半导体结构的制造方法和半导体结构技术

本发明专利技术提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，该半导体结构的制造方法，包括：提供基底，基底具有相邻设置的第一区域和第二区域；在基底的第一区域和第二区域中均形成多个沟槽，多个沟槽沿第一方向间隔排布。在沟槽中形成字线，第一区域的字线的特征尺寸不同于第二区域中的字线的特征尺寸。在特征尺寸较大的字线上形成接触结构。本发明专利技术能够减小接触结构的设置难度，减小接触结构与字线连接处的接触电阻，保证两者连接的稳定性，提升半导体结构的性能。的性能。的性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制造方法和半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种半导体结构的制造方法和半导体结构。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(dynamic random access memory，简称DRAM)是一种高速地、随机地写入和读取数据的半导体存储器，被广泛地应用到数据存储设备或装置中。
[0003]动态随机存取存储器包括多个重复的存储单元，每个存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的栅极与字线(Word line，简称为WL)相连、漏极与位线相连、源极与电容器相连。字线上的电压信号能够控制晶体管的打开或关闭，进而通过位线读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线将数据信息写入到电容器中进行存储。字线通过位于存储单元的外围区的接触结构(Local interconnect contact，简称为LICON)与字线驱动器(Word line driver)连接，从而便于字线驱动器向字线中输入电压信号。
[0004]然而，随着DRAM器件特征尺寸不断微缩，相邻字线之间的间距减小，导致接触结构的设置难度和接触电阻增加，并且接触结构处容易发生断路和短路的问题，影响半导体存储器的存储性能。

