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本发明涉及一种半导体存储器结构及其制造方法。一种半导体结构，包括半导体衬底，所述半导体衬底上包括有源区；位于所述有源区上的介质层；位于所述介质层中的接触孔，所述接触孔露出其中一部分所述有源区；所述接触孔填充有导电介质；所述导电介质为选择性外...
该专利属于真芯（北京）半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过真芯（北京）半导体有限责任公司授权不得商用。

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