存储器的形成方法及存储器技术

本申请实施例公开了一种存储器的形成方法及存储器，存储器的形成方法包括提供基底，基底表面形成有晶体管柱阵列；形成覆盖晶体管柱阵列的堆叠结构，堆叠结构包括沿远离基底方向依次层叠的第一牺牲层和第一支撑层；形成贯穿堆叠结构的电容孔阵列，电容孔阵列中的多个电容孔与多个晶体管柱一一对应设置，且电容孔暴露晶体管柱；在电容孔的内壁依次形成第一电极层和填充层；形成贯穿第一支撑层的第一间隙孔阵列，第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，且每个第一间隙孔位于彼此相邻的四个第一电极层之间；通过第一间隙孔阵列去除第一牺牲层，暴露第一电极层；依次形成覆盖第一电极层的介质层和第二电极层，以形成电容器阵列。阵列。阵列。

【技术实现步骤摘要】
存储器的形成方法及存储器


[0001]本申请涉及半导体
，具体地，涉及一种存储器的形成方法及存储器。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(dynamic random access memory，DRAM)具有读写速度快、低功耗、大容量、价格便宜等特性，成为计算机和通讯系统中使用最为广泛的半导体存储器。DRAM的存储阵列架构是由包括一个晶体管和一个电容器的存储单元(即1T1C的存储单元)组成的阵列。晶体管的栅极与字线相连，漏极与位线相连，源极与电容器相连。
[0003]随着DRAM器件的尺寸不断缩小，电容器的尺寸也随之缩小。如何保证DRAM器件中电容器的性能，成为亟待解决的问题。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请实施例提出一种存储器的形成方法及存储器。
[0005]根据本申请的一个方面，提供了一种存储器的形成方法，包括：
[0006]提供基底；其中，所述基底表面形成有晶体管柱阵列，所述晶体管柱阵列包括沿垂直于所述基底表面方向呈阵列排布的多个晶体管柱；
[0007]形成覆盖所述晶体管柱阵列的堆叠结构；其中，所述堆叠结构包括沿远离所述基底方向依次层叠的第一牺牲层和第一支撑层；
[0008]形成贯穿所述堆叠结构的电容孔阵列；其中，所述电容孔阵列包括呈阵列排布的多个电容孔，多个所述电容孔与多个所述晶体管柱一一对应设置，且所述电容孔暴露所述晶体管柱；
[0009]在所述电容孔的内壁依次形成第一电极层和填充层；其中，所述第一电极层电连接所述晶体管柱；
[0010]形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；其中，所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，且每个所述第一间隙孔位于彼此相邻的四个所述第一电极层之间；
[0011]通过所述第一间隙孔阵列去除所述第一牺牲层，暴露所述第一电极层；
[0012]依次形成覆盖所述第一电极层的介质层和第二电极层，以形成电容器阵列。
[0013]在一些实施例中，所述电容孔阵列包括第一预设数量的电容孔；
[0014]所述形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；其中，所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，包括：
[0015]形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列，所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的第二预设数量的第一间隙孔；其中，所述第二预设数量和所述第一预设数量的比值在25％至50％之间。
[0016]在一些实施例中，所述形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，包括：
[0017]形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；其中，所述第一间隙孔阵列包括等间距的多个第一间隙孔行和等间距的多个第一间隙孔列，所述第一间隙孔行和所述第一间隙孔列相互垂直。
[0018]在一些实施例中，所述形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，包括：
[0019]形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；其中，所述间隙孔阵列包括等间距的多个第一间隙孔行和等间距的多个第一间隙孔列，所述第一间隙孔行和所述第一间隙孔列呈第一预设夹角设置，所述第一预设夹角小于90
°
。
[0020]在一些实施例中，所述形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，包括：
[0021]形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括等间距的多个组合孔行和等间距的多个组合孔列，所述组合孔行和所述组合孔列分别包括多个组合孔，每一所述组合孔包括相互连通的多个所述第一间隙孔。
[0022]在一些实施例中，所述形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，包括：
[0023]形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括等间距的多个组合单元行和等间距的多个组合单元列，所述组合单元行和所述组合单元列分别包括多个组合单元，每一所述组合单元包括呈第二预设夹角设置的第一组合孔和第二组合孔，所述第一组合孔和所述第二组合孔分别包括相互连通的多个所述第一间隙孔，且所述第一组合孔和所述第二组合孔互不连通。
[0024]在一些实施例中，所述堆叠结构还包括位于所述基底和所述第一牺牲层之间的第二牺牲层和第二支撑层，所述第二牺牲层位于所述基底和所述第二支撑层之间；
[0025]所述通过所述第一间隙孔阵列去除所述第一牺牲层，包括：
[0026]所述通过所述第一间隙孔阵列去除所述第一牺牲层，暴露部分所述第一电极层和所述第二支撑层；