技术实现思路

[0005]为了解决
技术介绍
中提到的至少一个问题，本专利技术提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，能够减小接触结构的设置难度，减小接触结构与字线连接处的接触电阻，保证两者连接的稳定性，提升半导体结构的性能。
[0006]为了实现上述目的，第一方面，本专利技术提供一种半导体结构的制造方法，包括：
[0007]提供基底，基底具有相邻设置的第一区域和第二区域。
[0008]在基底中第一区域和第二区域中均形成多个沟槽，多个沟槽沿第一方向间隔排布。
[0009]在沟槽中形成字线，其中，第一区域的字线的特征尺寸不同于第二区域的字线的特征尺寸。
[0010]在特征尺寸较大的字线上形成接触结构。
[0011]本专利技术提供的半导体结构的制造方法，通过在基底中形成多个相互独立的沟槽，在沟槽形成过程中，基于第一区域的结构密度不同于第二区域中的结构密度，因此形成的第一区域中沟槽的特征尺寸不同于第二区域中的沟槽的特征尺寸，从而在沟槽中形成字线时，可以保证第一区域的字线的特征尺寸不同于第二区域中的字线的特征尺寸。并将接触结构设置在特征尺寸较大的字线上，从而减小在字线上设置接触结构的难度，同时增加了字线与接触结构的接触面积，提高两者连接稳定性，减小两者连接处的接触电阻，以保证接触结构能够稳定连接字线与字线驱动器，接触结构所在的区域中的相邻字线间距较大，从而可以适当增大接触结构的宽度，同时可以避免接触结构与相邻字线的短路，以提高两者
之间信号传输的稳定性，从而保证半导体结构的性能。
[0012]在上述的半导体结构的制造方法中，可选的是，在基底的第一区域和第二区域中均形成多个沟槽，多个沟槽沿第一方向间隔排布的步骤，包括：
[0013]在基底的第一区域和第二区域上均形成沟槽掩膜层，沟槽掩膜层具有第一沟槽掩膜图案和第二沟槽掩膜图案，第一沟槽掩膜图案和第二沟槽掩膜图案沿第一方向交替间隔排布。
[0014]利用第一沟槽掩膜图案和第二沟槽掩膜图案刻蚀基底的第一区域和第二区域，以在第一区域和第二区域内均形成第一沟槽和第二沟槽。
[0015]其中，刻蚀基底的第一区域的刻蚀速率大于刻蚀基底的第二区域的刻蚀速率。
[0016]这样的设置可以保证特征尺寸不同的沟槽的形成，以便于在沟槽中形成字线。
[0017]在上述的半导体结构的制造方法中，可选的是，第一沟槽掩膜图案相对于第二沟槽掩膜图案具有第一掩膜突出部。
[0018]第二沟槽掩膜图案相对于第一沟槽掩膜图案具有第二掩膜突出部。
[0019]第一掩膜突出部和第二掩膜突出部均位于第一区域，且位于第二区域的相对两侧。
[0020]这样的设置可以分别形成第一区域内的第一沟槽和第二沟槽。
[0021]在上述的半导体结构的制造方法中，可选的是，第一沟槽掩膜图案在基底的第一区域和第二区域中的特征尺寸一样。
[0022]第二沟槽掩膜图案在基底的第一区域和第二区域中的特征尺寸一样。
[0023]这样的设置可以使得减小沟槽掩膜层的制备难度。
[0024]在上述的半导体结构的制造方法中，可选的是，刻蚀速率为基底在第一方向的刻蚀速率。
[0025]第一区域中的第一沟槽的特征尺寸大于第二区域中的第一沟槽的特征尺寸。
[0026]第一区域中的第二沟槽的特征尺寸大于第二区域中的第二沟槽的特征尺寸。
[0027]这样的设置可以在第一区域中形成特征尺寸较大的字线，在第二区域中形成特征尺寸较小的字线。
[0028]在上述的半导体结构的制造方法中，可选的是，在沟槽中形成字线的步骤，包括：
[0029]在第一沟槽中形成第一字线。
[0030]在第二沟槽中形成第二字线。
[0031]其中，第一字线和第二字线沿第一方向交替间隔排布。
[0032]这样的设置可以形成第一字线和第二字线，两者交替间隔排布，以形成第一区域和第二区域中的字线结构。
[0033]在上述的半导体结构的制造方法中，可选的是，在特征尺寸较大的字线上形成接触结构的步骤，包括：
[0034]在第一区域的第一字线上形成第一接触结构。
[0035]在第一区域的第二字线上形成第二接触结构。
[0036]其中，第一接触结构和第二接触结构分别位于第二区域的相对两侧。
[0037]这样的设置由于第一区域中字线的特征尺寸较大，从而减小第一区域中第一接触结构和第二接触结构的设置难度，同时减小接触结构和字线之间的接触电阻。
[0038]在上述的半导体结构的制造方法中，可选的是，第一接触结构沿第一方向交错排布，和/或，第二接触结构沿第一方向交错排布。
[0039]这样的设置可以增加相邻的接触结构之间的间距，从而减小信号干扰的问题。
[0040]在上述的半导体结构的制造方法中，可选的是，刻蚀工艺中的刻蚀气体为氟化硫气体，氯气，二氟甲烷、氮气和氦气。这样的设置可以通过调控刻蚀工艺参数达到控制刻蚀过程的刻蚀速率的目的，提高刻蚀过程的可控性。
[0041]第二方面，本专利技术提供一种半导体结构，包括：
[0042]基底，基底具有相邻设置的第一区域和第二区域；
[0043]字线，字线位于第一区域和第二区域中；其中，第一区域的字线的特征尺寸不同于第二区域的字线的特征尺寸；
[0044]接触结构，接触结构位于特征尺寸较大的字线上。
[0045]本专利技术提供的半导体结构，通过在基底中形成多条沿第一方向间隔排布的字线，第一区域中的字线的特征尺寸不同于第二区域中的字线的特征尺寸，并且特征尺寸较大的字线上设置的接触结构，这样可以减小在字线上设置接触结构的难度，同时增加了字线与接触结构的接触面积，提高两者连本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有相邻设置的第一区域和第二区域；在所述基底的所述第一区域和所述第二区域中均形成多个沟槽，多个所述沟槽沿第一方向间隔排布；在所述沟槽中形成字线；其中，所述第一区域的所述字线的特征尺寸不同于所述第二区域的所述字线的特征尺寸；在特征尺寸较大的所述字线上形成接触结构。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在所述基底的所述第一区域和所述第二区域中均形成多个沟槽，多个所述沟槽沿第一方向间隔排布的步骤，包括：在所述基底的所述第一区域和所述第二区域上均形成沟槽掩膜层，所述沟槽掩膜层具有第一沟槽掩膜图案和第二沟槽掩膜图案，所述第一沟槽掩膜图案和所述第二沟槽掩膜图案沿第一方向交替间隔排布；利用所述第一沟槽掩膜图案和所述第二沟槽掩膜图案刻蚀所述基底的所述第一区域和所述第二区域，以在所述第一区域和所述第二区域内均形成第一沟槽和第二沟槽；其中，刻蚀所述基底的所述第一区域的刻蚀速率大于刻蚀所述基底的所述第二区域的刻蚀速率。3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一沟槽掩膜图案相对于所述第二沟槽掩膜图案具有第一掩膜突出部；所述第二沟槽掩膜图案相对于所述第一沟槽掩膜图案具有第二掩膜突出部；所述第一掩膜突出部和所述第二掩膜突出部均位于所述第一区域，且位于所述第二区域的相对两侧。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述第一沟槽掩膜图案在所述基底的所述第一区域和所述第二区域中的特征尺寸一样；所述第二沟槽掩膜图案在所述基底的所述第一区域和所述第二区域中的特征尺寸一样。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述刻蚀速率为所述基底在第一方向的刻蚀速率；所述第一区域中的所述第一沟槽的特征尺寸大于所述第二区域中的所述第一沟槽的特征尺寸；所述第一区域中的所述第二沟槽的特征尺寸大于所述第二区域中的所述第二沟槽的特征尺寸。6.根据权利要求2-5中任一项所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述在所述沟槽中形成字线的步骤，包括：在所述第一沟槽中形成第一字线；在所述第二沟槽中形成第二字线；其中，所述第一字线和所述第二字线沿第一方向交替间隔排布。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，在特征尺寸较大的所述字线上形成接触结构的步骤，包括：
在所述第一区域的所述第一字线上形成第一接触结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志拯，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：