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本发明涉及一种形成接触部的方法及制造位线结构和存储节点接触的方法。形成接触部的方法：所述半导体衬底上形成有接触孔；向接触孔中沉积多晶硅，然后选择性进行回刻，形成多晶硅层；在多晶硅层表面外延生长单晶硅层，然后回刻。制造位线结构的方法：利用上述...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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