半导体结构及存储器制造技术

本申请实施例提供一种半导体结构及存储器，所述半导体结构包括：第一晶圆，包括字线驱动器和第一键合结构；其中，所述字线驱动器与所述第一键合结构连接；第二晶圆，包括第二键合结构和多个晶体管阵列；其中，至少两个所述晶体管阵列的字线相互连接；所述字线与所述第二键合结构连接；所述第一晶圆与所述第二晶圆通过所述第一键合结构和所述第二键合结构键合；所述字线驱动器，用于驱动相互连接的至少两条所述字线

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及存储器


[0001]本申请属于半导体制造
，具体涉及但不限于一种半导体结构及存储器
。

技术介绍

[0002]随着现今科技快速的发展，半导体存储器得到了广泛地使用
。
常见的半导体存储器可包括：静态随机存取存储器
(Static Random Access Memory
，
SRAM)、
闪存
(Flash Memory)
以及动态随机存取存储器
(Dynamic Random Access Memory
，
DRAM)。
其中，动态随机存取存储器由多个存储单元构成，每一个存储单元主要是由一个晶体管与一个由晶体管所控制的电容所构成，且每一个存储单元通过字线
(Word Line
，
WL)
与位线
(Bit Line
，
BL)
彼此电连接
。
[0003]对于存储大量数据的应用而言，动态随机存取存储器是最常被利用的解决方案<br/>。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种半导体结构，其特征在于，包括：第一晶圆，包括字线驱动器和第一键合结构；其中，所述字线驱动器与所述第一键合结构连接；第二晶圆，包括第二键合结构和多个晶体管阵列；其中，至少两个所述晶体管阵列的字线相互连接；所述字线与所述第二键合结构连接；所述第一晶圆与所述第二晶圆通过所述第一键合结构和所述第二键合结构键合；所述字线驱动器，用于驱动相互连接的至少两条所述字线
。2.
根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述至少两个所述晶体管阵列在字线延伸方向相邻排布
。3.
根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：字线引出结构，位于相邻两个所述晶体管阵列之间；所述字线引出结构连接所述相邻两个所述晶体管阵列中相互连接的字线，并与所述第二键合结构连接
。4.
根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，相邻两个所述晶体管阵列包括：第一晶体管阵列和第二晶体管阵列；所述第一晶体管阵列包括多条第一字线，所述第二晶体管阵列包括多条第二字线；所述字线引出结构包括多个；至少一条所述第一字线与至少一条所述第二字线对应连接；相互连接的一条所述第一字线与一条所述第二字线，连接一个所述字线引出结构
。5.
根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，相互连接的所述第一字线与所述第二字线位于同一直线上
。6.
根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二键合结构包括多个；所述晶体管阵列之间的一个所述字线引出结构对应连接至一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：蓝天，华文宇，
申请(专利权)人：芯盟科技有限公司，
类型：发明
国别省市：