专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
长鑫存储技术有限公司
>
半导体结构的形成方法及半导体结构技术
>技术资料下载
下载半导体结构的形成方法及半导体结构的技术资料
文档序号:33946145
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构,其中,半导体结构的形成方法,包括:在衬底上形成多个分立的晶体管结构;形成覆盖晶体管结构的介质层;在介质层的顶部表面形成分立的金属层;在金属层之间的间隙形成开口;用绝缘层填充开口,绝缘层的...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。