研磨垫修整器及化学机械研磨装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种研磨垫修整器及化学机械研磨装置。所述研磨垫修整器包括：修整组件，包括多个相互独立的修整盘，每个所述修整盘中均包括修整颗粒，且多个所述修整盘中的所述修整颗粒的粒径互不相同；控制组件，与多个所述修整盘连接，用于分别控制每一个所述修整盘沿其自身的轴线方向伸缩运动，使得每个所述修整盘能够单独修整研磨垫。本实用新型专利技术延长了所述研磨垫修整器的使用寿命。的使用寿命。的使用寿命。

Grinding pad dresser and chemical mechanical grinding device

【技术实现步骤摘要】
研磨垫修整器及化学机械研磨装置


[0001]本技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种研磨垫修整器及化学机械研磨装置。

技术介绍

[0002]随着技术的发展，半导体工业不断寻求新的方式生产，以使得存储器装置中的每一存储器裸片具有更多数目的存储器单元。在非易失性存储器中，例如NAND存储器，增加存储器密度的一种方式是通过使用垂直存储器阵列，即3D NAND(三维NAND)存储器；随着集成度的越来越高，3D NAND存储器已经从32层发展到64层，甚至更高的层数。
[0003]化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是3D NAND存储器等半导体器件制造过程中至关重要的一个工艺步骤，其是通过化学反应过程和机械研磨过程共同作用的工艺。但是，随着化学机械研磨过程的不断进行，研磨垫的物理及化学性能会发生变化。因此，需要采用研磨垫修整器对研磨垫进行修整。但是，当前的研磨垫修整器的使用寿命较短，从而间接导致半导体制程工艺成本的增加。而且，频繁的更换研磨垫修整器还会增加化学机械研磨机台的停机时间，从而降低了化学本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种研磨垫修整器，其特征在于，包括：修整组件，包括多个相互独立的修整盘，每个所述修整盘中均包括修整颗粒，且多个所述修整盘中的所述修整颗粒的粒径互不相同；控制组件，与多个所述修整盘连接，用于分别控制每一个所述修整盘沿其自身的轴线方向伸缩运动，使得每个所述修整盘能够单独修整研磨垫。2.根据权利要求1所述的研磨垫修整器，其特征在于，多个所述修整盘同轴嵌套。3.根据权利要求2所述的研磨垫修整器，其特征在于，多个所述修整盘中具有一圆形的所述修整盘和若干个环形的所述修整盘，且若干个环形的所述修整盘依次嵌套于圆形的所述修整盘的外周。4.根据权利要求3所述的研磨垫修整器，其特征在于，所述修整组件中包括多个尺寸互不相同的环形的所述修整盘，且多个所述环形的所述修整盘按照尺寸大小顺序依次嵌套于圆形的所述修整盘的外周。5.根据权利要求4所述的研磨垫修整器，其特征在于，沿圆形的所述修整盘指向环形的所述修整盘的方向，多个所述修整盘中的所述修整颗粒的粒径依次增大或者减小。6.根据权利要求4所述的研磨垫修整器，其特征在于，多个环形的所述修整盘的环宽均相同。7.根据权利要求1所述的研磨垫修整器，其特征在于，多个所述修整盘设置于所述修整组件的底面，且多个所述修整盘沿平行于所述修整组件的底面的方向平行排布。8.根据权利要求7...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹良宣，高林，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：新型
国别省市：