动态随机存取存储器及其形成方法技术

一种动态随机存取存储器及其形成方法

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器及其形成方法、工作方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种动态随机存取存储器及其形成方法
、
工作方法
。

技术介绍

[0002]随着现今科技快速的发展，半导体存储器被广泛地应用于电子装置中
。
动态随机存取存储器
(dynamic random access memory
，简称
DRAM)
属于一种挥发性存储器，对于储存大量数据的应用而言，动态随机存取存储器是最常被利用的解决方案
。
[0003]通常，动态随机存取存储器是由多个存储单元构成，每一个存储单元主要是由一个晶体管与一个由晶体管所操控的电容所构成，且每一个存储单元通过字线与位线彼此电连接
。
[0004]然而，现有的动态随机存取存储器仍存在诸多问题
。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种动态随机存取存储器及其形成方法
、
工作方法，能够有效提升动态随机存储存储器的集成度
。
[0006]为解决上述问题，本专利技术提供一种动态随机存取存储器，包括：衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底上具有相互分立且平行于第一方向的若干第一有源区和若干第二有源区，且若干所述第一有源区和若干所述第二有源区沿第二方向等间距交替排布，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述第一有源区和所述第二有源区分别包括第一区以及位于所述第一区上的第二区，所述衬底包括若干沿所述第一方向交替排布的第一沟道区和第二沟道柱区；位于每个所述第一沟道柱区的若干所述第一有源区的第二区的第一沟道柱；位于每个所述第二沟道柱区的若干所述第二有源区的第二区的第二沟道柱；相邻所述第一沟道柱区和所述第二沟道柱区的若干所述第一沟道柱和若干所述第二沟道柱沿所述第二方向交替排布，每个所述第一沟道柱区的若干所述第一沟道柱具有平行于第二方向的第一中轴线，每个所述第二沟道柱区的若干所述第二沟道柱具有平行于第二方向的第二中轴线，且所述第一中轴线与所述第二中轴线不重合；位于每个所述第一沟道柱和每个所述第二沟道柱的表面的栅极结构；位于每个所述第一沟道柱区上的第一字线，所述第一字线电连接所述第一沟道柱区中的每个所述第一沟道柱表面的所述栅极结构；位于每个所述第二沟道柱区上形成第二字线，所述第二字线电连接所述第二沟道柱区中的每个所述第二沟道柱表面的所述栅极结构；每个所述第一沟道柱和每个所述第二沟道柱电连接的第一源漏掺杂层，若干所述第一源漏掺杂层位于所述衬底的第一面；位于所述衬底的第一面的若干电容结构，每个所述电容结构与一个所述第一源漏掺杂层电连接；每个所述第一沟道柱和每个所述第二沟道柱电连接的第二源漏掺杂层，若干所述第二源漏掺杂层位于所述衬底的第二面；位于所述衬底的第二面的若干第一位线，每个所述第一有源区的若干所述第二源漏掺杂层与一个所述第一位线电连接；位于所述衬底的第二面的若干第二位线，每
个所述第二有源区的若干所述第二源漏掺杂层与一个所述第二位线电连接
。
[0007]可选的，相邻的所述第一中轴线和所述第二中轴线之间具有第一间距尺寸，每个所述第一沟道柱区中相邻所述第一沟道柱的中心之间
、
或者每个所述第二沟道柱区中相邻所述第二沟道柱的中心之间具有第二间距尺寸，所述第一间距尺寸与所述第二间距尺寸的比值为
√3:2
或1：
2√3。
[0008]可选的，位于所述衬底上的隔离层，所述隔离层覆盖所述第一区
、
以及覆盖所述第一沟道柱和所述第二沟道柱的部分侧壁表面，所述隔离层的顶部表面低于所述衬底的第一面
。
[0009]可选的，所述栅极结构包括：栅氧化层和栅极层
。
[0010]可选的，所述第一源漏掺杂层位于每个所述第一沟道柱上和每个所述第二沟道柱上
。
[0011]可选的，所述第一源漏掺杂层位于每个所述第一沟道柱内和每个所述第二沟道柱内
。
[0012]可选的，还包括：位于每个所述第一有源区的第一区内的第一位线沟槽，所述第一位线位于所述第一位线沟槽内；位于每个所述第二有源区的第一区内的第二位线沟槽，所述第二位线位于所述第二位线沟槽内
。
