三维存储器、制备方法及存储系统技术方案

本申请提供了一种三维存储器、制备方法及存储系统。三维存储器包括：堆叠结构；多个沟道结构，包括沟道层，并贯穿堆叠结构；以及顶部选择栅结构，形成于相邻的沟道结构之间，并穿过部分堆叠结构，其中，沿堆叠结构的厚度方向，至少一个所述沟道结构的靠近顶部选择栅结构的一端的沟道层具有掺杂剂。本申请提供的三维存储器、制备方法及存储系统，节省了顶部选择栅占用的面积，三维存储器中的顶部选择晶体管错误打开的概率，提高了三维存储器的可靠性。提高了三维存储器的可靠性。提高了三维存储器的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
三维存储器、制备方法及存储系统


[0001]本申请涉及半导体
，更具体地，涉及一种三维存储器、制备方法及存储系统。

技术介绍

[0002]在三维存储器工艺中，为了保证每个存储单元串可以独立操作，通常会采用顶部选择栅结构。如图1，在常规9孔结构中，顶部选择栅结构120和一排沟道结构110重叠。该排沟道结构110不具备存储功能，将造成一定的面积浪费。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种可至少部分解决现有技术中存在的上述问题的三维存储器、制备方法及存储系统。
[0004]本申请一方面提供了一种三维存储器，包括：堆叠结构；多个沟道结构，包括沟道层，并贯穿堆叠结构；以及顶部选择栅结构，形成于相邻的沟道结构之间，并穿过部分堆叠结构，其中，沿堆叠结构的厚度方向，至少一个沟道结构的沟道层的靠近顶部选择栅结构的一端具有掺杂剂。
[0005]在本申请的一些示例性实施方式中，掺杂剂为P型掺杂剂。
[0006]在本申请的一些示例性实施方式中，沿堆叠结构的厚度方向，具有掺杂剂的沟道层的长度小于顶部选择栅结构的长度。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三维存储器，其特征在于，包括：堆叠结构；多个沟道结构，包括沟道层，并贯穿所述堆叠结构；以及顶部选择栅结构，形成于相邻的所述沟道结构之间，并穿过部分所述堆叠结构，其中，沿所述堆叠结构的厚度方向，至少一个所述沟道结构的沟道层的靠近所述顶部选择栅结构的一端具有掺杂剂。2.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述掺杂剂为P型掺杂剂。3.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，沿所述堆叠结构的厚度方向，具有掺杂剂的沟道层的长度小于所述顶部选择栅结构的长度。4.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述三维存储器还包括：一对栅缝隙结构，贯穿所述堆叠结构；其中，所述多个沟道结构位于所述一对栅缝隙结构之间，且所述多个沟道结构呈N行排列，每行沟道结构与相邻行的沟道结构交错排列；所述顶部选择栅结构位于第N/2行沟道结构和第N/2+1行沟道结构之间，N为偶数。5.根据权利要求1所述的三维存储器，其中，所述顶部选择栅结构与所述至少一个沟道结构相接触。6.根据权利要求5所述的三维存储器，其中，所述沟道结构包括：沿所述沟道结构径向由外向内依次设置的功能层和所述沟道层，所述顶部选择栅结构与所述功能层接触。7.根据权利要求5所述的三维存储器，其中，所述沟道结构包括：沿所述沟道结构径向由外向内依次设置的功能层和所述沟道层，所述顶部选择栅结构与所述功能层和所述沟道层接触。8.根据权利要求6或7所述的三维存储器，其中，所述功能层包括：沿所述沟道结构径向由外向内依次设置的阻挡层、电荷捕获层和隧穿层。9.一种存储系统，其特征在于，包括：如权利要求1至8中任一项所述的三维存储器；以及控制器，与所述三维存储器电连接，用于控制所述三维存储器。10.一种三维存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在衬底上形成堆叠结构；形成贯穿所述堆叠结构的多个沟道结构；在相邻的所述沟道结构之间形成穿过部分所述堆叠结构的顶部选择栅结构；以及对至少一个所述沟道结构的远离所述衬底的一端进行离子掺杂。11.根据权利要求10所述的方法，其中，对所述至少一个沟道结构进行离子掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘磊，杨涛，夏志良，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：