一种硒化亚锡p型半导体薄膜及其制备方法和应用技术

本申请公开了一种硒化亚锡p型半导体薄膜及其制备方法和应用。本申请的硒化亚锡p型半导体薄膜制备方法，包括采用磁控溅射，在衬底上沉积硒化亚锡膜层；对沉积硒化亚锡膜层的衬底进行氯化物溶液处理，获得表面覆盖氯化物的硒化亚锡膜层；然后，在真空或惰性气氛或弱还原气氛下，100

【技术实现步骤摘要】
一种硒化亚锡p型半导体薄膜及其制备方法和应用


[0001]本申请涉及p型半导体薄膜
，特别是涉及一种硒化亚锡p型半导体薄膜及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]p型半导体是半导体领域研究的热点，其掺杂性、热敏性和光敏性有利于应用于薄膜太阳能电池、探测器、薄膜晶体管和显示器等。薄膜半导体材料，厚度在微米甚至纳米量级，大大降低了材料的消耗，生长工艺简单，便于制作轻便、可弯曲的器件，性价比占优势，产业化前景较好。
[0003]目前比较常规的p型半导体材料包括Cu2O、CdTe和NiO。其中，Cu2O不稳定，CdTe含重金属，NiO易被还原；因此，现有的p型半导体都存在不同的缺陷和不足。
[0004]有研究显示，可以采用硒化亚锡(SnSe)薄膜制备薄膜锂离子电池或者光电探测器。但是，SnSe材料是层状结构，常规方法不易成膜。因此，如何更有效的制备硒化亚锡半导体薄膜是亟待解决的问题。

技术实现思路

[0005]本申请的目的是提供一种新的硒化亚锡p型半导体薄膜的制备方法，由此制备的硒化亚锡p型半导体薄膜及其应用。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硒化亚锡p型半导体薄膜的制备方法，其特征在于：包括采用磁控溅射，在衬底上沉积硒化亚锡膜层；对沉积硒化亚锡膜层的衬底进行氯化物溶液处理，获得表面覆盖氯化物的硒化亚锡膜层；然后，在真空或惰性气氛或弱还原气氛下，100
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600℃加热10～60分钟，冷却到室温，即获得所述硒化亚锡p型半导体薄膜；所述氯化物为氯化亚锡、氯化镉、氯化镁、氯化钌、氯化铌、氯化钽、氯化钙、氯化锌、氯化钯、氯化铑、氯化锡、氯化铟、氯化铜和氯化钡中的至少一种；所述氯化物溶液处理包括，将沉积硒化亚锡膜层的衬底浸泡到氯化物溶液中；或者，将氯化物溶液涂覆在硒化亚锡膜层表面。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述氯化物溶液处理中，在将沉积硒化亚锡膜层的衬底浸泡到氯化物溶液之前，还包括对沉积硒化亚锡膜层的衬底进行UV辐照处理；优选的，浸泡条件为50
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60℃浸泡10
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20分钟。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述氯化物溶液处理中，将氯化物溶液涂覆在硒化亚锡膜层表面后，还包括，加热去除溶剂；优选的，所述涂覆的方式为涂抹或喷涂。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射的条件为，溅射腔压强0.1～10Pa，溅射腔气氛为氩气、氮气或氩...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘锋，梁军，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：