形成接触部的方法及制造位线结构和存储节点接触的方法技术

本发明专利技术涉及一种形成接触部的方法及制造位线结构和存储节点接触的方法。形成接触部的方法：所述半导体衬底上形成有接触孔；向接触孔中沉积多晶硅，然后选择性进行回刻，形成多晶硅层；在多晶硅层表面外延生长单晶硅层，然后回刻。制造位线结构的方法：利用上述方法形成接触部，在接触部形成阻挡层和导体层；在金属层上形成帽层；刻蚀帽层、导体层、阻挡层和接触部形成位线叠层；在位线叠层两侧形成位线侧墙。制造存储节点接触的方法：如上述方法形成接触部；在接触部上形成阻挡层和金属层；对阻挡层和金属层进行图案化以形成接触焊盘。本发明专利技术简化了去除多晶硅层缝隙/孔洞的工艺流程，提高了生产效率，并且采用同质膜，能够改善器件的导电特性。件的导电特性。件的导电特性。

【技术实现步骤摘要】
形成接触部的方法及制造位线结构和存储节点接触的方法


[0001]本专利技术涉及半导体生产工艺领域，特别涉及一种形成接触部的方法及制造位线结构和存储节点接触的方法。

技术介绍

[0002]随着半导体设备的集成化发展，电路设计更加微型化。以DRAM为例，设计的接触孔更加狭小，导致在接触孔中填充多晶硅的过程中产生诸多缝隙或孔洞，容易引发器件不良。为此，现有技术采用反复沉积、蚀刻的方法消除缝隙，常采用如图1中
①
至
④
的流程：
[0003]先在位线中蚀刻出接触孔，得到如图1中
①
的形貌；
[0004]然后沉积多晶硅，形成如图1中
②
的形貌，产生了诸多缝隙或孔洞；
[0005]进行回刻，去除多余的多晶硅，形成如图1中
③
的形貌；
[0006]沉积氮化硅，以覆盖多晶硅，形成如图1中
④
的形貌；
[0007]进行回刻，去除缝隙。
[0008]若仍存在缝隙或孔洞，则反复进行氮化硅沉积、回刻，直至缝隙或孔洞被本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成接触部的方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有接触孔；向接触孔中沉积多晶硅，然后选择性进行回刻，形成多晶硅层；在所述多晶硅层表面外延生长单晶硅层，然后回刻。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单晶硅层为N型掺杂的单晶硅层。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述外延生长时供应的硅源为甲硅烷、二氯二氢硅、乙硅烷、戊硅烷中的至少一种。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述外延生长时的沉积温度为600～650℃。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延生长在单一芯片沉积设备或批量沉积设备中进行。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述外延生长时实现同步N型掺杂，供应的掺杂气体源为PH3。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延生...

【专利技术属性】
技术研发人员：李相遇，安重镒，金成基，熊文娟，蒋浩杰，李亭亭，崔恒玮，罗英，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：