【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制作方法及半导体结构
[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。
技术介绍
[0002]动态随机存取存储器（DRAM，Dynamic Random Access Memory）是计算机中常用的半导体存储器件，具有体积小、集成度高、功耗低的优点。动态随机存取存储器(DRAM)由许多重复的存储单元组成。每个存储单元通常包括电容器和晶体管，随着半导体行业的不断发展，对半导体结构中的电容器的性能要求越来越高，比如，如何在有限的面积内形成电容值更大的电容器。
[0003]然而，随着电容器的电容值的增加，需要更多的支撑层才能保证电容器的稳定，但更多层的支撑层会增加电容器的制作难度，同时也会降低靠近阵列区边缘位置的填充材料的稳定性，导致后续沉积填充材料时容易在电容阵列边界处形成裂缝，造成插塞与电容阵列边界短路，因此，需要对电容阵列边界进行保护。
技术实现思路
[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[00...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：提供基底，所述基底的表面形成有间隔设置的接触结构；于所述基底上形成交替层叠的支撑层及牺牲层的叠层结构，所述叠层结构覆盖所述接触结构；于所述叠层结构内形成隔离结构，所述隔离结构沿垂直于所述基底的方向贯穿所述牺牲层和部分所述支撑层，并通过剩余部分所述支撑层与所述基底连接，以将所述基底分为第一区域和第二区域；于所述第二区域内形成电容结构，所述电容结构与所述第二区域内的所述接触结构对应连接。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，沿朝向所述第一区域的方向，所述电容结构具有延伸部，所述延伸部延伸至所述第一区域内并覆盖所述隔离结构的顶部和侧壁。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，于所述基底上形成交替层叠的支撑层及牺牲层的叠层结构，包括：于所述基底上形成层叠设置的第一支撑层、第一牺牲层、第二支撑层、第二牺牲层和第三支撑层，其中，所述第一支撑层、所述第二支撑层和所述第三支撑层形成支撑结构。4.根据权利要求3所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，于所述叠层结构内形成隔离结构，包括：沿垂直于所述基底的方向刻蚀所述第三支撑层、所述第二牺牲层、所述第二支撑层、所述第一牺牲层，以形成隔离孔；于所述隔离孔内填充隔离材料，形成所述隔离结构，所述隔离结构的底面通过所述第一支撑层与所述基底连接，所述隔离结构的顶面与所述第三支撑层的顶面平齐。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，于所述第二区域内形成电容结构，包括：于所述第二区域内形成间隔设置的电容孔，所述电容孔的底部暴露所述接触结构的顶面；于所述电容孔的内壁形成第一电极层，所述电容孔内的所述第一电极层形成第一凹槽；于所述第一凹槽的内壁形成介电层，所述介电层朝向所述隔离结构的一端延伸至所述第一凹槽外，并覆盖所述隔离结构的顶面和侧壁；于所述介电层的外表面形成第二电极结构。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，于所述电容孔的内壁形成第一电极层，包括：于所述电容孔的内壁形成第一初始电极层，所述第一初始电极层延伸至所述电容孔外，并覆盖所述第一区域的所述叠层结构的顶面和所述隔离结构的顶面，所述第一初始电极层还覆盖所述第二区域的所述叠层结构的顶面；于同一刻蚀步骤中，去除相邻的所述电容孔之间的部分所述第一初始电极层，以及位于所述第一区域的所述叠层结构顶面的所述第一初始电极层；去除位于所述隔离结构的顶面的所述第一初始电极层，被保留下来的所述第一初始电
极层形成第一电极层。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，去除相邻的所述电容孔之间的部分所述第一初始电极层，以及位于所述第一区域的所述叠层结构顶面的所述第一初始电极层，包括：于所述第一初始电极层上形成层叠设置的第一介质层和介电抗反射涂层；图形化所述介电抗反射涂层，以在所述介电抗反射涂层上形成第一开口，其中，所述第一开口与相邻的所述电容孔之间的所述叠层结构对应；以图形化后的所述介电抗反射涂层为掩膜，刻蚀去除部分所述第一介质层、所述第一区域和所述第二区域内的部分所述第一初始电极层，...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱长立，方锦国，章家伟，
申请(专利权)人：长鑫集电北京存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。