存储节点接触结构的形成方法及半导体结构技术

本发明专利技术提出一种存储节点接触结构的形成方法及半导体结构；存储节点接触结构包含以下步骤：提供衬底，衬底表面形成有位线结构，位线结构之间形成有接触孔；在接触孔孔底的对应于有源区的部分形成凹槽，凹槽槽口的轴向与竖直方向具有大于0

【技术实现步骤摘要】
存储节点接触结构的形成方法及半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体存储节点处理工艺
，尤其涉及一种存储节点接触结构的形成方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]在目前主流的DRAM的阵列区结构中，通常采用重掺杂的多晶硅作为存储节点连接有源区的材料。随着特征尺寸的不断微缩，更小的孔径对存储节点接触结构的材料的电阻及寄生电容都提出了更高的要求。随着结构尺寸的缩小，存储节点接触结构与位线及字线的距离进一步缩短，导致寄生电容升高。

技术实现思路

[0003]本专利技术的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种能够在降低存储节点接触结构的电阻的同时，降低其与位线结构之间的寄生电容的存储节点接触结构的形成方法。
[0004]本专利技术的另一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一种存储节点接触结构的电阻较小，且存储节点接触结构与位线结构之间的寄生电容较小的半导体结构。
[0005]为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：
[0006]根据本专利技术的一个方面，提供一种存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储节点接触结构的形成方法，其特征在于，包含以下步骤：提供衬底，所述衬底表面形成有位线结构，所述位线结构之间形成有接触孔；在所述接触孔孔底的对应于有源区的部分形成凹槽，所述凹槽槽口的轴向与竖直方向具有大于0
°
且小于90
°
的夹角；采用外延生长工艺，由所述凹槽起始，在所述接触孔内生长硅晶体，生长过程中控制所述硅晶体沿第一方向和第二方向上的生长速率，使生长起始时所述硅晶体沿第一方向的生长速率大于沿第二方向的生长速率，并使生长结束时所述硅晶体沿第一方向的生长速率等于沿第二方向的生长速率，从而使所述硅晶体沿所述第二方向分别与两侧的所述位线结构的侧壁形成空隙；其中，所述第一方向为所述凹槽槽口的轴向，所述第二方向在竖直平面上垂直于所述第一方向。2.根据权利要求1所述的存储节点接触结构的形成方法，其特征在于，在所述硅晶体的生长过程中，是通过加入抑制剂和控制所述抑制剂的含量，控制所述硅晶体沿所述第一方向和沿所述第二方向的生长速率，所述抑制剂的加入含量与所述硅晶体外延生长成核速率负相关；其中，所述抑制剂在生长结束时的加入含量小于生长起始时的加入含量。3.根据权利要求2所述的存储节点接触结构的形成方法，其特征在于，所述抑制剂在生长结束时的加入含量为0。4.根据权利要求2所述的存储节点接触结构的形成方法，其特征在于，所述硅晶体的生长过程包含多个生长阶段，所述抑制剂在所述多个生长阶段中的加入含量渐减。5.根据权利要求4所述的存储节点接触结构的形成方法，其特征在于，所述硅晶体的生长过程依次包含第一生长阶段、第二生长阶段和第三生长阶段，所述抑制剂在所述第一生长阶段中的加入含量恒定为第一含量，所述抑制剂在所述第二生长阶段中的加入含量为渐减的含量区间，所述抑制剂在所述第三生长阶段中的加入含量恒定为第三含量；其中，所述第一含量大于或者等于所述含量区间的上限，所述含量区间的下限大于或者等于所述第三含量。6.根据权利要求5所述的存储节点接触结构的形成方法，其特征在于，所述抑制剂包含盐酸，并以所述盐酸的流速表征所述抑制剂的加入含量；其中，所述第一含量为175sccm～185sccm，所述含量区间的上限为130sccm～140sccm，所述含量区间的下限为85sccm～95sccm，所述第三含量为40sccm～50sccm。7.根据权利要求6所述的存储节点接触结构的形成方法，其特征在于，所述第一含量为180sccm；和/或，所述含量区间的上限为135sccm，所述含量区间的下限为90sccm；和/或，所述第三含量为45sccm。8.根据权利要求1～7任一项所述的存储节点接触结构的形成方法，其特征在于，生长所述硅晶体时，生长过程中加入掺杂源，且...

【专利技术属性】
技术研发人员：平尔萱，周震，张令国，白卫平，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：