压控振荡器、组合模块以及通信装置制造方法及图纸

一种压控振荡器，包括具有扼流线圈、变容二极管、耦合电容器、谐振电容器、谐振器和旁路电容器的谐振电路。放大电路包括缓冲放大晶体管、振荡晶体管、偏压电阻器、Ｃｏｌｐｉｔｔｓ电容器、旁路电容器、耦合电容器、扼流线圈、谐振电容器以及谐振电感器，所述谐振电感器是电感元件。偏压电阻器具有电连接到振荡晶体管基极的一端和通过具有电连接地的一端的谐振电感器而电连接到地的另一端。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及压控振荡器、组合模块以及通信装置。
技术介绍
图6是传统压控振荡器1的电路图。压控振荡器1包括谐振电路2和放大电路3。谐振电路2的谐振频率根据施加到控制终端4上的控制电压Vc而变化。放大电路3根据谐振电路2的谐振频率振荡信号和放大信号。参照图7和8，压控振荡器1的电路2和3具有安装在电路衬底10上或设置在电路衬底10内的各种电子元件(以下说明)，所述电路衬底通过一体烧制具有印刷在其上的电路图案或接地电极的多层陶瓷片而制成。在图7和图8中，电路衬底10包括控制端子4、驱动电源端子5、输出端子6、内层连接端子7-9，以及接地端子G。电路衬底10还包括布线图12a-12e、通路孔11a以及通孔11b。除了上述的元件以外，电路衬底10在其上表面上包括其它布线图、通路孔以及通孔，这些未在图7和8中示出。谐振电路2包括扼流线圈L1、变容二极管D1、耦合电容器C9和C10、谐振电容器C11、谐振器(带状线或微带线)SL2以及旁路电容器C12，其中谐振器限定电感元件。放大电路3包括缓冲放大晶体管Tr1，振荡晶体管Tr2，偏压电阻器R1、R2、R3和R4，考毕子(Colpitts)电容器C4、C5、C6和C7，旁路电容器C1和C3，耦合电容器C2，扼流线圈(带状线或微带线)SL1，谐振电容器C8以及谐振电感器(带状线或微带线)SL3，所述谐振电感器SL3限定电感元件。日本未审查专利申请公开出版物No.11-74727公开了另一种已知的压控振荡器，其所具有的电路不同于根据本专利技术实施例的电路。在该压控振荡器中，晶体管的发射极不仅通过电容器和偏压电阻器连接到地，而且通过连接到偏压电阻器和电容器之间的节点的谐振器连接到地。再次参照图6，放大电路3中的偏压电阻器R3具有电连接到晶体管Tr2基极的一端和直接连接到地的另一端。将偏压电阻器R3连接到地的一个方法是通过设置在电路衬底10上的布线图12a，如图7所示，以便将偏压电阻器R3电连接到接地端子G。然而，由于区域S1覆盖布线图12a，该方法阻碍芯片元件被安装到区域S1中。因此，该方法不适于压控振荡器1的小型化设计。该方法的另一个不利之处在于减小了可用于微带线的空间，这使得很难形成作为小损耗微带线的谐振器SL2。如图8所示，另一种方法是在电路衬底10内部形成通孔11b，以便通孔11b将偏压电阻器R3电连接到电路衬底10下表面上的接地电极(未在图中示出)。该方法消除了在电路衬底10上形成布线图12a的需要，从而允许诸如偏压电阻器R1之类的芯片元件被安装到区域S1中。遗憾的是，该方法具有以下缺点，即在电路衬底10内部的用于谐振器(带状线或微带线)SL2的区域受到通孔11b的限制，其阻碍区域S2被使用，如图9所示。因此，该方法也不适于压控制振荡器1的小型化设计。特别是，由带状线限定的谐振器SL2要求形成通路孔11a以便电连接在电路衬底10表面和内层上的带状线之间，这样进一步限制了元件布局和内层图案。
技术实现思路
为了克服上述问题，本专利技术的优选实施例提供了一种压控振荡器、一种组合模块以及一种通信装置，它们设计为小型化并且在元件布局和内层图案方面受到较小的限制。根据本专利技术的一个优选实施例，压控振荡器包括谐振电路以及放大电路，所述放大电路包括晶体管、电阻器以及具有电连接到地的一端的电感元件。在这种压控振荡器中，电阻器具有电连接到晶体管基极的一端和通过电感元件电连接到地的另一端。根据本专利技术的另一个优选实施例，压控振荡器包括电路衬底，所述电路衬底包括多个绝缘层和多个电极的层压。所述电路衬底还包括谐振电路和放大电路，所述放大电路包括晶体管、电阻器以及具有电连接到地的一端的电感元件。