本发明专利技术涉及真空镀膜技术领域，尤其涉及减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置及方法，旨在解决镀膜过程中成膜载板上硅片背面被氧化和污染导致硅片成膜质量差，降低电池效率的问题。本发明专利技术提供的减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置包括基板、第一连接模块和第二连接模块；基板安装有电位发生器；基板处于成膜载板的下部时，以基板为第一基板；基板处于成膜载板的上部时，以基板为第二基板；第一连接模块用于控制电位发生器向第一基板施加正电位；第二连接模块用于控制电位发生器向第二基板施加负电位。通过控制电位发生器产生电场，利用电场对等离子体加速以轰击成膜载板的硅片背面，提高硅片成膜质量、提高电池效率。提高电池效率。提高电池效率。
【技术实现步骤摘要】
减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置及方法
[0001]本专利技术涉及真空镀膜
，尤其涉及一种减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置及方法。
技术介绍
[0002]溅射镀膜是一种在真空中利用荷能粒子轰击靶表面，使被轰击出的粒子沉积在基片上的技术。
[0003]溅射镀膜装置通常包括腔体、靶材以及阴极板，腔体围成真空镀膜腔室，靶材与阴极板位于真空镀膜腔室内，靶材与真空镀膜腔体之间设置有成膜载板放置区，成膜载板放置区用于放置成膜载板。在溅射镀膜过程中，真空镀膜腔体作为阳极板接地，阴极板接入负电位，因此在阴极板和真空镀膜腔体之间产生电场且电离出等离子体轰击靶材，实现对成膜载板的溅射。溅射镀膜装置还在阴极板的一侧设有磁极组，利用磁极组的磁场对电子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。
[0004]在溅射镀膜装置中，一般将成膜载板进行接地设计。当对成膜载板进行溅射镀膜时，阴极靶材与成膜载板正面和背面之间均存在电压降，并且由于硅片正背面工艺参数存在差异，一般将溅射镀膜装置设计为单面镀膜。若对成膜载板进行镀膜，由于阴极靶材与成膜载板背面也存在电压降，因此在镀膜过程中，成膜载板背面会受到等离子体的轰击，造成成膜载板上硅片背面的氧化和污染，影响硅片成膜质量，进而导致电池效率降低。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供一种减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置及方法，以解决因镀膜过程中成膜载板上硅片背面被氧化和污染导致硅片成膜质量差，降低电池效率的问题。
[0006]为了解决上述技术问题，本专利技术提供的技术方案在于：
[0007]本专利技术提供了一种减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置，包括基板、第一连接模块和第二连接模块；基板安装有电位发生器，电位发生器内部设置有电极馈入接头；基板处于成膜载板的下部时，以基板为第一基板；基板处于成膜载板的上部时，以基板为第二基板；
[0008]第一连接模块用于控制电极馈入接头与外接偏压装置的正电位连接，以使电位发生器向第一基板施加正电位；
[0009]第二连接模块用于控制电极馈入接头与外接偏压装置的负电位连接，以使电位发生器向第二基板施加负电位。
[0010]进一步的，减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置还包括靶材位置判断模块；
[0011]靶材位置判断模块用于判断真空镀膜腔室中的靶材是否处于成膜载板的上部；在靶材位置判断模块判断出真空镀膜腔室中的靶材处于成膜载板的上部之后，第一连接模块启动；
[0012]在靶材位置判断模块判断出真空镀膜腔室中的靶材未处于成膜载板的上部之后，
第二连接模块启动。
[0013]进一步的，减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置还包括采集模块、成膜载板位置判断模块、电位启动模块和电位关闭模块；
[0014]采集模块用于采集成膜载板的第一位置信息和第二位置信息；
[0015]成膜载板位置判断模块根据采集模块采集到的第一位置信息和第二位置信息判断成膜载板是否处于真空镀膜腔室内；
[0016]电位启动模块，在成膜载板位置判断模块判断出成膜载板处于真空镀膜腔室内之后启动电位发生器，以使基板与成膜载板之间产生辉光放电，完成对成膜载板上的硅片的表面处理；
[0017]电位关闭模块，在成膜载板位置判断模块判断出成膜载板未处于真空镀膜腔室内之后关闭电位发生器。
[0018]进一步的，电位启动模块包括判断单元和电位打开单元；
[0019]判断单元，判断电位发生器与成膜载板之间的电压差是否在设定的电压范围内；
[0020]电位打开单元，在判断单元判断出电位发生器与成膜载板之间的电位差在设定的电压范围内之后，控制电位发生器打开开关。
[0021]进一步的，第一基板与成膜载板的距离保持在20～300mm；
[0022]或，
[0023]第二基板与成膜载板的距离保持在20～300mm。
[0024]本专利技术的另一方面，提供了一种减少溅射镀膜损伤硅片衬底的方法，采用上述的减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置，包括如下步骤：
[0025]在成膜载板处于真空镀膜腔室内时，启动电位发生器，以使基板与成膜载板之间产生辉光放电，完成对成膜载板上的硅片的表面处理，其中，基板安装有电位发生器；
[0026]若成膜载板未处于真空镀膜腔室内时，则关闭电位发生器。
[0027]进一步的，减少溅射镀膜损伤硅片衬底的方法，在启动电位发生器之前，包括如下步骤：
