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本发明提供一种存储器及其制作方法，涉及存储设备技术领域，用于解决存储器的存储密度低的技术问题。该存储器的制作方法包括：提供基底，基底包括相连的中心区和边缘区，边缘区中形成有与基底中的字线结构电连接的第一接触结构；于边缘区上形成与第一接触结构...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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