩小，字线间距和位线间距不断减小，导致阵列区的金属层的金属布线难以形成图案，且由于特征尺寸的缩小，金属层与其他导电结构，例如位于两个阵列之间的晶体管结构，之间的寄生电容增大，影响形成的半导体结构的电学性能。
[0004]如何形成阵列区的金属层，且降低金属层与其他导电结构之间的寄生电容，是当下亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，旨在提供一种阵列区的金属层的形成方法，且形成的金属层与其他导电结构之间的寄生电容较小。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供了一种半导体结构的形成方法，包括：在衬底上形成多本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：在衬底上形成多个分立的晶体管结构；形成覆盖所述晶体管结构的介质层；在所述介质层的顶部表面形成分立的金属层；在所述金属层之间的间隙形成开口；用绝缘层填充所述开口，所述绝缘层的介电常数小于所述介质层的介电常数，所述绝缘层用于减小所述金属层之间的寄生电容，以及减小所述金属层与所述晶体管结构之间的寄生电容。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述介质层的顶部表面形成分立的金属层，包括以下步骤：在所述介质层上形成覆盖所述介质层顶部表面的金属膜；在所述金属膜顶部表面形成图形化的第一掩膜层；在所述第一掩膜层侧壁形成第二掩膜层；形成填充第二掩膜层之间间隙的第三掩膜层；去除所述第二掩膜层，直至暴露出所述金属膜；基于所述第一掩膜层和所述第三掩膜层，去除暴露出的所述金属膜，形成所述分立的金属层。3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成填充第二掩膜层之间间隙的第三掩膜层，包括以下步骤：形成填充第二掩膜层之间间隙，且覆盖所述第一掩膜层和所述第二掩膜层的第三掩膜；去除所述第一掩膜层和所述第二掩膜层顶部表面的所述第三掩膜，形成所述第三掩膜层。4.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在平行于所述衬底表面的方向上且垂直于所述第一掩膜层的方向上，形成的所述第二掩膜层的宽度为10nm～50nm。5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述绝缘层的材料包括掺杂有硼或磷的氧化硅。6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，用绝缘层填充所述开口，包括以下步骤：形成覆盖所述开口侧壁和所述金属层侧壁的第一绝缘膜；在所述第一绝缘膜的侧壁上形成第二绝缘膜；所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜的材料不同，所述第一绝缘膜与所述第二绝缘膜共同构成所述绝缘层。7.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成的所述第一绝缘膜的厚度为2nm～10nm。8.根据权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成的所述第二绝缘膜还围成空气间隙，所述空气间隙用于减小所述绝缘层的介电常数。9.根据权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，围成的所述空气间隙还
位于所述金属层之间的间...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志拯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：