[0028]判断真空镀膜腔室中的靶材是否处于成膜载板的上部；
[0029]若是，则控制电极馈入接头与外接偏压装置的正电位连接，以使电位发生器向第一基板施加正电位，其中，第一基板处于成膜载板的下部，第一基板安装有电位发生器，电极馈入接头设置在电位发生器内部；
[0030]若否，则控制电极馈入接头与外接偏压装置的负电位连接，以使电位发生器向第二基板施加负电位，其中，第二基板处于成膜载板的上部。
[0031]进一步的，判断电位发生器与成膜载板之间的电压差是否在设定的电压范围内；
[0032]若是，则控制电位发生器开关打开。
[0033]进一步的，利用温度传感器采集成膜载板的温度数据，并将温度数据发送给处理器；
[0034]利用处理器根据温度数据判断成膜载板的温度是否超过设定温度；
[0035]若否，则保持电位发生器正常运行；
[0036]若是，则暂停电位发生器工作。
[0037]进一步的，使用计算机可读介质存储执行指令，当存储控制器的处理器执行执行
指令时，存储控制器执行上述方法。
[0038]综合上述技术方案，本专利技术所能实现的技术效果在于：
[0039]本专利技术提供的减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置包括基板、第一连接模块和第二连接模块；基板安装有电位发生器，电位发生器内部设置有电极馈入接头；基板处于成膜载板的下部时，以基板为第一基板；基板处于成膜载板的上部时，以基板为第二基板；第一连接模块用于控制电极馈入接头与外接偏压装置的正电位连接，以使电位发生器向第一基板施加正电位；第二连接模块用于控制电极馈入接头与外接偏压装置的负电位连接，以使电位发生器向第二基板施加负电位。
[0040]本专利技术提供的减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置使用第一连接模块控制电位发生器上的电极馈入接头与外接偏压装置的正电位连接，使电位发生器向第一基板施加正电位；使用第二连接模块控制电位发生器上的电极馈入接头与外接偏压装置的负电位连接，使电位发生器向第二基板施加负电位通过。从而在成膜载板与第一基板之间产生电压差或成膜载板与第二基板之间产生电压差，进而实现在对成膜载板的硅片的单面进行磁控溅射的同时，对硅片的背面进行表面处理，利用电场对等离子体加速以轰击成膜载板的硅片背面，激发硅片背面中的杂质气体释放，同时活化硅片背面，起到除气和提高膜层结合力的效果，从而避免硅片背面被氧化或污染，达到提高硅片成膜质量、提高电池效率的目的。
附图说明
[0041]为了更清楚地本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置，其特征在于，包括基板、第一连接模块(502)和第二连接模块(503)；所述基板安装有电位发生器(206)，所述电位发生器(206)内部设置有电极馈入接头；所述基板处于成膜载板(204)的下部时，以所述基板为第一基板(205)；所述基板处于所述成膜载板(204)的上部时，以所述基板为第二基板；所述第一连接模块(502)用于控制所述电极馈入接头与外接偏压装置(207)的正电位连接，以使所述电位发生器(206)向所述第一基板(205)施加正电位；所述第二连接模块(503)用于控制所述电极馈入接头与所述外接偏压装置(207)的负电位连接，以使所述电位发生器(206)向所述第二基板施加负电位。2.根据权利要求1所述的减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置，其特征在于，还包括靶材位置判断模块(501)；所述靶材位置判断模块(501)用于判断真空镀膜腔室(208)中的靶材(201)是否处于所述成膜载板(204)的上部；在所述靶材位置判断模块(501)判断出所述真空镀膜腔室(208)中的所述靶材(201)处于所述成膜载板(204)的上部之后，所述第一连接模块(502)启动；在所述靶材位置判断模块(501)判断出所述真空镀膜腔室(208)中的所述靶材(201)未处于所述成膜载板(204)的上部之后，所述第二连接模块(502)启动。3.根据权利要求2所述的减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置，其特征在于，还包括采集模块(401)、成膜载板位置判断模块(402)、电位启动模块(403)和电位关闭模块(404)；所述采集模块(401)用于采集所述成膜载板(204)的第一位置信息和第二位置信息；所述成膜载板位置判断模块(402)根据所述采集模块(401)采集到的所述第一位置信息和所述第二位置信息判断所述成膜载板(204)是否处于所述真空镀膜腔室(208)内；所述电位启动模块(403)，在所述成膜载板位置判断模块(402)判断出所述成膜载板(204)处于所述真空镀膜腔室(208)内之后启动所述电位发生器(206)，以使所述基板与所述成膜载板(204)之间产生辉光放电，完成对所述成膜载板(204)上的硅片(203)的表面处理；所述电位关闭模块(404)，在所述成膜载板位置判断模块(402)判断出所述成膜载板(204)未处于所述真空镀膜腔室(208)内之后关闭所述电位发生器(206)。4.根据权利要求3所述的减少溅射镀膜损伤硅片衬底的装置，其特征在于，所述电位启动模块(403)包括判断单元和电位打开单元；所述判断单元，判断所述电位发生器(206)与所述成膜载板(204)之间的电压差是否在设定的电压范围内；所述电位打...
【专利技术属性】
技术研发人员：董刚强，赵宇，郁操，彭振维，冉孝超，
申请(专利权)人：苏州迈为科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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