一种集成RPD和PVD的镀膜设备制造技术

本实用新型专利技术涉及太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种集成RPD和PVD的镀膜设备。该集成RPD和PVD的镀膜设备主要包括：自动化设备、载板、上料腔室、RPD工艺腔室、移载腔室、PVD工艺腔室以及下料腔室。其中，载板上设置有卡槽，卡槽被配置为放置太阳能电池，上料腔室连通于第一抽真空装置、下料腔室连通于第二抽真空装置。RPD工艺腔室、移载腔室和RPD工艺腔室呈“U型”结构排列，RPD工艺腔室与上料腔室连通，PVD工艺腔室通过移载腔室连通于RPD工艺腔室，且下料腔室连通于PVD工艺腔室。该集成RPD和PVD的镀膜设备结构简单、节约成本，提高了生产效率，能够提升镀膜质量，进而提高太阳能电池的发电效率。发电效率。发电效率。

【技术实现步骤摘要】
一种集成RPD和PVD的镀膜设备


[0001]本技术涉及太阳能电池制造
，尤其涉及一种集成RPD和PVD的镀膜设备。

技术介绍

[0002]太阳能由于其取之不尽、用之不竭的特点被誉为目前最具潜力的能源之一，太阳能电池是利于太阳发电的核心器件，目前太阳能电池的结构有很多种，其中异质结与钙钛矿太阳能电池是较为前沿的光伏技术，两种电池结构都需要制备导电薄膜，也就是透明导电氧化物(Transparent Conductive Oxide，TCO)薄膜，以下简称“TCO薄膜”。
[0003]现有技术中沉积TCO薄膜的方法主要有磁控溅射法(Physical Vapor Deposition，PVD)和反应等离子沉积法(Reactive Plasma Deposition，RPD)两种。磁控溅射法(Physical Vapor Deposition，PVD)可用于制备金属、半导体等多种材料，具有设备简单、易于控制、镀膜面积大以及附着力强等特点。PVD设备在制备高质量的TCO薄膜方面拥有比较成熟的应用，其可以在250℃以内成膜，成膜的工艺温度远小于化学蒸镀法(Chemical Vapor Deposition,CVD)。且PVD设备低温沉积的TCO薄膜具有良好的光电特性、均匀性好、生产量大、成本低等诸多优点，因此成为太阳能电池制备的关键工艺设备。反应等离子沉积法(Reactive Plasma Deposition，RPD)由于其低离子轰击损伤及其高迁移率、高质量的膜层特性，被广泛用于异质结或钙钛矿电池TCO薄膜的接触层(或称为衬底层)。
[0004]但是目前的太阳能电池由于工艺的需求，需要同时使用这两种方法来沉积不同种类的TCO薄膜，以满足工艺需求。在现有技术的镀膜设备中，PVD成膜和RPD成膜需要分为两个独立的设备进行，这样就会额外增加太阳能电池的生产工序，增加太阳能电池在生产过程中的上料和下料步骤，极大地降低了生产效率，增加设备成本。同时，现有技术中的成膜设备在太阳能电池制备过程中，容易导致太阳能电池暴露在空气中，进而降低成膜的质量，影响太阳能电池的发电效率。
[0005]因此，亟需设计一种集成RPD和PVD的镀膜设备来解决现有技术中的技术问题。

