【技术实现步骤摘要】
一种用于抛光头的清洗装置及抛光设备
[0001]本专利技术涉及抛光
,具体涉及一种用于抛光头的清洗装置。
技术介绍
[0002]CMP技术是化学腐蚀作用和机械磨削作用协同效应的组合技术。它的基本原理是:在研磨抛光液存在条件下,承载在抛光头底部的晶圆相对于抛光垫作同方向的旋转运动,同时施加一定的压力;晶圆表面材料与研磨抛光液发生化学反应生成一层相对容易去除的反应膜,这一表面层通过抛光液中的研磨剂,在研磨压力的作用下与抛光垫相对运动从而被机械地磨去。
[0003]在研磨过程中需要持续对抛光头进行冲洗,去除旧抛光头上的旧液残浆、粘附的晶圆去除物,抛光过程产生的各种杂质,或者大颗粒研磨介质。现有设备中的抛光头清洗结构,绝大部分零件通过螺钉链接或者粘接,因此,连接件零件之间存在很多缝隙、死角、台阶结构,在设备长期使用后,会有大量的研磨液、残渣、沉淀在死角、狭缝中无法清洗和去除。
技术实现思路
[0004]因此,本专利技术要解决的技术问题在于克服现有技术中的抛光头清洗结构难以清洗的缺陷,从而提供一种用于抛光 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于抛光头的清洗装置,其特征在于,包括:清洗基座(1),一端适于固定,所述清洗基座(1)具有轴向贯通的第一流道(4);第一清洗臂(2),成型于所述清洗基座(1)上,所述第一清洗臂(2)具有轴向贯通的第二流道(5),所述第二流道(5)与所述第一流道(4)垂直且连通;所述第一清洗臂(2)的两轴端处均成型有第二清洗臂(3),所述第二清洗臂(3)具有轴向设置的第三流道(6);所述第三流道(6)的一端与所述第二流道(5)连通,所述第三流道(6)的另一端封堵;所述第三流道(6)与所述第二流道(5)的夹角不小于90
°
,所述第三流道(6)朝向背离所述清洗基座(1)的方向向上延伸;所述第一清洗臂(2)的背离所述清洗基座(1)的一侧上设有与所述第二流道(5)垂直连通的第一喷洗头(8),所述第二清洗臂(3)的背离所述清洗基座(1)的一侧上设有与所述第三流道(6)垂直连通的第二喷洗头(9)。2.根据权利要求1所述的用于抛光头的清洗装置,其特征在于...
【专利技术属性】
技术研发人员:于静,张敏杰,王嘉琪,李伟,尹影,
申请(专利权)人:北京烁科精微电子装备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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