晶体管和电阻器中的至少一个安装到电路衬底上。在这种压控振荡器中，电阻器具有电连接到晶体管基极的一端和通过电感元件电连接到地的另一端。所述电感元件可以包括微带线、带状线或者片状线圈或其它适当的元件。电感元件用作高频(AC)范围内的电感器或谐振器，并且用作DC范围内的短路元件。因此，在DC范围内，电感元件被用作接地电极，如上所述电阻器连接到该接地电极上。这一优点缩短了到达地的线路。另外，不需在在电路衬底中提供布线图或通孔。这一优点在电路衬底表面上和内部提供了自由空间以便安装电子元件和形成布线图，从而提供了小型化的压控振荡器。根据本专利技术的另一个优选实施例，组合模块或通信装置包括根据如上所述的优选实施例的小型化的压控振荡器。这样的组合模块和通信装置是小型化的并具有极大改善的电特性。通过以下参照附图对优选实施例的具体描述，本专利技术的上述和其它的元件、特性、特点、步骤和优点将变得更加清楚。附图说明图1是根据本专利技术的一个实施例的压控振荡器的电路图；图2是包括图1的电路的多层压控振荡器的外部透视图；图3是图2所示的多层压控振荡器的内层的平面图；图4是图2所示的多层压控振荡器的内层的平面图；图5是根据本专利技术的一个实施例的通信装置的电路方框图；图6是传统压控振荡器的电路图；图7是包括图6的电路的多层压控振荡器的外部透视图；图8是图7所示的多层压控振荡器的变体的外部透视图；和图9是图8所示的多层压控振荡器的内层的平面图。具体实施例方式以下将参照附图说明根据本专利技术的压控振荡器、组合模块和通信装置的优选实施例。第一优选实施例参照图1，压控振荡器21包括谐振电路2和放大电路3。谐振电路2的谐振频率根据施加到控制端子4上的控制电压Vc而变化。放大电路3根据谐振电路2的谐振频率产生信号和放大信号。参照图2，压控振荡器21的电路2和3通常具有安装在电路衬底10上或设置在电路衬底10内部的各种电子元件(以下说明)，所述电路衬底通过一体烧制具有印刷在其上的电路图案或接地电极的多层陶瓷片而制成。在图2中，电路衬底10包括控制端子4、驱动电源端子5、输出端子6、内层连接端子7-9，以及接地端子G。电路衬底10还包括布线图12a-12e、通路孔22以及通路孔23。除了上述的元件以外，电路衬底10在其上表面上包括其它布线图、通路孔以及通孔，这些元件未在图2中示出。谐振电路2包括扼流线圈L1、变容二极管D1、耦合电容器C9和C10、谐振电容器C11、谐振器SL2以及旁路电容器C12。为变容二极管D1、耦合电容器C9和C10、谐振电容器C11以及旁路电容器C12设置芯片元件。这些芯片元件表面安装到电路衬底10上。扼流线圈L1和谐振器SL2由印刷在绝缘陶瓷片上的电路图案限定。这些电路图案设置在电路衬底10的内部。特别地，谐振器SL2由带状线或微带线限定。带状线被限定为在其上或其下具有相对的接地电极(opposed groundelectrode)的单线，以便信号线和接地电极通过绝缘陶瓷片彼此分开。微带线被限定为其上具有一个接地电极并且其下具有另一个接地电极的单线，以便每个接地电极通过绝缘陶瓷片与信号线彼此分开。施加到控制端子4的控制电压Vc通过扼流线圈L4被供至变容二极管D1。控制端子4通过在高频范围内的高频旁路电容器C12接地。变容二极管D1、谐振电容器C11以及谐振器SL2相对于地并联地电连接。注意谐振器SL2的一端接地。放大电路3包括缓冲放大晶体管Tr1，振荡晶体管Tr2，偏压电阻器R1、R2、R3和R4，Colpitts电容器C4、C5、C6本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种压控振荡器，包括：谐振电路；以及放大电路，所述放大电路包括晶体管、电阻器以及具有电连接到地的一端的电感元件；其中，电阻器具有电连接到晶体管基极的一端和通过电感元件电连接到地的另一端。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：荒俣智英，大江修，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]