一种超高纯铜靶材及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种超高纯铜靶材及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：(1)将超高纯铜粉装入包套中，进行夯实处理；(2)将步骤(1)所述夯实后的包套进行脱气处理；(3)将步骤(2)所述脱气后的包套在700

【技术实现步骤摘要】
一种超高纯铜靶材及其制备方法


[0001]本专利技术属于靶材及靶材制备领域，尤其涉及一种超高纯铜靶材及其制备方法。

技术介绍

[0002]磁控溅射是物理气相沉积的一种，它的工作原理是电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩原子和电子，电子飞向基片，氩离子在电场的作用下加速轰击溅射基台上的靶材组件上的靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶材原子沉积在基板上成膜，最终达到对基板表面镀膜的目的。随着半导体领域的快速发展，溅射靶材的应用越来越广泛。
[0003]目前，超高纯铜主要通过热锻、静压、轧制、热处理来控制其溅射性能，通常采用常规的多道次的热轧塑性变形加工的方式进行来制备高纯铜靶材。CN110578126B公开了一种多规格高纯铜靶材的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：将高纯铜锭加热至700～950℃，保温1～5h；然后进行多道次热轧制后冷却至室温，热轧制的第一道次轧制变形量为20％～50％，后续各道次轧制变形量为10％～40％，轧制累计变形量为60％～96％；最后进行校平、切割、粗加工和精加工等，制备的高纯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超高纯铜靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)将超高纯铜粉装入包套中，进行夯实处理；(2)将步骤(1)所述夯实后的包套进行脱气处理；(3)将步骤(2)所述脱气后的包套在700
‑
750℃下进行热等静压处理，得到所述超高纯铜靶材。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述超高纯铜粉的纯度≥99.9999％；优选地，步骤(1)所述超高纯铜粉的粒径为3
‑
8μm。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述包套的壁厚为2
‑
3mm；优选地，步骤(1)所述包套内侧的脱气口设置有高温棉和石墨纸。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)脱气处理的真空度为≤1
×
10
‑4Pa。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)脱气处理的温度为550
‑
600℃；优选地，步骤(2)脱气处理的保温时间为2
‑
5h。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述热等静压处理的压力为160
‑
180MPa；优选地，步骤(3)所述热等静压处理在热等静压炉中进行。7.根据权利要求1
‑
6任一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，王学泽，周友平，慕二龙，汪焱斌，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：