[0013]可选的，还包括：位于每个所述第一源漏掺杂层上的过渡层，每个所述电容结构与一个所述过渡层电连接
。
[0014]可选的，所述过渡层包括：位于所述第一源漏掺杂层上的金属硅化物层
、
以及位于所述金属硅化物层上的金属层，所述电容结构与所述金属层电连接
。
[0015]可选的，还包括：位于相邻所述第一位线和所述第二位线之间的空隙结构
。
[0016]相应的，本专利技术技术方案中还提供一种动态随机存取存储器的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底上具有相互分立且平行于第一方向的若干第一有源区和若干第二有源区，且若干所述第一有源区和若干所述第二有源区沿第二方向等间距交替排布，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述第一有源区和所述第二有源区分别包括第一区以及位于所述第一区上的第二区，所述衬底包括若干沿所述第一方向交替排布的第一沟道区和第二沟道柱区；对每个所述第一沟道柱区的若干所述第一有源区的第二区进行第一图形化处理，形成若干第一沟道柱
、
以及对每个所述第二沟道柱区的若干所述第二有源区的第二区进行第一图形化处理，形成若干第二沟道柱，相邻所述第一沟道柱区和所述第二沟道柱区的若干所述第一沟道柱和若干所述第二沟道柱沿所述第二方向交替排布，每个所述第一沟道柱区的若干所述第一沟道柱具有平行于第二方向的第一中轴线，每个所述第二沟道柱区的若干所述第二沟道柱具有平行于第二方向的第二中轴线，且所述第一中轴线与所述第二中轴线不重合；在每个所述第一沟道柱和每个所述第二沟道柱的表面形成栅极结构；在每个所述第一沟道柱区上形成第一字线，所述第一字线电连接所述第一沟道柱区中的每个所述第一沟道柱表面的所述栅极结构
、
以及在每个所述第二沟道柱区上形成第二字线，所述第二字线电连接所述第二沟道柱区中的每个所述第二沟道柱表面的所述栅极结构；形成每个所述第一沟道柱和每个所述第二沟道柱电连接的第一源漏掺杂层，若干所述第一源漏掺杂层位于所述衬底的第一面；在所述衬底的第一面形成若干电容结构，每个所述电容结构与一个所述第一源漏掺杂层电连接；自所述衬底的第二
面向所述衬底的第一面方向对所述衬底进行减薄处理；形成每个所述第一沟道柱和每个所述第二沟道柱电连接的第二源漏掺杂层，若干所述第二源漏掺杂层位于所述衬底的第二面；在所述衬底的第二面形成若干第一位线，每个所述第一有源区的若干所述第二源漏掺杂层与一个所述第一位线电连接
、
以及在所述衬底的第二面形成若干第二位线，每个所述第二有源区的若干所述第二源漏掺杂层与一个所述第二位线电连接
。
[0017]可选的，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底上具有相互分立且平行于第一方向的若干第一有源区和若干第二有源区，且若干所述第一有源区和若干所述第二有源区沿第二方向等间距交替排布，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述第一有源区和所述第二有源区分别包括第一区以及位于所述第一区上的第二区，所述衬底包括若干沿所述第一方向交替排布的第一沟道区和第二沟道柱区；位于每个所述第一沟道柱区的若干所述第一有源区的第二区的第一沟道柱；位于每个所述第二沟道柱区的若干所述第二有源区的第二区的第二沟道柱；相邻所述第一沟道柱区和所述第二沟道柱区的若干所述第一沟道柱和若干所述第二沟道柱沿所述第二方向交替排布，每个所述第一沟道柱区的若干所述第一沟道柱具有平行于第二方向的第一中轴线，每个所述第二沟道柱区的若干所述第二沟道柱具有平行于第二方向的第二中轴线，且所述第一中轴线与所述第二中轴线不重合；位于每个所述第一沟道柱和每个所述第二沟道柱的表面的栅极结构；位于每个所述第一沟道柱区上的第一字线，所述第一字线电连接所述第一沟道柱区中的每个所述第一沟道柱表面的所述栅极结构；位于每个所述第二沟道柱区上形成第二字线，所述第二字线电连接所述第二沟道柱区中的每个所述第二沟道柱表面的所述栅极结构；每个所述第一沟道柱和每个所述第二沟道柱电连接的第一源漏掺杂层，若干所述第一源漏掺杂层位于所述衬底的第一面；位于所述衬底的第一面的若干电容结构，每个所述电容结构与一个所述第一源漏掺杂层电连接；每个所述第一沟道柱和每个所述第二沟道柱电连接的第二源漏掺杂层，若干所述第二源漏掺杂层位于所述衬底的第二面；位于所述衬底的第二面的若干第一位线，每个所述第一有源区的若干所述第二源漏掺杂层与一个所述第一位线电连接；位于所述衬底的第二面的若干第二位线，每个所述第二有源区的若干所述第二源漏掺杂层与一个所述第二位线电连接
