半导体器件及其制备方法技术

一种半导体器件的制备方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在半导体衬底上形成多个栅极结构，所述栅极结构含有金属材料；将形成有栅极结构的半导体器件置于腔室中，升高腔室内的温度至一预设温度，向腔室中通入反应气体，所述反应气体为氮气，并保持预设时间以完成合金化处理。在合金化处理过程中采用惰性气体，避免活跃气体的使用导致的部分气体渗透到其他膜层使得电容器漏电，从而提高半导体器件的性能。的性能。的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制备方法


[0001]本公开涉及半导体生产工艺领域，特别涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)目前被广泛使用于各种电子设备中。动态随机存取存储器(DRAM)由许多重复的存储单元(cell)组成，每一个存储单元主要由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容器所构成，且存储单元会排列成阵列形式，每一个存储单元通过字线(word line，简写为WL)与位线(bit line，简写为BL)彼此电性连接。其中晶体管的栅极结构包括金属栅极，在对金属栅极钝化处理(例如在金属栅极表面形成一层氧化物薄膜等)后会进行气体合金化处理，相当于退火的过程，可以使金属再结晶，同时气体进入到栅极下部的氧化硅界面对悬挂键进行处理。
[0003]但是，合金化处理过程中的气体一部分会渗透到其他膜层，导致电容器漏电，影响电容器的性能，从而使得DRAM的性能降低。
[0004]公开内容
[0005]本公开的主要目的在于提供一种半导体器件及其本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成多个栅极结构，所述栅极结构含有金属材料；将形成有栅极结构的半导体器件置于腔室中，升高腔室内的温度至一预设温度，向腔室中通入反应气体，所述反应气体为氮气，并保持预设时间以完成合金化处理。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通入反应气体时，还包括通入惰性气体。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为Ar。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述栅极结构为埋入式栅极，其形成步骤包括：在半导体衬底上形成栅极沟槽；在栅极沟槽的侧壁和底壁上依次形成氧化层和阻挡层；在栅极沟槽中填充金属栅极，得到所述栅极结构。5.根据权利要求4所述的制备方...

【专利技术属性】
技术研发人员：安重镒，李相遇，金成基，李亭亭，项金娟，蒋浩杰，罗英，丁云凌，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：