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一种硒化亚锡p型半导体薄膜及其制备方法和应用技术
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文档序号:33888064
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本申请公开了一种硒化亚锡p型半导体薄膜及其制备方法和应用。本申请的硒化亚锡p型半导体薄膜制备方法,包括采用磁控溅射,在衬底上沉积硒化亚锡膜层;对沉积硒化亚锡膜层的衬底进行氯化物溶液处理,获得表面覆盖氯化物的硒化亚锡膜层;然后,在真空或惰性气...
该专利属于北京大学深圳研究生院所有,仅供学习研究参考,未经过北京大学深圳研究生院授权不得商用。
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