减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及真空镀膜技术领域，尤其涉及减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置及方法，旨在解决镀膜过程中成膜载板上硅片背面被氧化和污染导致硅片成膜质量差，降低电池效率的问题。本发明专利技术提供的减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置包括基板、第一连接模块和第二连接模块；基板安装有电位发生器；基板处于成膜载板的下部时，以基板为第一基板；基板处于成膜载板的上部时，以基板为第二基板；第一连接模块用于控制电位发生器向第一基板施加正电位；第二连接模块用于控制电位发生器向第二基板施加负电位。通过控制电位发生器产生电场，利用电场对等离子体加速以轰击成膜载板的硅片背面，提高硅片成膜质量、提高电池效率。提高电池效率。提高电池效率。

【技术实现步骤摘要】
减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置及方法


[0001]本专利技术涉及真空镀膜
，尤其涉及一种减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置及方法。

技术介绍

[0002]溅射镀膜是一种在真空中利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术。
[0003]溅射镀膜装置通常包括腔体、靶材以及阴极板，腔体围成真空镀膜腔室，靶材与阴极板位于真空镀膜腔室内，靶材与真空镀膜腔体之间设置有成膜载板放置区，成膜载板放置区用于放置成膜载板。在溅射镀膜过程中，真空镀膜腔体作为阳极板接地，阴极板接入负电位，因此在阴极板和真空镀膜腔体之间产生电场且电离出等离子体轰击靶材，实现对成膜载板的溅射。溅射镀膜装置还在阴极板的一侧设有磁极组，利用磁极组的磁场对电子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。
[0004]在溅射镀膜装置中，一般将成膜载板进行接地设计。当对成膜载板进行溅射镀膜时，阴极靶材与成膜载板正面和背面之间均存在电压降，并且由于硅片正背面工艺参数存在差异，一般将溅射镀膜装置设计为单面镀膜。若对成膜载板进行镀膜，由于阴极靶材与成膜载板背面也存在电压降，因本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置，其特征在于，包括基板、第一连接模块(502)和第二连接模块(503)；所述基板安装有电位发生器(206)，所述电位发生器(206)内部设置有电极馈入接头；所述基板处于成膜载板(204)的下部时，以所述基板为第一基板(205)；所述基板处于所述成膜载板(204)的上部时，以所述基板为第二基板；所述第一连接模块(502)用于控制所述电极馈入接头与外接偏压装置(207)的正电位连接，以使所述电位发生器(206)向所述第一基板(205)施加正电位；所述第二连接模块(503)用于控制所述电极馈入接头与所述外接偏压装置(207)的负电位连接，以使所述电位发生器(206)向所述第二基板施加负电位。2.根据权利要求1所述的减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置，其特征在于，还包括靶材位置判断模块(501)；所述靶材位置判断模块(501)用于判断真空镀膜腔室(208)中的靶材(201)是否处于所述成膜载板(204)的上部；在所述靶材位置判断模块(501)判断出所述真空镀膜腔室(208)中的所述靶材(201)处于所述成膜载板(204)的上部之后，所述第一连接模块(502)启动；在所述靶材位置判断模块(501)判断出所述真空镀膜腔室(208)中的所述靶材(201)未处于所述成膜载板(204)的上部之后，所述第二连接模块(502)启动。3.根据权利要求2所述的减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置，其特征在于，还包括采集模块(401)、成膜载板位置判断模块(402)、电位启动模块(403)和电位关闭模块(404)；所述采集模块(401)用于采集所述成膜载板(204)的第一位置信息和第二位置信息；所述成膜载板位置判断模块(402)根据所述采集模块(401)采集到的所述第一位置信息和所述第二位置信息判断所述成膜载板(204)是否处于所述真空镀膜腔室(208)内；所述电位启动模块(403)，在所述成膜载板位置判断模块(402)判断出所述成膜载板(204)处于所述真空镀膜腔室(208)内之后启动所述电位发生器(206)，以使所述基板与所述成膜载板(204)之间产生辉光放电，完成对所述成膜载板(204)上的硅片(203)的表面处理；所述电位关闭模块(404)，在所述成膜载板位置判断模块(402)判断出所述成膜载板(204)未处于所述真空镀膜腔室(208)内之后关闭所述电位发生器(206)。4.根据权利要求3所述的减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置，其特征在于，所述电位启动模块(403)包括判断单元和电位打开单元；所述判断单元，判断所述电位发生器(206)与所述成膜载板(204)之间的电压差是否在设定的电压范围内；所述电位打...

【专利技术属性】
技术研发人员：董刚强，赵宇，郁操，彭振维，冉孝超，
申请(专利权)人：苏州迈为科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：