技术实现思路

[0006]本技术的目的在于提出一种集成RPD和PVD的镀膜设备，结构简单、节约成本，提高了生产效率，能够提升镀膜质量，进而提高太阳能电池的发电效率。
[0007]为达此目的，本技术采用以下技术方案：
[0008]本技术提供一种集成RPD和PVD的镀膜设备，包括：
[0009]载板，所述载板上设置有卡槽，所述卡槽被配置为放置太阳能电池；
[0010]上料腔室，所述上料腔室连通于第一抽真空装置；
[0011]RPD工艺腔室，所述RPD工艺腔室与所述上料腔室连通；
[0012]PVD工艺腔室，所述PVD工艺腔室通过移载腔室连通于所述RPD工艺腔室；
[0013]所述RPD工艺腔室、所述移载腔室和所述RPD工艺腔室呈“U型”结构排列；
[0014]下料腔室，所述下料腔室连通于第二抽真空装置，且所述下料腔室连通于PVD工艺腔室；
[0015]所述太阳能电池能够依次通过所述上料腔室、所述RPD工艺腔室、所述移载腔室、所述PVD工艺腔室以及所述下料腔室。
[0016]作为一种可选技术方案，所述载板在所述移载腔室内的移动方式为平移。
[0017]作为一种可选技术方案，所述集成RPD和PVD的镀膜设备包括预热腔室，所述预热腔室连通于所述上料腔室和所述RPD工艺腔室。
[0018]作为一种可选技术方案，所述集成RPD和PVD的镀膜设备包括前缓冲腔室，所述前缓冲腔室连通于所述预热腔室和所述RPD工艺腔室。
[0019]作为一种可选技术方案，所述集成RPD和PVD的镀膜设备包括后缓冲腔室，所述后缓冲腔室连通于所述RPD工艺腔室和所述移载腔室。
[0020]作为一种可选技术方案，所述集成RPD和PVD的镀膜设备包括过渡腔室，所述过渡腔室连通于所述PVD工艺腔室和所述下料腔室。
[0021]作为一种可选技术方案，所述集成RPD和PVD的镀膜设备包括冷却腔室，所述冷却腔室连通于所述过渡腔室和所述下料腔室。
[0022]作为一种可选技术方案，所述RPD工艺腔室内设置有RPD发射源。
[0023]作为一种可选技术方案，所述PVD工艺腔室内设置有PVD发射源。
[0024]作为一种可选技术方案，所述RPD工艺腔室和所述PVD工艺腔室内均设置有加热组件。
[0025]本技术的有益效果在于：本技术提供一种集成RPD和PVD的镀膜设备，将RPD工艺腔室和PVD工艺腔室集成在同一设备中，进而形成U型结构排列，上料腔室与下料腔室在相同侧，大大减少了回传线，降低了成本；RPD工艺腔室与PVD工艺腔室连续镀膜，使得太阳能电池无需出腔室即可完成两种膜层的镀膜过程，有效避免太阳能电池制备过程中暴露于空气的风险，从而提升膜层质量。即节省了RPD设备的下料装置和PVD的上料装置，以及两台设备之间的传递装置，使得设备结构会更加简化，大大减少设备的复杂性，缩短了制造工序和工时，提高了生产效率。降低产线装备购买和运营的费用；从而减少了产品的搬运以及产品的碎片率，进一步降低了成本。
附图说明
[0026]图1为本技术提供的集成RPD和PVD的镀膜设备的俯视图。
[0027]附图标记
[0028]1、自动化设备；2、上料腔室；21、第一抽真空装置；3、预热腔室；4、RPD工艺腔室；41、前缓冲腔室；42、后缓冲腔室；43、RPD发射源；5、移载腔室；51、第三抽真空装置；6、PVD工艺腔室；61、过渡腔室；62、PVD发射源；63、加热组件；64、分子泵；7、冷却腔室；8、下料腔室；81、第二抽真空装置；9、门阀组件。
具体实施方式
[0029]为使本技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本技术的技术方案。
[0030]在本技术的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”、“固定”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0031]在本技术中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种集成RPD和PVD的镀膜设备，其特征在于，包括：载板，所述载板上设置有卡槽，所述卡槽被配置为放置太阳能电池；上料腔室(2)，所述上料腔室(2)连通于第一抽真空装置(21)；RPD工艺腔室(4)，所述RPD工艺腔室(4)与所述上料腔室(2)连通；PVD工艺腔室(6)，所述PVD工艺腔室(6)通过移载腔室(5)连通于所述RPD工艺腔室(4)；所述RPD工艺腔室(4)、所述移载腔室(5)和所述RPD工艺腔室(4)呈“U型”结构排列；下料腔室(8)，所述下料腔室(8)连通于第二抽真空装置(81)，且所述下料腔室(8)连通于PVD工艺腔室(6)；所述太阳能电池能够依次通过所述上料腔室(2)、所述RPD工艺腔室(4)、所述移载腔室(5)、所述PVD工艺腔室(6)以及所述下料腔室(8)。2.根据权利要求1所述的集成RPD和PVD的镀膜设备，其特征在于，所述载板在所述移载腔室(5)内的移动方式为平移。3.根据权利要求1所述的集成RPD和PVD的镀膜设备，其特征在于，所述集成RPD和PVD的镀膜设备包括预热腔室(3)，所述预热腔室(3)连通于所述上料腔室(2)和所述RPD工艺腔室(4)。4.根据权利要求3所述的集成RPD和PVD的镀膜设备，其特征在于，所述集成RPD和PVD的镀膜设备包括前缓冲...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨星，李长江，周文彬，徐全军，王文静，
申请(专利权)人：昆山晟成光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：