。2.
如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，相邻的所述第一中轴线和所述第二中轴线之间具有第一间距尺寸，每个所述第一沟道柱区中相邻所述第一沟道柱的中心之间
、
或者每个所述第二沟道柱区中相邻所述第二沟道柱的中心之间具有第二间距尺寸，所述第一间距尺寸与所述第二间距尺寸的比值为
√3:2
或1：
2√3。3.
如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，位于所述衬底上的隔离层，所述隔离层覆盖所述第一区
、
以及覆盖所述第一沟道柱和所述第二沟道柱的部分侧壁表面，所述隔离层的顶部表面低于所述衬底的第一面
。4.
如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述栅极结构包括：栅氧化层和栅极层
。5.
如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一源漏掺杂层位于每个所述第一沟道柱上和每个所述第二沟道柱上
。6.
如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一源漏掺杂层位于每个
所述第一沟道柱内和每个所述第二沟道柱内
。7.
如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于每个所述第一有源区的第一区内的第一位线沟槽，所述第一位线位于所述第一位线沟槽内；位于每个所述第二有源区的第一区内的第二位线沟槽，所述第二位线位于所述第二位线沟槽内
。8.
如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于每个所述第一源漏掺杂层上的过渡层，每个所述电容结构与一个所述过渡层电连接
。9.
如权利要求8所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述过渡层包括：位于所述第一源漏掺杂层上的金属硅化物层
、
以及位于所述金属硅化物层上的金属层，所述电容结构与所述金属层电连接
。10.
如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于相邻所述第一位线和所述第二位线之间的空隙结构
。11.
一种动态随机存取存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底上具有相互分立且平行于第一方向的若干第一有源区和若干第二有源区，且若干所述第一有源区和若干所述第二有源区沿第二方向等间距交替排布，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述第一有源区和所述第二有源区分别包括第一区以及位于所述第一区上的第二区，所述衬底包括若干沿所述第一方向交替排布的第一沟道区和第二沟道柱区；对每个所述第一沟道柱区的若干所述第一有源区的第二区进行第一图形化处理，形成若干第一沟道柱
、
以及对每个所述第二沟道柱区的若干所述第二有源区的第二区进行第一图形化处理，形成若干第二沟道柱，相邻所述第一沟道柱区和所述第二沟道柱区的若干所述第一沟道柱和若干所述第二沟道柱沿所述第二方向交替排布，每个所述第一沟道柱区的若干所述第一沟道柱具有平行于第二方向的第一中轴线，每个所述第二沟道柱区的若干所述第二沟道柱具有平行于第二方向的第二中轴线，且所述第一中轴线与所述第二中轴线不重合；在每个所述第一沟道柱和每个所述第二沟道柱的表面形成栅极结构；在每个所述第一沟道柱区上形成第一字线，所述第一字线电连接所述第一沟道柱区中的每个所述第一沟道柱表面的所述栅极结构
、
以及在每个所述第二沟道柱区上形成第二字线，所述第二字线电连接所述第二沟道柱区中的每个所述第二沟道柱表面的所述栅极结构；形成每个所述第一沟道柱和每个所述第二沟道柱电连接的第一源漏掺杂层，若干所述第一源漏掺杂层位于所述衬底的第一面；在所述衬底的第一面形成若干电容结构，每个所述电容结...

【专利技术属性】
技术研发人员：华文宇，
申请(专利权)人：芯盟科技有限公司，
类型：发明
国别省市：