半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供能够形成适宜的衬垫的半导体装置及其制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具备第1衬垫，其是设置于第1绝缘膜内的第1衬垫，包含设置于第1绝缘膜的侧面及下表面的第1层、和介由第1层设置于第1绝缘膜的侧面及下表面的第2层。上述装置进一步具备第2衬垫，其是在第1绝缘膜上的第2绝缘膜内设置于第1衬垫上的第2衬垫，包含设置于第2绝缘膜的侧面及上表面的第3层、和介由第3层设置于第2绝缘膜的侧面及上表面的第4层。上述装置进一步具备第1部分，其设置于第1衬垫的上表面与第2绝缘膜的下表面之间、或第2衬垫的下表面与第1绝缘膜的上表面之间，包含与第1层或第3层中所含的金属元素相同的金属元素。层中所含的金属元素相同的金属元素。层中所含的金属元素相同的金属元素。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其制造方法
[0001]关联申请
[0002]本申请享有以日本专利申请2020
‑
208637号(申请日：2020年12月16日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及半导体装置及其制造方法。

技术介绍

[0004]在将某基板上的金属衬垫(pad)及绝缘膜与另一基板上的金属衬垫及绝缘膜贴合来制造半导体装置的情况下，有时一个基板上的金属衬垫的表面露出到另一基板上的绝缘膜的表面。这种情况下，有可能产生金属原子(例如铜原子)从露出于绝缘膜的表面的金属衬垫的表面扩散等问题。

技术实现思路

[0005]实施方式提供能够形成适宜的衬垫的半导体装置及其制造方法。
[0006]根据一个实施方式，半导体装置具备第1绝缘膜和第1衬垫，所述第1衬垫设置于上述第1绝缘膜内，且包含设置于上述第1绝缘膜的侧面及下表面的第1层和介由上述第1层而设置于上述第1绝缘膜的侧面及下表面的第2层。上述装置进一步具备设置于上述第1绝缘膜上的第2绝本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其具备：第1绝缘膜；第1衬垫，该第1衬垫是设置于所述第1绝缘膜内的第1衬垫，包含设置于所述第1绝缘膜的侧面及下表面的第1层和介由所述第1层设置于所述第1绝缘膜的侧面及下表面的第2层；第2绝缘膜，该第2绝缘膜设置于所述第1绝缘膜上；第2衬垫，该第2衬垫是在所述第2绝缘膜内设置于所述第1衬垫上的第2衬垫，包含设置于所述第2绝缘膜的侧面及上表面的第3层和介由所述第3层设置于所述第2绝缘膜的侧面及上表面的第4层；和第1部分，该第1部分设置于所述第1衬垫的上表面与所述第2绝缘膜的下表面之间、或所述第2衬垫的下表面与所述第1绝缘膜的上表面之间，包含与所述第1层或所述第3层中所含的金属元素相同的金属元素。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第1部分包含所述金属元素和氧。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述金属元素包含钛、铝或锰。4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述第1层与所述第1绝缘膜的侧面及下表面相接，或者所述第3层与所述第2绝缘膜的侧面及上表面相接。5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述第1绝缘膜包含含有氧且与所述第1部分的下表面相接的第1膜，或者所述第2绝缘膜包含含有氧且与所述第1部分的上表面相接的第2膜。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第1膜或所述第2膜为自然氧化膜。7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述第1绝缘膜包含所述第1膜、和含有碳及氮且与所述第1膜的下表面相接的第3膜，或者所述第2绝缘膜包含所述第2膜、和含有碳及氮且与所述第2膜的上表面相接的第4膜。8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述第1衬垫与所述第2衬垫具有相同的宽度。9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述第1衬垫与所述第2衬垫具有不同的宽度。10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，所述第1衬垫设置于包含所述第1层及所述第2层的第1插塞上，所述第1插塞内的所述第2层与所述第1衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：泽田元气，田上政由，饭岛纯，久米一平，吉田树誉满，
申请(专利权)人：铠侠股份有限公司，
类型：发明
国别省市：