半导体结构制造技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构。通过设置倒L型接触结构，并使倒L型接触结构的突出部朝向邻近的浅沟渠隔离结构突出，以及至少在倒L型接触结构远离主动区域的一侧设置有至少两层电介质层，该倒L型的接触结构具有特殊的形状，此形状有助于稳固形成在倒L型的接触结构侧边的第一电介质层与第二电介质层，并且提升半导体结构的稳定性。体结构的稳定性。体结构的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体结构。

技术介绍

[0002]由于半导体组件朝向高密度化发展，单元面积内的组件尺寸不断减小。半导体组件因其尺寸小，功能多和/或制造成本低而广泛用于电子工业。半导体组件分为储存逻辑数据的半导体组件，操作、处理逻辑数据操作的半导体逻辑组件，或是同时具有半导体储存组件的功能和半导体逻辑组件和/或其他半导体组件功能的混合半导体组件。
[0003]随着半导体工艺之线宽不断缩小，半导体组件之尺寸不断地朝微型化发展，然而，由于目前半导体工艺之线宽微小化至一定程度后，具金属栅极之半导体结构的整合工艺亦浮现出更多挑战与瓶颈。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种半导体结构，包含衬底，所述衬底中形成有浅沟渠隔离结构，所述浅沟渠隔离结构定义出主动区域；第一倒L型接触结构，位于所述衬底上，其中所述第一倒L型接触结构的底部接触所述主动区域，所述第一倒L型接触结构的突出部朝向邻近的浅沟渠隔离结构突出。
[0005]可选的，所述第一倒L型接触结构的突出部突出至所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有浅沟渠隔离结构，所述浅沟渠隔离结构定义出主动区域；第一倒L型接触结构，位于所述衬底上，其中所述第一倒L型接触结构的底部接触所述主动区域，所述第一倒L型接触结构的突出部朝向邻近的浅沟渠隔离结构突出。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一倒L型接触结构的突出部突出至所述浅沟渠隔离结构的上方，并和所述浅沟渠隔离结构至少部分空间重叠。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一倒L型接触结构包含竖直部和水平部，所述竖直部竖直形成在所述衬底上，所述水平部位于所述竖直部上并横向延伸出以构成所述突出部。4.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有浅沟渠隔离结构，所述浅沟渠隔离结构定义出主动区域；第一倒L型接触结构和第二倒L型接触结构，位于所述衬底上并分别位于浅沟渠隔离结构的相对两侧，其中所述第一倒L型接触结构的突出部和所述第二倒L型接触结构的突出部均朝向所述浅沟渠隔离结构而两两相对。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一倒L型接触结构和所述第二倒L型接触结构之间形成有第一电介质层和第二电介质层，所述第二电介质层位于所述第一电介质层上。6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二电介质层的顶面不高于所述第一倒L型接触结构和所述第二倒L型接触结构的顶面。7.一种半导体结...

【专利技术属性】
技术研发人员：方晓培，黄永泰，游馨，郭东龙，夏勇，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：