一种改善玻璃基金属铟膜结合力的方法技术

本发明专利技术属于功能薄膜材料及器件领域，公开了一种改善玻璃基金属铟膜结合力的方法，包括如下步骤：安装In靶材；安装Al靶材或Si靶材；在清洗后的衬底上，射频磁控溅射生长Al2O3薄膜或SiO2薄膜；在Al2O3薄膜或SiO2薄膜上，直流磁控溅射生长金属铟薄膜。本发明专利技术的方法在直流磁控溅射沉积金属铟薄膜的过程中，创造性的通过在玻璃衬底与金属铟薄膜之间增加过渡层，能有效调节基底和铟薄膜之间的晶格失配，减少界面之间的缺陷，改善铟薄膜与基底的结合力，从而获得符合焊接需求的薄膜。获得符合焊接需求的薄膜。获得符合焊接需求的薄膜。

【技术实现步骤摘要】
一种改善玻璃基金属铟膜结合力的方法


[0001]本专利技术属于功能薄膜材料及器件领域，更具体的，涉及一种改善玻璃基金属铟膜结合力的方法。

技术介绍

[0002]金属铟具有延展性好，可塑性强，熔点低，沸点高，低电阻，抗腐蚀等优良特性，且具有较好的光渗透性和导电性，被广泛应用于宇航、无线电和电子工业、医疗、国防、高新技术、能源等领域。
[0003]由于铟的熔点较低，延展性好，常用作焊接材料。采用直流磁控溅射生长金属铟薄膜，纳米级的金属铟薄膜具有良好的附着力，但厚度较薄不符合焊接需求，微米级金属铟薄膜由于其厚度较厚，易形成位错、孔隙等，造成薄膜附着力下降。
[0004]所以，目前溅射工艺下，满足薄膜具有符合焊接需求性能的情况下，同时使得溅射获得的薄膜具有较佳的附着力，使其不易脱落这一问题仍亟待攻克。

技术实现思路

[0005]针对现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种改善玻璃基金属铟膜结合力的方法，该方法在玻璃衬底与金属铟薄膜之间增加过渡层，能够有效地在直流磁控溅射沉积微米级金属铟膜的过程中，调节基底和铟薄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改善玻璃基金属铟膜结合力的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：安装In靶材；安装Al靶材或Si靶材；S2：在清洗后的衬底上，射频磁控溅射生长Al2O3薄膜或SiO2薄膜；S3：在Al2O3薄膜或SiO2薄膜上，直流磁控溅射生长金属铟薄膜。2.如权利要求1所述的改善玻璃基金属铟膜结合力的方法，其特征在于，步骤S1中，所述In靶的靶材纯度≥99.97%，密度≥7.31g/cm
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。3.如权利要求1所述的改善玻璃基金属铟膜结合力的方法，其特征在于，步骤S1中，所述Al靶的靶材纯度≥99.97%，密度≥2.67g/cm
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。4.如权利要求1所述的改善玻璃基金属铟膜结合力的方法，其特征在于，步骤S1中，所述Si靶的靶材纯度≥99.97%，密度≥2.33g/cm
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。5.如权利要求1所述的改善玻璃基金属铟膜结合力的方法，其特征在于，步骤S2中，所述衬底为无碱超薄玻璃。6.如权利要求5所述的改善玻璃基金属铟膜结合力的方法，其特征在于，所述无碱超薄玻璃中碱元素含量≤0.05wt%，室温热膨胀系≤35.5
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【专利技术属性】
技术研发人员：汤惠淋，宋世金，朱刘，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：