具有单侧电容器的半导体结构的制备方法技术

本公开提供一种半导体结构的制备方法。该制备方法包括：提供一基底；依序形成一第一氮化物层、一第一牺牲层、一第二氮化物层、一第二牺牲层以及一第三氮化物层在该基底上；形成一第一开口以及一第二开口，其中该第一开口暴露在该基底中的一第一着陆垫，而该第二开口暴露在该基底中的一第二着陆垫；形成一第一电极在该第一开口中以及形成一第二电极在该第二开口中；同时移除该第一牺牲层与该第二牺牲层；以及形成一导电层以共形于该第一电极、该第二电极、该第一氮化物层、该第二氮化物层以及该第三氮化物层。第三氮化物层。第三氮化物层。

【技术实现步骤摘要】
具有单侧电容器的半导体结构的制备方法


[0001]本申请案主张2022年5月19日申请的美国正式申请案第17/748,201及17/748,869号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开是关于一种具有一单侧电容器的一半导体结构的制备方法。特别是有关于一种具有一单侧电容器的一半导体结构的制备方法。

技术介绍

[0003]半导体元件使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数字数码相机，或其他电子设备。半导体元件通常借由在一半导体基底上依序沉积多个隔离或介电层、多个导电层以及多个半导体材料层，并使用微影而图案化各种材料层以在其上形成多个电路组件与元件来制造。随着半导体产业为了追求更佳的元件密度、更高的效能以及更低的成本而发展到先进的技术制程节点，已经出现简单的电容器结构以及更好的一存储器单元效能的挑战。
[0004]上文的“先前技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，包括：提供一基底；依序形成一第一氮化物层、一第一牺牲层、一第二氮化物层、一第二牺牲层以及一第三氮化物层在该基底上；形成一第一开口以及一第二开口，其中该第一开口暴露该基底中的一第一着陆垫，而该第二开口暴露该基底中的一第二着陆垫；形成一第一电极在该第一开口中以及形成一第二电极在该第二开口中；同时移除该第一牺牲层与该第二牺牲层；以及形成一导电层以共形于该第一电极、该第二电极、该第一氮化物层、该第二氮化物层以及该第三氮化物层。2.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，还包括在形成该第二氮化物层之后，移除该第二氮化物层的一部分，借此暴露该第一牺牲层。3.如权利要求2所述的半导体结构的制备方法，其中该第二牺牲层接触该第一牺牲层。4.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，还包括在形成该第三氮化物层之后，移除该第三氮化物层的一部分，借此暴露该第二牺牲层。5.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其中执行一湿蚀刻操作以同时移除该第一牺牲层与该第二牺牲层。6.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其中该第一牺牲层包含硼磷硅酸盐玻璃。7.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其中该第二牺牲层包含硅烷氧化物。8.如权利要求1所述的半导体结构的制备方法，还包括在形成该第一电极与该第二电极之前，形成一高介电常数层，借此加衬该第一开口与该第二开...

【专利技术属性】
技术研发人员：周郁敏，管式凡，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：