一种半导体存储器结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体存储器结构及其制造方法。一种半导体结构，包括半导体衬底，所述半导体衬底上包括有源区；位于所述有源区上的介质层；位于所述介质层中的接触孔，所述接触孔露出其中一部分所述有源区；所述接触孔填充有导电介质；所述导电介质为选择性外延生长硅。其制造方法为：提供半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有源区；在所述半导体衬底上方形成介质层，在所述介质层中形成露出一部分所述有源区的接触孔；在所述接触孔内选择性外延生长硅层。本发明专利技术采用选择性外延生长(SEG)硅，几乎不存在孔洞，因此电阻更小，电特性更优良。电特性更优良。电特性更优良。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体存储器结构及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种半导体存储器结构及其制造方法。

技术介绍

[0002]在半导体制造过程中，采用刻蚀工艺在介质层中形成接触孔，随后在接触孔中沉积导电材料用于半导体器件之间的电连接，这是一种广泛使用的工艺。接触孔可直接与器件的栅极、源漏极等电连接，还可以用于层与层之间的电连接。许多半导体设备的导线连接至关重要，而且连接导线的技术应用上，难度日益增加。
[0003]以DRAM为例，如图1所示，与电容器连接的有源区单元101中的接触孔中埋设的导线大部分采用多晶硅102，随着半导体设备的集成化发展，电路设计更加微型化，由于狭小的接触孔与硅衬底接触的界面上存在诸多孔洞103，导致设备缺陷或者降低设备电性能。为此，现有技术采用反复沉积、蚀刻的方法消除孔洞，流程如下：
[0004]第一步、在380～430℃下向沉积基底上喷洒硅源(例如二异丙胺基硅烷(DIPAS))；
[0005]第二步、供应乙硅烷、掺杂气体(例如PH3)在380～430℃下CAD沉积；
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上包括有源区；位于所述有源区上的介质层；位于所述介质层中的接触孔，所述接触孔露出其中一部分所述有源区；所述接触孔填充有导电介质；所述导电介质为选择性外延生长硅。2.根据权利要求1所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述半导体衬底中包括掩埋沟道栅极线，所述栅极线与其中一部分所述有源区组成晶体管；另一部分所述有源区上包括位线结构。3.根据权利要求2所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述半导体衬底上包括栅极，所述栅极与所述有源区组成晶体管。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述选择性外延生长硅为掺杂型硅。5.根据权利要求4所述的半导体存储器结构，其特征在于，所述掺杂型硅中掺杂原子为P、B或As，掺杂原子的含量为10
16
～10
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atoms/cm3。6.一种半导体存储器结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔基雄，白国斌，高建峰，王桂磊，田光辉，丁云凌，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：