[0027]所述存储器的形成方法还包括：
[0028]在通过所述第一间隙孔阵列去除所述第一牺牲层之后，形成贯穿所述第二支撑层的第二间隙孔阵列；其中，所述第二间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第二间隙孔，且每个所述第二间隙孔位于彼此相邻的四个所述第一电极层之间；
[0029]通过所述第二间隙孔阵列去除所述第二牺牲层，暴露剩余的所述第一电极层。
[0030]在一些实施例中，所述基底包括晶圆；
[0031]所述提供基底；其中，所述基底表面形成有晶体管柱阵列，包括：
[0032]提供晶圆；
[0033]从所述晶圆的第一面对所述晶圆进行部分刻蚀，形成网格状刻蚀沟槽和晶体管柱阵列；其中，所述晶体管柱阵列包括呈阵列排布的多个晶体管柱，每一所述晶体管柱对应位于所述网格状沟槽的每一格点处，所述晶体管柱的第一预设厚度小于所述晶圆的初始厚度；所述第一面垂直于所述晶圆的厚度方向；
[0034]在所述网格状刻蚀沟槽中沉积绝缘材料，形成包围每一所述晶体管柱的绝缘层；
[0035]刻蚀所述绝缘层，以显露每一所述晶体管柱的一侧壁；
[0036]在每一所述晶体管柱显露的侧壁上依次形成栅极氧化层和栅极；
[0037]在所述晶体管柱的第一端或第二端其中之一形成源极，另一形成漏极；其中，所述第一端和所述第二端分别为所述晶体管柱在所述晶圆厚度方向上相对的两端，且所述第一端位于所述晶圆的第一面，所述源极与所述漏极之间的晶体管柱构成所述晶体管的沟道区。
[0038]根据本申请的第二个方面，提供了一种存储器，包括：
[0039]基底，所述基底包括晶圆，所述晶圆中设有晶体管柱阵列，所述晶体管柱阵列包括沿垂直于晶圆的第一面呈阵列排布的多个晶体管柱，所述第一面垂直于所述晶圆的厚度方向；
[0040]第一支撑层，平行于所述晶圆的第一面设置于所述晶圆之上，所述第一支撑层包括平行于所述晶圆的第一面设置的平面，以及与所述平面相垂直的侧面；
[0041]电容器阵列，所述电容器阵列包括：
[0042]第一电极层阵列，包括贯穿所述第一支撑层的多个第一电极层，多个所述第一电极层与所述晶体管柱一一对应设置，且所述第一电极层与所述晶体管柱电性连接；
[0043]介质层，包括覆盖所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；其中，所述基底表面形成有晶体管柱阵列，所述晶体管柱阵列包括沿垂直于所述基底表面方向呈阵列排布的多个晶体管柱；形成覆盖所述晶体管柱阵列的堆叠结构；其中，所述堆叠结构包括沿远离所述基底方向依次层叠的第一牺牲层和第一支撑层；形成贯穿所述堆叠结构的电容孔阵列；其中，所述电容孔阵列包括呈阵列排布的多个电容孔，多个所述电容孔与多个所述晶体管柱一一对应设置，且所述电容孔暴露所述晶体管柱；在所述电容孔的内壁依次形成第一电极层和填充层；其中，所述第一电极层电连接所述晶体管柱；形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；其中，所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，且每个所述第一间隙孔位于彼此相邻的四个所述第一电极层之间；通过所述第一间隙孔阵列去除所述第一牺牲层，暴露所述第一电极层；依次形成覆盖所述第一电极层的介质层和第二电极层，以形成电容器阵列。2.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述电容孔阵列包括第一预设数量的电容孔；所述形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；其中，所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，包括：形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列，所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的第二预设数量的第一间隙孔；其中，所述第二预设数量和所述第一预设数量的比值在25％至50％之间。3.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，包括：形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；其中，所述第一间隙孔阵列包括等间距的多个第一间隙孔行和等间距的多个第一间隙孔列，所述第一间隙孔行和所述第一间隙孔列相互垂直。4.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，包括：形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；其中，所述间隙孔阵列包括等间距的多个第一间隙孔行和等间距的多个第一间隙孔列，所述第一间隙孔行和所述第一间隙孔列呈第一预设夹角设置，所述第一预设夹角小于90
°
。5.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，包括：形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括等间距的多个组合孔行和等间距的多个组合孔列，所述组合孔行和所述组合孔列分别包括多个组合孔，每一所述组合孔包括相互连通的多个所述第一间隙孔。6.根据权利要求1所述的存储器的形成方法，其特征在于，所述形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括呈阵列排布的多个第一间隙孔，包括：
形成贯穿所述第一支撑层的第一间隙孔阵列；所述第一间隙孔阵列包括等间距的多个组合单元行和等间距的多个组合单元列，所述组合单元行和所述组合单元列分别包括多个组合单元，每一所述组合单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁潇，
申请(专利权)人：芯盟科技有限公司，
类型：发明
国别省市：