下载半导体结构的制作方法及半导体结构的技术资料

文档序号:33864066

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构,涉及半导体技术领域。半导体结构的制作方法包括提供基底,基底的表面形成有间隔设置的接触结构;于基底上形成包括交替层叠的支撑层及牺牲层的叠层结构,叠层结构覆盖接触结构;于叠层结构内形成隔离结构,...
该专利属于长鑫集电(北京)存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫集电(北京)存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。